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內(nèi)容簡介

　　《銀基半導體光催化劑》共分4章，系統(tǒng)、全面地介紹了銀基半導體光催化材料的制備、表征、性能及催化機理研究，如Ag修飾Bi2GeO5光催化劑、Ag@AgCl/ZnCo2O4光催化劑、Ag@AgBr/Cu2O光催化劑、Ag@AgI/TiO2光催化劑、TiO2/Ag3PO4光催化劑、Ag3PO4/CeO2光催化劑、Bi2MoO6/Ag3PO4光催化劑。本書通過大量的實例進行佐證，強調(diào)邏輯性，合成方法具體，規(guī)律總結(jié)可信。《銀基半導體光催化劑》對銀基半導體光催化劑的設(shè)計及其光催化降解性能研究具有一定的理論研究意義和實際參考價值，適合相關(guān)領(lǐng)域從業(yè)人員參考閱讀。

作者簡介

　　劉文輝，男，1991年生，博士，中北大學，中級職稱。于2019年獲中北大學博士學位，后留校工作。主要從事光催化降解污染物，光電催化方面的研究工作。

圖書目錄

第1章半導體光催化技術(shù)基礎(chǔ)1
1.1半導體光催化技術(shù)概述1
1.1.1光催化技術(shù)簡介1
1.1.2光催化反應(yīng)機理2
1.1.3光催化活性的影響因素3
1.1.4半導體光催化性能的提高途徑9
1.1.5提高光催化材料分離的改性技術(shù)16
1.1.6光催化材料的發(fā)展趨勢17
1.2銀基半導體光催化劑的研究進展17
1.2.1金屬銀沉積和摻雜18
1.2.2鹵化銀及其復(fù)合21
1.2.3銀基金屬及多金屬氧化物23
1.2.4銀基非金屬化合物及其復(fù)合27
1.3銀基半導體光催化材料的應(yīng)用31
1.3.1光催化在能源領(lǐng)域的應(yīng)用31
1.3.2光催化在環(huán)境領(lǐng)域的應(yīng)用43
第2章銀摻雜法銀基半導體光催化劑的制備、表征及其光催化性能研究49
2.1銀摻雜法銀基半導體光催化劑的制備49
2.1.1常用的銀基半導體光催化劑制備方法49
2.1.2Ag修飾Bi2GeO5光催化劑的制備53
2.2銀摻雜法銀基半導體光催化劑的表征54
2.2.1常用的銀基半導體光催化劑表征方法54
2.2.2Ag修飾Bi2GeO5光催化劑的表征59
2.3銀基半導體光催化劑催化性能研究64
2.3.1常用的銀基半導體光催化劑催化性能研究方法64
2.3.2Ag修飾Bi2GeO5光催化劑的性能研究66
2.4銀基半導體光催化劑光催化機理研究69
2.4.1常用的銀基半導體光催化劑催化機理研究方法69
2.4.2Ag修飾Bi2GeO5光催化劑光催化機理研究69
第3章鹵化銀光還原法銀基半導體光催化劑的制備及其光催化性能研究73
3.1Ag@AgCl/ZnCo2O4光催化劑73
3.1.1Ag@AgCl/ZnCo2O4光催化劑的制備74
3.1.2Ag@AgCl/ZnCo2O4光催化劑的表征75
3.1.3Ag@AgCl/ZnCo2O4光催化劑的性能研究79
3.1.4Ag@AgCl/ZnCo2O4光催化劑機理研究82
3.2Ag@AgBr/Cu2O光催化劑84
3.2.1Ag@AgBr/Cu2O光催化劑的制備85
3.2.2Ag@AgBr/Cu2O光催化劑的表征85
3.2.3Ag@AgBr/Cu2O光催化劑的性能研究90
3.2.4Ag@AgBr/Cu2O光催化劑機理研究93
3.3Ag@AgI/TiO2光催化劑95
3.3.1Ag@AgI/TiO2光催化劑的制備95
3.3.2Ag@AgI/TiO2光催化劑的表征96
3.3.3Ag@AgI/TiO2光催化劑的性能研究100
3.3.4Ag@AgI/TiO2光催化劑機理研究103
第4章復(fù)合法銀基半導體光催化劑的制備及其光催化性能研究106
4.1TiO2/Ag3PO4光催化劑107
4.1.1TiO2/Ag3PO4光催化劑的制備109
4.1.2TiO2/Ag3PO4光催化劑的表征109
4.1.3TiO2/Ag3PO4光催化劑的性能研究113
4.2Ag3PO4/CeO2光催化劑116
4.2.1Ag3PO4/CeO2光催化劑的制備117
4.2.2Ag3PO4/CeO2光催化劑的表征117
4.2.3Ag3PO4/CeO2光催化劑的性能研究121
4.3Bi2MoO6/Ag3PO4光催化劑123
4.3.1Bi2MoO6/Ag3PO4光催化劑的制備123
4.3.2Bi2MoO6/Ag3PO4光催化劑的表征124
4.3.3Bi2MoO6/Ag3PO4光催化劑的性能研究129
參考文獻133