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內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書從光刻機(jī)到下一代光刻技術(shù)，從光刻膠材料到多重圖形化技術(shù)，全面剖析每一步技術(shù)革新如何推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向納米級(jí)精細(xì)加工的新高度。本書共14章，內(nèi)容包括光掩膜、下一代光刻技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)、EUV掩膜技術(shù)、納米壓印技術(shù)、電子束刻蝕技術(shù)與設(shè)備開發(fā)、定向自組裝（DSA）技術(shù)、光刻膠材料的發(fā)展趨勢(shì)、含金屬光刻膠材料技術(shù)、多重圖形化中的沉積和刻蝕技術(shù)、光散射測(cè)量技術(shù)、掃描探針顯微鏡技術(shù)、基于小角度X射線散射的尺寸和形狀測(cè)量技術(shù)、MEMS技術(shù)的微縮圖形化應(yīng)用、原子級(jí)低損傷高精度刻蝕等。本書適合有一定半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)的從業(yè)者閱讀。

作者簡(jiǎn)介

　　李哲洋，博士，研究員，現(xiàn)任懷柔實(shí)驗(yàn)室北京智慧能源研究院功率半導(dǎo)體研究所碳化硅外延材料資深技術(shù)專家。畢業(yè)于南京大學(xué)物理學(xué)院，獲微電子與固體電子學(xué)博士學(xué)位，主要研究方向?yàn)榈谌雽?dǎo)體材料與器件。曾就職于中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所、瀚天天成電子科技（廈門）有限公司和南京大學(xué)，是我國(guó)最早從事第三代半導(dǎo)體材料及器件研究的科研人員之一。主編·作者名單主　編岡崎信次Gigaphoton株式會(huì)社原技術(shù)顧問(wèn)作　者（按照撰寫順序）岡崎信次Gigaphoton株式會(huì)社原技術(shù)顧問(wèn)林直也日本印刷株式會(huì)社精密光電子事業(yè)部研究員石原直東京大學(xué)工學(xué)系研究科首席研究員溝口計(jì)Gigaphoton株式會(huì)社執(zhí)行副社長(zhǎng)/CTO/研究部長(zhǎng)齋藤隆志Gigaphoton株式會(huì)社EUV開發(fā)部常務(wù)執(zhí)行董事EUV開發(fā)部長(zhǎng)山崎卓Gigaphoton株式會(huì)社EUV開發(fā)部副部長(zhǎng)笑喜勉HOYA株式會(huì)社掩膜事業(yè)部第2技術(shù)開發(fā)部主任小寺豐凸版印刷株式會(huì)社綜合研究所科長(zhǎng)森本修佳能株式會(huì)社光學(xué)器材事業(yè)本部半導(dǎo)體器材第三PLM中心半導(dǎo)體器材NGL24設(shè)計(jì)室室長(zhǎng)法元盛久日本印刷株式會(huì)社研究開發(fā)中心主干研究員山田章夫Advantest株式會(huì)社納米技術(shù)事業(yè)本部中山田憲昭Nu Flare Technology株式會(huì)社描畫裝置技術(shù)部參事山下浩Nu Flare Technology株式會(huì)社描畫裝置技術(shù)部光束控制技術(shù)組參事永原誠(chéng)司東京電子株式會(huì)社CTSPS BU 高級(jí)經(jīng)理/首席科學(xué)家上野巧信州大學(xué)光纖創(chuàng)新技術(shù)孵化中心特聘教授鳥海實(shí)境界科技研究所所長(zhǎng)野尻一男Lam Research株式會(huì)社執(zhí)行董事/研究員杉本有俊日立株式會(huì)社高科技電子器件系統(tǒng)事業(yè)統(tǒng)括本部公司顧問(wèn)白崎博公玉川大學(xué)名譽(yù)教授大田昌弘島津制作所株式會(huì)社分析測(cè)量事業(yè)部X射線表面測(cè)量事業(yè)部產(chǎn)品經(jīng)理伊藤義泰Rigaku X射線研究所株式會(huì)社主任技師江刺正喜日本東北大學(xué)微系統(tǒng)融合研究開發(fā)中心主任/教授戶津健太郎日本東北大學(xué)微系統(tǒng)融合研究開發(fā)中心副教授鈴木裕輝夫日本東北大學(xué)微系統(tǒng)融合研究開發(fā)中心助手小島明日本東北大學(xué)微系統(tǒng)融合研究開發(fā)中心研究員池上尚克日本東北大學(xué)微系統(tǒng)融合研究開發(fā)中心研究員宮口裕日本東北大學(xué)微系統(tǒng)融合研究開發(fā)中心研究員越田信義東京農(nóng)工大學(xué)研究生院工學(xué)部特聘教授寒川誠(chéng)二日本東北大學(xué)流體科學(xué)研究所/原子分子材料高等研究所教授

圖書目錄

目　錄
主編·作者名單
緒　言　　半導(dǎo)體微縮圖形化技術(shù)與光刻技術(shù)
?1?? 引言
?2?? 微縮化的指導(dǎo)原則及其效果
?3?? 光刻技術(shù)的發(fā)展及其困難
?4?? 下一代光刻技術(shù)及未來(lái)發(fā)展
第 1 章　光掩膜
1.1　引言
1.2　光掩膜的起源
1.3　光掩膜的結(jié)構(gòu)
1.4　光掩膜的制造工藝
1.5　掩膜版的挑戰(zhàn)及未來(lái)展望
第 2 章　下一代光刻技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
2.1　下一代光刻技術(shù)
2.2　EUV光刻技術(shù)
2.3　電子束刻蝕技術(shù)
2.4　納米壓印技術(shù)
2.5　定向自組裝（Directed　Self Assembly）技術(shù)
第 3 章　 EUV掩膜技術(shù)
3.1　EUV掩膜版制造技術(shù)
3.2　掩膜技術(shù)
第 4 章　納米壓印技術(shù)
4.1　納米壓印設(shè)備
4.2　納米壓印模板技術(shù)
第 5 章　電子束刻蝕技術(shù)與設(shè)備開發(fā)
5.1　可變形電子束刻蝕設(shè)備
5.2　多電子束刻蝕設(shè)備
第 6 章　定向自組裝（DSA）技術(shù)
6.1　引言
6.2　DSA技術(shù)中聚合物的自組裝
6.3　DSA工藝的基本步驟
6.4　DSA工藝相關(guān)材料
6.5　DSA工藝的模擬
6.6　DSA技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和挑戰(zhàn)
6.7　結(jié)語(yǔ)
第 7 章　光刻膠材料的發(fā)展趨勢(shì)
7.1　引言
7.2　光刻膠技術(shù)的轉(zhuǎn)折點(diǎn)
7.3　曝光波長(zhǎng)的縮短和光刻膠的光吸收
7.4　顯影液的演變
7.5　感光膠的感光機(jī)制演變及對(duì)比度提高
7.6　分辨率限制與分子尺寸的考察
7.7　結(jié)語(yǔ)
第 8 章　含金屬光刻膠材料技術(shù)
8.1　初期的含金屬光刻膠
8.2　EUV含金屬光刻膠的特點(diǎn)
8.3　康奈爾大學(xué)、昆士蘭大學(xué)、EIDEC的含金屬光刻膠
8.4　含金屬光刻膠的構(gòu)成
8.5　俄勒岡州立大學(xué)、Inpria公司、IMEC的含金屬光刻膠
8.6　其他含金屬光刻膠
8.7　含金屬光刻膠的功能提升
第 9 章　多重圖形化中的沉積和刻蝕技術(shù)
9.1　多重圖形化中沉積和刻蝕技術(shù)的作用
9.2　沉積技術(shù)
9.3　刻蝕技術(shù)
9.4　結(jié)語(yǔ)
第 10 章　光散射測(cè)量技術(shù)
10.1　引言
10.2　半導(dǎo)體光刻技術(shù)
10.3　反射光測(cè)量技術(shù)
10.4　散射計(jì)
10.5　優(yōu)化方法
10.6　光散射測(cè)量分析的實(shí)例
10.7　結(jié)語(yǔ)
第 11 章　掃描探針顯微鏡技術(shù)
11.1　引言
11.2　AFM的原理
11.3　各種SPM技術(shù)
11.4　SPM的特點(diǎn)
11.5　SPM的應(yīng)用
11.6　結(jié)語(yǔ)
第 12 章　基于小角度X射線散射的尺寸和形狀測(cè)量技術(shù)
12.1　引言
12.2　X射線散射
12.3　小角度X射線散射的測(cè)量方法
12.4　測(cè)量示例
12.5　結(jié)語(yǔ)
第 13 章　 MEMS技術(shù)的微縮圖形化應(yīng)用
13.1　引言
13.2　EUV光源濾波器
13.3　基于有源矩陣納米硅電子源的超大規(guī)模平行電子束刻蝕
13.4　結(jié)語(yǔ)
第 14 章　先進(jìn)刻蝕技術(shù)概要?原子級(jí)低損傷高精度刻蝕
14.1　引言
14.2　中性粒子束生成裝置
14.3　22nm節(jié)點(diǎn)之后的縱向鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管
14.4　無(wú)缺陷納米結(jié)構(gòu)及其特性
14.5　原子層面的表面化學(xué)反應(yīng)控制
14.6　結(jié)語(yǔ)