電子學系統(tǒng)輻射效應與加固技術

第l章 輻射環(huán)境
1.1 概述
1.2 人為輻射環(huán)境
1.3 大氣輻射環(huán)境
1.4 空間輻射環(huán)境
1.5 其他輻射環(huán)境
1.6 本章小結
本章參考文獻
第2章 輻射與物質的相互作用
2.1 概述
2.2 荷電粒子與靶物質的相互作用
2.3 光子與物質的相互作用
2.4 中子與靶物質的相互作用
2.5 物質的電離損傷和位移損傷
2.6 本章小結
本章參考文獻
第3章 電子元器件的輻射效應
3.1 概述
3.2 材料的輻射效應
3.3 PN結和二極管、雙極晶體管的輻射效應
3.4 SiO2/Si界面和場效應晶體管的輻射效應
3.5 雙極工藝集成電路的輻射效應
3.6 CMOS集成電路的輻射效應
3.7 光電器件的輻射效應
3.8 其他元器件的輻射效應
3.9 本章小結
本章參考文獻
第4章 多物理響應與多物理場作用
4.1 概述
4.2 多物理響應
4.3 多物理場作用
4.4 本章小結
本章參考文獻
第5章 輻射效應的試驗與測試
5.1 概述
5.2 輻射模擬源
5.3 劑量測量
5.4 宏觀特性參數(shù)測量
5.5 微觀特性參數(shù)測量
5.6 試驗方法
5.7 本章小結
本章參考文獻
第6章 輻射環(huán)境與輻射效應的計算與仿真
6.1 概述
6.2 計算與仿真工具
6.3 輻射感生缺陷建模與仿真
6.4 器件建模與仿真
6.5 電路建模與仿真
6.6 本章小結
本章參考文獻