星載大功率磁性器件微放電抑制技術(shù)及其應(yīng)用

第1章 緒論
1.1 概述
1.2 基本概念
1.2.1 二次電子倍增效應(yīng)
1.2.2 二次電子發(fā)射特性
1.2.3 電子源
1.2.4 二次電子發(fā)射模型
1.2.5 微放電閾值
1.2.6 單載波、多載波、調(diào)制波微放電
1.3 星載介質(zhì)微放電數(shù)值模擬技術(shù)發(fā)展簡史與技術(shù)難點(diǎn)
1.4 星載介質(zhì)微放電抑制技術(shù)發(fā)展簡史與技術(shù)難點(diǎn)
1.5 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第2章 金屬二次電子發(fā)射特性實(shí)驗(yàn)與模擬
2.1 概述
2.2 金屬二次電子發(fā)射測(cè)量及理論模型
2.2.1 金屬材料二次電子測(cè)量原理與平臺(tái)
2.2.2 基于Vaughan 模型的二次電子發(fā)射特性模擬
2.2.3 基于Furman模型的SEE模擬
2.3 表面形貌對(duì)金屬二次電子發(fā)射影響的實(shí)驗(yàn)與理論研究
2.3.1 隨機(jī)粗糙起伏SEE特性實(shí)驗(yàn)和模型擬合研究
2.3.2 表面微孔隙SEE特性實(shí)驗(yàn)和模型擬合研究
2.4 金屬表面形貌對(duì)微放電影響數(shù)值模擬研究
2.5 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第3章 磁性介質(zhì)二次電子發(fā)射特性模擬與實(shí)驗(yàn)
3.1 概述
3.2 介質(zhì)二次電子發(fā)射測(cè)量及理論模型
3.2.1 介質(zhì)材料二次電子測(cè)量平臺(tái)與原理
3.2.2 基于Vaughan模型的鐵氧體SEE模擬
3.3 磁性介質(zhì)表面混合電磁場(chǎng)分布研究
3.4 具有微結(jié)構(gòu)磁性介質(zhì)二次電子發(fā)射特性模擬研究
3.4.1 介質(zhì)表面微結(jié)構(gòu)中電子軌跡追蹤算法
3.4.2 二次電子發(fā)射模擬中的坐標(biāo)變換
3.4.3 具有微結(jié)構(gòu)磁性介質(zhì)SEY的蒙特卡洛模擬結(jié)果
3.5 具有微結(jié)構(gòu)磁性介質(zhì)SEY實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
3.6 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第4章 基于表面處理技術(shù)的微放電抑制技術(shù)研究
4.1 概述
4.2 基于表面陷阱結(jié)構(gòu)的抑制技術(shù)研究
4.3 基于表面低SEY材料鍍膜的抑制技術(shù)研究
4.4 基于表面復(fù)合處理的抑制技術(shù)研究
4.5 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第5章 石墨烯在星載大功率微波器件微放電抑制中的應(yīng)用研究
5.1 概述
5.2 石墨烯的二次電子發(fā)射特性研究
5.3 微波部件表面石墨烯鍍膜技術(shù)研究
5.4 基于石墨烯鍍膜的二次電子發(fā)射抑制新方法研究