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內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　隨著現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展，器件的集成度大規(guī)模提高，各類數(shù)字器件的信號(hào)沿也越來(lái)越陡，已經(jīng)達(dá)到納秒（ns）級(jí)。如此高速的信號(hào)切換對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)者而言，必須考慮在低頻電路設(shè)計(jì)中所無(wú)須考慮的信號(hào)完整性（Signal Integrity）問(wèn)題，如延時(shí)、串?dāng)_、反射及傳輸線之間的耦合等。本書以Cadence Allegro SPB 17.4為基礎(chǔ)，以具體的高速PCB為范例，詳細(xì)講解了高速PCB設(shè)計(jì)知識(shí)、仿真前的準(zhǔn)備工作、約束驅(qū)動(dòng)布局、約束驅(qū)動(dòng)布線、差分對(duì)設(shè)計(jì)、模型與拓?fù)?、板?jí)仿真、AMI生成器、仿真DDR4、集成直流電源解決方案、分析模型管理器和協(xié)同仿真、電源完整性優(yōu)化設(shè)計(jì)、其他增強(qiáng)及AMM和PDC結(jié)合等內(nèi)容。

作者簡(jiǎn)介

　　徐宏偉，內(nèi)蒙古河套灌區(qū)水利發(fā)展中心正高級(jí)（二級(jí)）工程師，負(fù)責(zé)灌區(qū)信息化建設(shè)工作，同時(shí)開(kāi)展與信息化技術(shù)相關(guān)的科研項(xiàng)目。曾先后獲得“全國(guó)先進(jìn)工作者”“自治區(qū)突出貢獻(xiàn)專家” “自治區(qū)‘草原英才’”“自治區(qū)‘北疆工匠’”等40多項(xiàng)市級(jí)及以上榮譽(yù)獎(jiǎng)勵(lì)（其中省、市級(jí)科技進(jìn)步獎(jiǎng)11項(xiàng)），取得專利、軟件著作權(quán)等知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)23項(xiàng)，主（參）編著作3部，發(fā)表論文18篇，編制和發(fā)布地方標(biāo)準(zhǔn)14項(xiàng)。所帶領(lǐng)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)先后獲得“全國(guó)示范性勞模與工匠人才創(chuàng)新工作室”“全國(guó)青年文明號(hào)”等集體榮譽(yù)獎(jiǎng)勵(lì)20多項(xiàng)。

圖書目錄

第1章高速PCB設(shè)計(jì)知識(shí)
1.1 學(xué)習(xí)目標(biāo)
1.2 課程內(nèi)容
1.3 高速PCB設(shè)計(jì)的基本概念
1.4 高速PCB設(shè)計(jì)前的準(zhǔn)備工作
1.5 高速PCB布線
1.6 布線后信號(hào)完整性仿真
1.7 提高抗電磁干擾能力的措施
1.8 測(cè)試與比較
1.9 混合信號(hào)布局技術(shù)
1.10 過(guò)孔對(duì)信號(hào)傳輸?shù)挠绊?
1.11 一般布局規(guī)則
1.12 電源完整性理論基礎(chǔ)
1.13 本章思考題
第2章仿真前的準(zhǔn)備工作
2.1 學(xué)習(xí)目標(biāo)
2.2 分析工具
2.3 IBIS模型
2.4 驗(yàn)證IBIS模型
2.5 預(yù)布局
2.6 PCB設(shè)置
2.7 基本的PCB SI功能
2.8 本章思考題
第3章約束驅(qū)動(dòng)布局
3.1 學(xué)習(xí)目標(biāo)
3.2 相關(guān)概念
3.3 信號(hào)的反射
3.4 串?dāng)_的分析
3.5 時(shí)序分析
3.6 分析工具
3.7 創(chuàng)建總線（Bus）
3.8 預(yù)布局拓?fù)涮崛『头抡?
3.9 前仿真時(shí)序
3.10 模板應(yīng)用和約束驅(qū)動(dòng)布局
3.11 本章思考題
第4章約束驅(qū)動(dòng)布線
4.1 學(xué)習(xí)目標(biāo)
4.2 手工布線
4.3 自動(dòng)布線
4.4 本章思考題
第5章差分對(duì)設(shè)計(jì)
5.1 學(xué)習(xí)目標(biāo)
5.2 建立差分對(duì)
5.3 仿真前的準(zhǔn)備工作
5.4 仿真差分對(duì)
5.5 差分對(duì)約束
5.6 差分對(duì)布線
5.7 后布線分析
5.8 本章思考題
第6章模型與拓?fù)?
6.1 學(xué)習(xí)目標(biāo)
6.2 設(shè)置建模環(huán)境
6.3 調(diào)整飛線顯示與提取拓?fù)?
6.4 本章思考題
第7章板級(jí)仿真
7.1 學(xué)習(xí)目標(biāo)
7.2 預(yù)布局
7.3 規(guī)劃線束
7.4 后布局
7.5 tabbed布線及背鉆
7.6 本章思考題
第8章 AMI生成器
8.1 學(xué)習(xí)目標(biāo)
8.2 配置編譯器
8.3 Tx AMI模型
8.4 Rx AMI模型
8.5 本章思考題
第9章仿真DDR4
9.1 學(xué)習(xí)目標(biāo)
9.2 使用Generator提取模型
9.3 使用SystemSI提取模型
9.4 使用SystemSI對(duì)DDR4仿真
9.5 額外練習(xí)
9.6 本章思考題
第10章集成直流電源解決方案
10.1 學(xué)習(xí)目標(biāo)
10.2 直流電源的設(shè)計(jì)和分析
10.3 交互式運(yùn)行直流分析
10.4 加載仿真結(jié)果報(bào)告和DRC標(biāo)記
10.5 基于Batch模式運(yùn)行PowerDC
10.6 去耦電容的約束設(shè)計(jì)和信息回注
10.7 Power Feasibility Editor中生成 PICSet
10.8 在約束管理器中分配PICSet
10.9 放置去耦電容
10.10 在OPI中電容的最優(yōu)化分布和最優(yōu)化分布數(shù)據(jù)輸出
10.11 在PI Base中去耦電容的放置和更新
10.12 本章思考題
第11章分析模型管理器和協(xié)同仿真
11.1 學(xué)習(xí)目標(biāo)
11.2 在PowerDC中使用DC Settings AMM
11.3 增量布局更新
11.4 封裝信息的協(xié)同提取
11.5 對(duì)于提取出的模型的協(xié)同仿真
11.6 本章思考題
第12章電源完整性優(yōu)化設(shè)計(jì)
12.1 學(xué)習(xí)目標(biāo)
12.2 電容器回路電感
12.3 電源完整性引腳電感
12.4 去耦電容優(yōu)化
12.5 電容器的電磁干擾優(yōu)化
12.6 通過(guò)增加Dcaps來(lái)提高PDN的性能
12.7 本章思考題
第13章其他增強(qiáng)及AMM和PDC結(jié)合
13.1 學(xué)習(xí)目標(biāo)
13.2 電熱分析設(shè)置的增強(qiáng)
13.3 基于AMM的PDC Settings
13.4 本章思考題