電子器件輻射效應(yīng)仿真技術(shù)

目錄
叢書序
前言
第1章 緒論 1
1.1 輻射環(huán)境與效應(yīng) 1
1.1.1 空間輻射環(huán)境與效應(yīng) 1
1.1.2 核輻射環(huán)境與效應(yīng) 3
1.2 輻射效應(yīng)評(píng)估手段 4
1.2.1 輻射效應(yīng)試驗(yàn) 4
1.2.2 輻射效應(yīng)仿真 10
1.3 輻射效應(yīng)仿真技術(shù) 10
1.4 小結(jié) 13
參考文獻(xiàn) 14
第2章 總劑量效應(yīng)仿真技術(shù) 16
2.1 總劑量效應(yīng)物理過程 16
2.2 總劑量效應(yīng)器件級(jí)仿真 20
2.2.1 總劑量效應(yīng)器件級(jí)仿真基本流程 20
2.2.2 小尺寸器件總劑量效應(yīng)作用機(jī)制研究 25
2.2.3 總劑量效應(yīng)對(duì)單管*立性的影響研究 30
2.2.4 輻照偏置對(duì)總劑量效應(yīng)敏感性的影響研究 33
2.3 總劑量效應(yīng)電路級(jí)仿真 36
2.3.1 總劑量效應(yīng)電路級(jí)仿真基本流程 36
2.3.2 基準(zhǔn)源電路總劑量效應(yīng)研究 47
2.3.3 SRAM型FPGA總劑量效應(yīng)研究 49
2.4 小結(jié) 54
參考文獻(xiàn) 54
第3章 單粒子效應(yīng)仿真技術(shù) 57
3.1 單粒子效應(yīng)物理過程 57
3.2 單粒子效應(yīng)粒子輸運(yùn)仿真 60
3.2.1 單粒子效應(yīng)粒子輸運(yùn)仿真基本流程 60
3.2.2 重離子核反應(yīng)對(duì)SRAM器件SEU截面的影響研究 62
3.2.3 不同種類粒子引發(fā)的單粒子效應(yīng)敏感性差異研究 64
3.3 單粒子效應(yīng)器件級(jí)仿真 66
3.3.1 單粒子效應(yīng)器件級(jí)仿真基本流程 66
3.3.2 有源區(qū)形狀尺寸變化對(duì)單粒子效應(yīng)敏感性的影響研究 70
3.3.3 單粒子?xùn)糯╇S工藝尺寸減小的趨勢(shì)性變化研究 76
3.3.4 累積輻照對(duì)單粒子翻轉(zhuǎn)敏感性的影響研究 81
3.4 單粒子效應(yīng)電路級(jí)仿真 86
3.4.1 單粒子效應(yīng)電路級(jí)仿真基本流程 86
3.4.2 驅(qū)動(dòng)能力對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元單粒子效應(yīng)敏感性的影響研究 106
3.4.3 版圖結(jié)構(gòu)對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元單粒子效應(yīng)敏感性的影響研究 112
3.4.4 重離子斜入射對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元單粒子效應(yīng)敏感性的影響研究 114
3.5 單粒子效應(yīng)系統(tǒng)級(jí)仿真 123
3.5.1 單粒子效應(yīng)系統(tǒng)級(jí)仿真基本思路 123
3.5.2 SRAM型FPGA單粒子功能中斷截面評(píng)價(jià) 126
3.6 小結(jié) 131
參考文獻(xiàn) 131
第4章 位移損傷仿真技術(shù) 135
4.1 位移損傷物理過程 135
4.2 位移損傷多尺度模擬方法 138
4.2.1 輻照誘發(fā)缺陷計(jì)算 138
4.2.2 缺陷演化和遷移研究 141
4.3 位移損傷粒子輸運(yùn)仿真 142
4.3.1 不同源引發(fā)的位移損傷差異研究 142
4.3.2 CMOS 圖像傳感器位移損傷研究 145
4.4 位移損傷器件級(jí)仿真 147
4.4.1 位移損傷器件級(jí)仿真基本流程 147
4.4.2 位移損傷誘發(fā)雙極晶體管性能退化研究 148
4.4.3 位移損傷誘發(fā)CMOS 圖像傳感器性能退化研究 149
4.5 位移損傷電路級(jí)仿真 150
4.5.1 位移損傷電路級(jí)仿真基本流程 150
4.5.2 利用電路級(jí)仿真計(jì)算模擬電路位移損傷敏感性 151
4.6 小結(jié) 153
參考文獻(xiàn) 153
第5章 瞬時(shí)劑量率效應(yīng)仿真技術(shù) 155
5.1 瞬時(shí)劑量率效應(yīng)物理過程 155
5.2 瞬時(shí)劑量率效應(yīng)器件級(jí)仿真 157
5.2.1 瞬時(shí)劑量率效應(yīng)器件級(jí)仿真基本流程 157
5.2.2 瞬時(shí)劑量率效應(yīng)加固方法有效性驗(yàn)證 157
5.2.3 累積劑量影響瞬時(shí)劑量率效應(yīng)的物理機(jī)制研究 159
5.3 瞬時(shí)劑量率效應(yīng)電路級(jí)仿真 162
5.3.1 瞬時(shí)劑量率效應(yīng)電路級(jí)仿真基本流程 162
5.3.2 典型數(shù)字電路瞬時(shí)劑量率效應(yīng)敏感性計(jì)算 163
5.3.3 典型模擬電路瞬時(shí)劑量率效應(yīng)敏感性計(jì)算 168
5.4 瞬時(shí)劑量率效應(yīng)路軌塌陷現(xiàn)象仿真 169
5.5 小結(jié) 171
參考文獻(xiàn) 171
第6章 輻射效應(yīng)仿真軟件 173
6.1 輻射效應(yīng)仿真相關(guān)的商用軟件 173
6.1.1 Space Radiation軟件 173
6.1.2 Geant4軟件 173
6.1.3 TCAD軟件 174
6.1.4 LAMMPS軟件 175
6.2 國(guó)外自研輻射效應(yīng)仿真軟件 175
6.3 國(guó)內(nèi)自研輻射效應(yīng)仿真軟件 179
6.4 小結(jié) 183
參考文獻(xiàn) 183