二次電子發(fā)射理論及應(yīng)用

第1章 緒論
1.1 基本概念
1.2 應(yīng)用背景
1.3 研究現(xiàn)狀
1.3.1 二次電子發(fā)射特性約研究
1.3.2 介質(zhì)材料的帶電特性研究
1.3.3 二次電子動(dòng)態(tài)發(fā)射
第2章 二次電子發(fā)射理論模型及測(cè)量
2.1 二次電子發(fā)射數(shù)值理論模型
2.1.1 Vaughan模型
2.1.2 Furman模型
2.1.3 Monte Carlo數(shù)值模型
2.1.4 半物理模型
2.2 二次電子發(fā)射的測(cè)量
2.2.1 金屬材料的二次電子發(fā)射測(cè)量
2.2.2 介質(zhì)材料的二次電子發(fā)射測(cè)量
2.3 典型材料二次電子產(chǎn)額測(cè)量結(jié)果
2.3.1 常見金屬材料的二次電子發(fā)射產(chǎn)額及能譜測(cè)量數(shù)據(jù)
2.3.2 常見介質(zhì)材料的二次電子發(fā)射產(chǎn)額測(cè)量數(shù)據(jù)
第3章 二次電子發(fā)射表面調(diào)控技術(shù)
3.1 表面微結(jié)構(gòu)抑制二次電子發(fā)射
3.1.1 表面構(gòu)型抑制二次電子的基本原理
3.1.2 樣品表面規(guī)則槽結(jié)構(gòu)
3.1.3 收攏式表面陷阱結(jié)構(gòu)
3.1.4 二維嵌套式陷阱結(jié)構(gòu)抑制二次電子發(fā)射
3.1.5 抑制二次電子的表面構(gòu)型技術(shù)工藝
3.2 表面鍍膜調(diào)控二次電子發(fā)射
3.2.1 表面鍍膜技術(shù)調(diào)控SEY的原理
3.2.2 表面鍍膜技術(shù)抑制SEY
3.2.3 表面鍍膜技術(shù)增強(qiáng)SEY
3.2.4 其他技術(shù)
3.2.5 表面鍍膜技術(shù)與表面構(gòu)型技術(shù)的結(jié)合
第4章 介質(zhì)材料的帶電及二次電子動(dòng)態(tài)發(fā)射
4.1 電子照射介質(zhì)材料帶電特性
4.1.1 電荷輸運(yùn)理論及模型
4.1.2 充電動(dòng)態(tài)模擬流程
4.1.3 電子輻照介質(zhì)帶電分布特性
4.2 介質(zhì)帶電下的二次電子發(fā)射動(dòng)態(tài)特性
4.2.1 帶電平衡數(shù)值模型
4.2.2 樣品參數(shù)對(duì)平衡模式的影響
第5章 電子轟擊對(duì)介質(zhì)材料的影響
5.1 電子輻照帶電效應(yīng)下的微波介電特性
5.1.1 多能量電子束輻照
5.1.2 帶電效應(yīng)影響介電常數(shù)
5.1.3 對(duì)DRA的影響
5.2 電子轟擊對(duì)材料表面的影響
5.2.1 放電所需的電子輻照量測(cè)試
5.2.2 表面放電電位數(shù)值模擬
5.2.3 電子轟擊下的表面釋氣
5.2.4 表面化學(xué)鍵與表面形貌