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光刻膠材料評測技術(shù):從酚醛樹脂光刻膠到最新的EUV光刻膠

光刻膠材料評測技術(shù):從酚醛樹脂光刻膠到最新的EUV光刻膠

定 價:¥198.00

作 者: (日)關(guān)口淳 著
出版社: 化學(xué)工業(yè)出版社
叢編項:
標(biāo) 簽: 暫缺

ISBN: 9787122438003 出版時間: 2024-04-01 包裝:
開本: 16開 頁數(shù): 字?jǐn)?shù):  

內(nèi)容簡介

  光刻膠是微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一,在模擬半導(dǎo)體、發(fā)光二極管、微機(jī)電系統(tǒng)、太陽能光伏、微流道和生物芯片、光電子器件/光子器件中都有重要的應(yīng)用。本書從光刻技術(shù)基礎(chǔ)知識出發(fā),系統(tǒng)介紹了多種類型光刻膠應(yīng)用工藝、評測技術(shù)。具體包括光刻膠涂布、曝光工藝、曝光后烘烤和顯影技術(shù),以及g線和i線光刻膠、KrF和ArF光刻膠、ArF浸沒式光刻膠、EUV光刻膠等的特征、應(yīng)用工藝及評測技術(shù),希望對國內(nèi)的研究人員有很好的啟發(fā)和指導(dǎo)意義。

作者簡介

  無

圖書目錄

第1章 光刻技術(shù)概述 001 參考文獻(xiàn) 007 第2章 光刻膠的涂覆 008 2.1 光刻膠涂覆裝置 008 2.1.1 絲網(wǎng)印刷涂覆法 008 2.1.2 旋涂法 008 2.1.3 滾涂法 010 2.1.4 膜壓法 010 2.1.5 浸涂法 010 2.1.6 噴涂法 012 2.2 旋涂工藝 013 2.2.1 旋涂工藝流程 013 2.2.2 旋涂工藝影響因素 015 2.3 HMDS處理 021 2.3.1 HMDS處理原理 021 2.3.2 HMDS處理效果 021 2.4 預(yù)烘烤 024 2.5 膜厚評測 026 2.5.1 用高低差測量膜厚(數(shù)微米~500μm) 026 2.5.2 光譜反射儀測量膜厚(50nm~300μm) 026 2.5.3 橢圓偏光計(橢偏計)測量膜厚(1nm~2μm) 028 參考文獻(xiàn) 029 第3章 曝光技術(shù) 030 3.1 曝光設(shè)備概述 030 3.1.1 接觸式對準(zhǔn)曝光 030 3.1.2 近距離對準(zhǔn)曝光 031 3.1.3 鏡面投影曝光 031 3.1.4 縮小的投影曝光系統(tǒng)—步進(jìn)曝光機(jī) 033 3.2 曝光原理 035 3.2.1 近距離曝光的光學(xué)原理 035 3.2.2 步進(jìn)曝光機(jī)的光學(xué)原理 037 3.2.3 獲得高分辨率的方法 039 3.3 光刻膠的感光原理和ABC參數(shù) 041 參考文獻(xiàn) 044 第4章 曝光后烘烤(PEB)和顯影技術(shù) 045 4.1 曝光后烘烤概述 045 4.2 PEB中感光劑的熱分解 047 4.3 PEB法測定感光劑擴(kuò)散長度 048 4.3.1 通過測量顯影速度計算感光劑的擴(kuò)散長度 049 4.3.2 結(jié)果及分析 053 4.3.3 小結(jié) 059 4.4 表面難溶性參數(shù)的計算及評測 059 4.4.1 引言 059 4.4.2 顯影速度測量裝置的高精度化 059 4.4.3 表面難溶性參數(shù)的計算 061 4.4.4 表面難溶性參數(shù)的測量 062 4.4.5 小結(jié) 064 4.5 顯影技術(shù) 064 4.5.1 浸漬顯影 064 4.5.2 噴霧顯影 065 4.5.3 旋覆浸潤顯影 065 4.5.4 緩供液旋覆浸潤顯影 067 參考文獻(xiàn) 069 第5章 g線和i線光刻膠(酚醛樹脂光刻膠)評測技術(shù) 071 5.1 酚醛樹脂光刻膠概述 071 5.1.1 簡介 071 5.1.2 高分辨率要求 072 5.2 利用光刻模擬對酚醛樹脂光刻膠進(jìn)行評測 077 5.2.1 簡介 077 5.2.2 光刻模擬技術(shù) 078 5.2.3 參數(shù)的實測和模擬 082 5.2.4 小結(jié) 094 5.3 利用模擬進(jìn)行工藝優(yōu)化 095 5.3.1 簡介 095 5.3.2 實驗與結(jié)果 095 5.3.3 模擬研究 097 5.3.4 分析與討論 100 5.3.5 小結(jié) 101 參考文獻(xiàn) 101 第6章 KrF和ArF光刻膠評測技術(shù) 103 6.1 KrF光刻膠 103 6.2 化學(xué)增幅型光刻膠的脫保護(hù)反應(yīng) 106 6.2.1 實驗裝置 107 6.2.2 傳統(tǒng)模型的問題以及對Spence模型的探討 108 6.2.3 實驗與結(jié)果 110 6.2.4 新脫保護(hù)反應(yīng)模型的提出和對脫保護(hù)反應(yīng)的分析 113 6.2.5 小結(jié) 117 6.3 曝光過程光刻膠的脫氣 117 6.3.1 利用QCM觀察曝光過程光刻膠質(zhì)量變化 118 6.3.2 利用GC-MS分析曝光過程光刻膠的脫氣 119 6.3.3 利用FT-IR觀察曝光過程的脫保護(hù)反應(yīng) 121 6.3.4 實驗與結(jié)果 121 6.3.5 小結(jié) 127 6.4 ArF光刻膠 127 6.5 PAG的產(chǎn)酸反應(yīng) 131 6.5.1 實驗裝置 132 6.5.2 實驗與結(jié)果 133 6.5.3 分析與討論 135 6.5.4 小結(jié) 138 6.6 ArF光刻膠曝光過程的脫氣 138 6.6.1 脫氣收集設(shè)備和方法 139 6.6.2 實驗與結(jié)果 140 6.6.3 分析與討論 145 6.6.4 小結(jié) 146 6.7 光刻膠在顯影過程中的溶脹 146 6.7.1 實驗儀器 147 6.7.2 減少熱沖擊 148 6.7.3 實驗與結(jié)果 149 6.7.4 可重復(fù)性 151 6.7.5 TBAH顯影劑的溶脹行為 152 6.7.6 小結(jié) 154 6.8 通過香豆素添加法分析PAG的產(chǎn)酸反應(yīng) 154 6.8.1 實驗過程 155 6.8.2 結(jié)果和討論 158 6.8.3 小結(jié) 162 參考文獻(xiàn) 162 第7章 ArF浸沒式光刻膠和雙重圖形化(DP)工藝評測技術(shù) 166 7.1 ArF浸沒式曝光技術(shù) 166 7.2 浸沒式曝光過程的評測—水滲入光刻膠膜與感光度變化 169 7.2.1 浸沒式曝光反應(yīng)分析設(shè)備 170 7.2.2 浸沒式曝光的光刻膠材料評測 172 7.2.3 實驗與結(jié)果 173 7.2.4 小結(jié) 179 7.3 浸沒式曝光過程的評價—對溶出的評測 179 7.3.1 WEXA-2系統(tǒng)和采樣方法 179 7.3.2 分析方法 182 7.3.3 分析系統(tǒng)可靠性驗證 186 7.3.4 實驗與結(jié)果 188 7.3.5 小結(jié) 190 7.4 浸沒式DP曝光技術(shù) 191 7.4.1 LLE方法 192 7.4.2 雙重圖形工藝的評測 194 7.4.3 小結(jié) 195 參考文獻(xiàn) 195 第8章 EUV光刻膠評測技術(shù) 197 8.1 EUV曝光技術(shù) 197 8.2 利用光刻模擬軟件評估EUV光刻膠 200 8.2.1 系統(tǒng)配置 200 8.2.2 實驗與結(jié)果 202 8.2.3 模擬分析 204 8.2.4 小結(jié) 206 8.3 EUV光刻膠的脫保護(hù)反應(yīng) 207 8.3.1 傳統(tǒng)方法的問題 207 8.3.2 與EUVL對應(yīng)的新型脫保護(hù)反應(yīng)分析裝置 209 8.3.3 實驗與結(jié)果 211 8.3.4 小結(jié) 214 8.4 EUV光刻膠脫氣評測 214 8.4.1 脫氣評估裝置概述 215 8.4.2 脫氣評估裝置EUVOM-9000 216 8.4.3 小結(jié) 220 參考文獻(xiàn) 220 第9章 納米壓印工藝的優(yōu)化及評測技術(shù) 222 9.1 使用光固化樹脂進(jìn)行納米壓印的工藝優(yōu)化和評測 222 9.1.1 簡介 222 9.1.2 實驗設(shè)備 223 9.1.3 預(yù)曝光工藝(PEP) 223 9.1.4 實驗與結(jié)果 224 9.1.5 預(yù)曝光方法的影響 226 9.1.6 分析與討論 229 9.1.7 小結(jié) 230 9.2 使用光和熱固化樹脂進(jìn)行納米壓印的工藝優(yōu)化和評測 231 9.2.1 引言 231 9.2.2 SU-8壓印存在的問題 231 9.2.3 工藝條件優(yōu)化 233 9.2.4 實驗過程 238 9.2.5 小結(jié) 241 9.3 無需脫模工藝的復(fù)制轉(zhuǎn)印技術(shù) 241 9.3.1 簡介 241 9.3.2 制作復(fù)制模具(MXL模板) 241 9.3.3 復(fù)制轉(zhuǎn)印實驗 243 9.3.4 實驗結(jié)果 244 9.3.5 復(fù)制轉(zhuǎn)印的尺寸限制 246 9.3.6 小結(jié) 247 9.4 納微米混合結(jié)構(gòu)的一次轉(zhuǎn)印技術(shù) 247 9.4.1 簡介 247 9.4.2 納米壓印機(jī)LTNIP-2000 248 9.4.3 實驗與結(jié)果 250 9.4.4 小結(jié) 253 參考文獻(xiàn) 253

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