雷達(dá)對(duì)抗輻射式仿真技術(shù)

第 1 章 概述
1.1 仿真、系統(tǒng)與建模
1.1.1 仿真的基本概念
1.1.2 連續(xù)系統(tǒng)和離散系統(tǒng)
1.1.3 建模技術(shù)
1.2 雷達(dá)對(duì)抗輻射式仿真
1.2.1 輻射式仿真的基本任務(wù)
1.2.2 輻射式仿真系統(tǒng)的典型組成
1.2.3 國(guó)內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀
第 2 章 微波暗室設(shè)計(jì)
2.1 微波暗室簡(jiǎn)介
2.1.1 微波暗室的分類(lèi)
2.1.2 射頻仿真暗室特點(diǎn)
2.1.3 微波暗室的組成
2.2 微波暗室技術(shù)要點(diǎn)
2.2.1 暗室形狀選擇
2.2.2 暗室尺寸的確定
2.2.3 微波暗室屏蔽體
2.2.4 微波暗室吸波材料分析與鋪設(shè)
2.3 暗室的靜區(qū)性能
2.3.1 靜區(qū)性能指標(biāo)
2.3.2 反射電平的影響分析
2.4 微波性能預(yù)估與測(cè)試
2.4.1 暗室靜區(qū)性能預(yù)估
2.4.2 暗室靜區(qū)性能測(cè)試
第 3 章 復(fù)雜電磁信號(hào)模擬技術(shù)
3.1 復(fù)雜電磁信號(hào)模擬在雷達(dá)對(duì)抗輻射式仿真中的能力需求分析
3.1.1 復(fù)雜電磁信號(hào)模擬的主要內(nèi)容
3.1.2 能力需求
3.2 復(fù)雜電磁信號(hào)環(huán)境模擬技術(shù)
3.2.1 概念與仿真模擬重點(diǎn)
3.2.2 典型實(shí)現(xiàn)方案
3.2.3 技術(shù)要點(diǎn)
3.3 雷達(dá)回波與干擾信號(hào)模擬技術(shù)
3.3.1 概念與仿真模擬要點(diǎn)
3.3.2 典型實(shí)現(xiàn)方案
3.3.3 技術(shù)要點(diǎn)
3.4 復(fù)雜電磁環(huán)境模擬中的模型實(shí)現(xiàn)
3.4.1 電磁信號(hào)傳播路徑模型
3.4.2 多路徑模型
3.4.3 遮擋效應(yīng)模型
3.4.4 坐標(biāo)系和坐標(biāo)系變換模型
3.4.5 方向圖模型
3.4.6 目標(biāo)特性模型
3.4.7 雜波信號(hào)模型
3.4.8 干擾信號(hào)模型
第 4 章 電磁輻射平臺(tái)運(yùn)動(dòng)模擬技術(shù)
4.1 天線(xiàn)陣列技術(shù)
4.1.1 三元組間隔選擇準(zhǔn)則
4.1.2 三元組工作原理
4.1.3 天線(xiàn)陣元組件
4.1.4 天線(xiàn)陣面結(jié)構(gòu)
4.2 饋電通道技術(shù)
4.3 電磁輻射平臺(tái)運(yùn)動(dòng)模擬系統(tǒng)標(biāo)校技術(shù)
4.4 近場(chǎng)效應(yīng)修正技術(shù)
4.5 極化控制技術(shù)
4.5.1 不同極化的實(shí)現(xiàn)
4.5.2 影響極化因素分析
第 5 章 姿態(tài)運(yùn)動(dòng)模擬技術(shù)
5.1 概述
5.1.1 姿態(tài)運(yùn)動(dòng)模擬器發(fā)展?fàn)顩r
5.1.2 姿態(tài)運(yùn)動(dòng)模擬器控制方法研究現(xiàn)狀
5.2 姿態(tài)運(yùn)動(dòng)模擬器
5.2.1 姿態(tài)運(yùn)動(dòng)模擬器的主要任務(wù)
5.2.2 姿態(tài)運(yùn)動(dòng)模擬器的結(jié)構(gòu)組成
5.2.3 姿態(tài)運(yùn)動(dòng)模擬器的工作原理
5.3 姿態(tài)運(yùn)動(dòng)模擬器伺服控制方法
5.3.1 姿態(tài)運(yùn)動(dòng)模擬器控制系統(tǒng)建模
5.3.2 控制方法研究
5.4 姿態(tài)運(yùn)動(dòng)模擬器關(guān)鍵技術(shù)
5.4.1 高精度的實(shí)現(xiàn)
5.4.2 寬頻帶的實(shí)現(xiàn)
5.4.3 平穩(wěn)性的實(shí)現(xiàn)
5.5 姿態(tài)運(yùn)動(dòng)模擬器性能指標(biāo)測(cè)試方法
5.5.1 檢驗(yàn)內(nèi)容
5.5.2 檢驗(yàn)方法及合格判據(jù)
第 6 章 輻射式仿真控制技術(shù)
6.1 仿真控制在雷達(dá)對(duì)抗輻射式仿真中的功能需求
6.2 設(shè)計(jì)要點(diǎn)
6.3 實(shí)現(xiàn)及技術(shù)要點(diǎn)
6.3.1 典型實(shí)現(xiàn)方案
6.3.2 技術(shù)要點(diǎn)
6.4 平臺(tái)運(yùn)動(dòng)學(xué)模型
6.5 典型仿真應(yīng)用實(shí)例
6.5.1 測(cè)試準(zhǔn)備
6.5.2 測(cè)試運(yùn)行
6.5.3 測(cè)試評(píng)估
第 7 章 輻射式仿真精度分析
7.1 精度影響因素
7.2 天線(xiàn)陣列與饋電控制誤差因素分析
7.2.1 通道幅相不平衡引起的誤差分析
7.2.2 衰減器最小可分辨率引起的誤差分析
7.2.3 天線(xiàn)陣列上天線(xiàn)位置誤差分析
7.2.4 天線(xiàn)陣列上天線(xiàn)電軸指向誤差分析
7.2.5 電磁泄漏引起的誤差分析
7.3 暗室多路徑傳輸誤差因素分析
7.4 待測(cè)品天線(xiàn)與天線(xiàn)陣列不同心
7.5 轉(zhuǎn)臺(tái)動(dòng)態(tài)精度分析
7.5.1 轉(zhuǎn)臺(tái)傳遞函數(shù)模型的建立
7.5.2 轉(zhuǎn)臺(tái)動(dòng)態(tài)誤差模型的建立
7.5.3 基于頻率特性的轉(zhuǎn)臺(tái)動(dòng)態(tài)精度分析
7.5.4 轉(zhuǎn)臺(tái)對(duì)反輻射武器作戰(zhàn)性能測(cè)試精度影響分析
第 8 章 未來(lái)技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)和展望
8.1 寬帶信號(hào)模擬技術(shù)
8.2 天線(xiàn)陣列數(shù)字化技術(shù)
8.3 射頻信號(hào)光傳輸與控制技術(shù)
8.4 多暗室協(xié)同聯(lián)動(dòng)仿真測(cè)試技術(shù)
參考文獻(xiàn)