集成電路版圖設(shè)計(jì)從入門到精通

第1章 半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)知識     001
1.1 硅制造     001
1.1.1 半導(dǎo)體級硅     002
1.1.2 晶體生長     002
1.1.3 晶圓制造     003
1.1.4 晶圓制造設(shè)備     006
1.2 氧化工藝     008
1.2.1 氧化物生長     008
1.2.2 氧化物去除     009
1.2.3 氧化設(shè)備     010
1.3 摻雜工藝     010
1.3.1 擴(kuò)散     010
1.3.2 離子注入     012
1.3.3 摻雜設(shè)備     012
1.4 薄膜制備工藝     014
1.4.1 物理氣相淀積     014
1.4.2 化學(xué)氣相淀積     014
1.4.3 薄膜制備設(shè)備     015
1.5 光刻技術(shù)     016
1.5.1 光刻膠     016
1.5.2 光刻工藝流程     017
1.6 刻蝕工藝     019
1.6.1 濕法刻蝕     020
1.6.2 干法刻蝕     020
1.6.3 刻蝕設(shè)備     020
1.7 金屬化     022
1.7.1 金屬類型     022
1.7.2 金屬化設(shè)備     025
1.8 化學(xué)機(jī)械平坦化     028
1.8.1 化學(xué)機(jī)械平坦化原理     028
1.8.2 化學(xué)機(jī)械平坦化設(shè)備     028
習(xí)題      031
第2章 典型工藝     032
2.1 標(biāo)準(zhǔn)雙極工藝     033
2.1.1 基本概念     033
2.1.2 工藝流程     033
2.1.3 應(yīng)用器件     034
2.2 CMOS工藝     035
2.2.1 基本概念     035
2.2.2 工藝流程     035
2.2.3 應(yīng)用器件     037
2.3 BiCMOS工藝     038
2.3.1 基本概念     038
2.3.2 工藝流程     038
2.3.3 應(yīng)用器件     039
習(xí)題      040
第3章 操作系統(tǒng)     041
3.1 UNIX操作系統(tǒng)     041
3.2 Linux操作系統(tǒng)     042
3.2.1 Linux操作系統(tǒng)簡介     042
3.2.2 Linux常用操作     043
3.2.3 Linux文件系統(tǒng)     051
3.2.4 Linux文件系統(tǒng)常用工具     052
習(xí)題      053
第4章 Aether軟件與操作指導(dǎo)     054
4.1 Aether軟件介紹     054
4.2 電路圖建立     055
4.2.1 Aether軟件啟動(dòng)     055
4.2.2 庫文件建立     056
4.2.3 電路圖輸入     057
4.2.4 電路圖仿真     063
4.2.5 電路圖層次化設(shè)計(jì)     064
4.3 版圖建立     067
4.3.1 版圖設(shè)計(jì)規(guī)則     067
4.3.2 版圖工具的設(shè)置     068
4.3.3 版圖的編輯     078
習(xí)題      082
第5章 MOS管版圖設(shè)計(jì)     083
5.1 概述     083
5.2 MOS管的結(jié)構(gòu)與版圖層次     084
5.3 MOS管版圖設(shè)計(jì)技巧     086
5.3.1 源漏區(qū)共用     086
5.3.2 特殊尺寸MOS管     088
5.3.3 襯底連接與阱連接     092
5.4 MOS管匹配規(guī)則     094
習(xí)題      098
第6章 電阻的版圖設(shè)計(jì)     099
6.1 電阻的測量     099
6.1.1 寬度和長度     099
6.1.2 方塊電阻（薄層電阻）     100
6.2 電阻版圖     101
6.3 集成電路中的電阻類型     102
6.3.1 基區(qū)電阻     102
6.3.2 發(fā)射區(qū)電阻     102
6.3.3 多晶硅電阻     103
6.3.4 阱電阻     103
6.3.5 擴(kuò)散電阻     103
6.3.6 特殊電阻     104
6.3.7 電流密度     105
6.3.8 MOS管作有源電阻     105
6.4 電阻的寄生效應(yīng)     105
6.5 電阻的匹配     107
習(xí)題      108
第7章 電容的版圖設(shè)計(jì)     109
7.1 電容器的特性     109
7.2 不同類型電容的比較     110
7.2.1 發(fā)射結(jié)電容     110
7.2.2 MOS電容     110
7.2.3 多晶硅-多晶硅電容     111
7.2.4 金屬電容     112
7.2.5 疊層電容     112
7.3 電容的寄生效應(yīng)     113
7.4 電容的匹配     114
習(xí)題      114
第8章 雙極型晶體管版圖設(shè)計(jì)     116
8.1 雙極型晶體管的工作原理     116
8.2 標(biāo)準(zhǔn)雙極型晶體管版圖設(shè)計(jì)     117
8.2.1 標(biāo)準(zhǔn)雙極型NPN晶體管     117
8.2.2 標(biāo)準(zhǔn)雙極型襯底PNP晶體管     120
8.2.3 標(biāo)準(zhǔn)雙極型橫向PNP晶體管     120
8.3 雙極型晶體管匹配設(shè)計(jì)規(guī)則     122
習(xí)題      122
第9章 二極管的版圖設(shè)計(jì)及應(yīng)用      123
9.1 標(biāo)準(zhǔn)雙極工藝二極管     123
9.1.1 基本二極管     123
9.1.2 由雙極型晶體管構(gòu)造的二極管     123
9.1.3 齊納二極管     124
9.2 CMOS工藝二極管     125
9.3 二極管的匹配     126
9.3.1 PN結(jié)二極管匹配     126
9.3.2 齊納二極管匹配     127
9.3.3 肖特基二極管匹配     128
習(xí)題      129
第10章 特殊處理專題     130
10.1 器件合并     131
10.1.1 合理合并     131
10.1.2 風(fēng)險(xiǎn)合并     131
10.2 ESD保護(hù)     133
10.2.1 ESD結(jié)構(gòu)     134
10.2.2 ESD種類     135
10.3 保護(hù)環(huán)     136
10.3.1 保護(hù)環(huán)作用     136
10.3.2 保護(hù)環(huán)種類     137
10.4 失效     141
10.4.1 天線效應(yīng)     141
10.4.2 電氣過應(yīng)力損傷     142
習(xí)題      143
第11章 版圖驗(yàn)證     144
11.1 版圖驗(yàn)證概述     144
11.1.1 版圖驗(yàn)證項(xiàng)目     145
11.1.2 版圖驗(yàn)證工具     146
11.2 Argus DRC驗(yàn)證     147
11.2.1 Argus DRC驗(yàn)證簡介     147
11.2.2 Argus DRC驗(yàn)證步驟     148
11.2.3 Argus DRC驗(yàn)證具體修改方法     149
11.3 Argus LVS驗(yàn)證     150
11.3.1 Argus LVS驗(yàn)證簡介     150
11.3.2 Argus LVS驗(yàn)證步驟     151
11.3.3 Argus LVS驗(yàn)證具體修改方法     154
習(xí)題      156
第12章 后仿真     157
12.1 版圖寄生參數(shù)提取流程     157
12.2 后仿真方法以及步驟     160
12.3 點(diǎn)對點(diǎn)電阻提取     162
習(xí)題      163
第13章 版圖設(shè)計(jì)實(shí)例以及設(shè)計(jì)技巧     164
13.1 CMOS反相器版圖設(shè)計(jì)     165
13.1.1 項(xiàng)目創(chuàng)建     165
13.1.2 CMOS反相器電路圖設(shè)計(jì)     167
13.1.3 CMOS反相器版圖設(shè)計(jì)     170
13.1.4 CMOS反相器版圖驗(yàn)證     173
13.1.5 CMOS反相器版圖優(yōu)化     176
13.2 CMOS D觸發(fā)器版圖設(shè)計(jì)     176
13.2.1 項(xiàng)目創(chuàng)建     177
13.2.2 CMOS D觸發(fā)器電路圖設(shè)計(jì)     177
13.2.3 CMOS D觸發(fā)器版圖設(shè)計(jì)     180
13.2.4 CMOS D觸發(fā)器版圖驗(yàn)證     183
13.2.5 CMOS D觸發(fā)器版圖優(yōu)化     185
13.3 運(yùn)算放大器版圖設(shè)計(jì)     188
13.3.1 項(xiàng)目創(chuàng)建     188
13.3.2 運(yùn)算放大器電路圖設(shè)計(jì)     188
13.3.3 運(yùn)算放大器版圖設(shè)計(jì)     189
13.3.4 運(yùn)算放大器版圖驗(yàn)證     190
13.3.5 運(yùn)算放大器版圖優(yōu)化     192
13.4 帶隙基準(zhǔn)源電路版圖設(shè)計(jì)     192
13.4.1 項(xiàng)目創(chuàng)建     193
13.4.2 帶隙基準(zhǔn)源電路圖設(shè)計(jì)     193
13.4.3 帶隙基準(zhǔn)源電路版圖設(shè)計(jì)     194
13.4.4 帶隙基準(zhǔn)源電路版圖驗(yàn)證     196
13.4.5 帶隙基準(zhǔn)源電路版圖優(yōu)化     198
13.5 比較器版圖設(shè)計(jì)     199
13.5.1 項(xiàng)目創(chuàng)建     199
13.5.2 比較器電路圖設(shè)計(jì)     199
13.5.3 比較器版圖設(shè)計(jì)     200
13.5.4 比較器版圖驗(yàn)證     202
13.5.5 比較器版圖優(yōu)化     204
習(xí)題      205
參考文獻(xiàn)     206