光學(xué)光刻和極紫外光刻

第1章光刻工藝概述

1.1微型化：　從微電子到納米技術(shù)_1

1.2光刻技術(shù)的發(fā)展史_3

1.3投影光刻機的空間成像_5

1.4光刻膠工藝_10

1.5光刻工藝特性_12

1.6小結(jié)_18

參考文獻_18

第2章投影光刻的成像原理

2.1投影光刻機_20

2.2成像理論_21

2.2.1傅里葉光學(xué)描述_21

2.2.2傾斜照明與部分相干成像_26

2.2.3其他成像仿真方法_30

2.3阿貝瑞利準(zhǔn)則及其影響_30

2.3.1分辨率極限和焦深_31

2.3.2影響_36

2.4小結(jié)_39

參考文獻_39

第3章光刻膠

3.1光刻膠概述、常規(guī)反應(yīng)原理和現(xiàn)象學(xué)描述_42

3.1.1光刻膠的分類_42

3.1.2基于重氮萘醌的光刻膠_45

3.1.3先進的正型化學(xué)放大光刻膠_46

3.1.4現(xiàn)象學(xué)模型_48

3.2光刻膠工藝步驟和建模方法_50

3.2.1技術(shù)方面_50

3.2.2曝光_51

3.2.3曝光后烘焙_54

3.2.4化學(xué)顯影_58

3.3建模方法和緊湊光刻膠模型概述_61

3.4負(fù)型與正型光刻膠材料和工藝_65

3.5小結(jié)_68

參考文獻_69

第4章光學(xué)分辨率增強技術(shù)

4.1離軸照明_74

4.1.1線空圖形的最佳離軸照明形態(tài)_76

4.1.2接觸孔陣列的離軸照明_78

4.1.3從傳統(tǒng)/參數(shù)化的照明形態(tài)到自由照明形態(tài)_80

4.2光學(xué)鄰近效應(yīng)校正_81

4.2.1孤立密集線寬偏差補償_82

4.2.2線端縮短補償_84

4.2.3從基于規(guī)則到基于模型的OPC和反演光刻技術(shù)_85

4.2.4OPC模型和工藝流程_88

4.3相移掩模_89

4.3.1強相移掩模：　交替型相移掩模_90

4.3.2衰減型或弱相移掩模_97

4.4光瞳濾波_100

4.5光源掩模協(xié)同優(yōu)化_102

4.6多重曝光技術(shù)_106

4.7小結(jié)_109

參考文獻_110

第5章材料驅(qū)動的分辨率增強

5.1分辨率極限的回顧_115

5.2非線性雙重曝光_119

5.2.1雙光子吸收材料_119

5.2.2光閾值材料_120

5.2.3可逆對比增強材料_121

5.3雙重和多重成形技術(shù)_124

5.3.1光刻刻蝕光刻刻蝕_124

5.3.2光刻固化光刻刻蝕_125

5.3.3自對準(zhǔn)雙重成形_126

5.3.4雙色調(diào)顯影_127

5.3.5雙重和多重成形技術(shù)的選項_128

5.4定向自組裝_129

5.5薄膜成像技術(shù)_133

5.6小結(jié)_135

參考文獻_135

第6章極紫外光刻

6.1EUV光源_141

6.2EUV和多層膜中的光學(xué)材料特性_143

6.3EUV掩模_146

6.4EUV曝光設(shè)備和圖像形成_151

6.5EUV光刻膠_156

6.6EUV掩模缺陷_157

6.7EUV光刻的光學(xué)分辨率極限_161

6.7.16.xnm波長的超極紫外光刻_162

6.7.2高數(shù)值孔徑EUV光刻_162

6.7.3低k1技術(shù)：　EUV光刻的光學(xué)分辨率增強技術(shù)_166

6.8小結(jié)_167

參考文獻_168

第7章投影成像以外的光刻技術(shù)

7.1非投影式光學(xué)光刻：　接觸式和接近式光刻_176

7.1.1圖像形成和分辨率限制_176

7.1.2技術(shù)實現(xiàn)_179

7.1.3先進的掩模對準(zhǔn)光刻_182

7.2無掩模光刻_186

7.2.1干涉光刻_186

7.2.2激光直寫光刻_189

7.3無衍射限制的光刻_194

7.3.1近場光刻_195

7.3.2利用光學(xué)非線性_198

7.4三維光刻_203

7.4.1灰度光刻_203

7.4.2三維干涉光刻_205

7.4.3立體光刻和三維微刻印_206

7.5淺談無光刻印_209

7.6小結(jié)_210

參考文獻_211

第8章光刻投影系統(tǒng)：　高級技術(shù)內(nèi)容

8.1實際投影系統(tǒng)中的波像差_220

8.1.1波像差的澤尼克多項式表示_221

8.1.2波前傾斜_226

8.1.3離焦像差_226

8.1.4像散_228

8.1.5彗差_229

8.1.6球差_231

8.1.7三葉像差_233

8.1.8澤尼克像差小結(jié)_233

8.2雜散光_234

8.2.1恒定雜散光模型_235

8.2.2功率譜密度（PSD）雜散光模型_236

8.3高數(shù)值孔徑投影光刻中的偏振效應(yīng)_239

8.3.1掩模偏振效應(yīng)_240

8.3.2成像過程中的偏振效應(yīng)_241

8.3.3光刻膠和晶圓堆棧界面的偏振效應(yīng)_243

8.3.4投影物鏡中的偏振效應(yīng)和矢量成像模型_246

8.3.5偏振照明_248

8.4投影光刻機中的其他成像效應(yīng)_250

8.5小結(jié)_250

參考文獻_251

第9章光刻中的掩模和晶圓形貌效應(yīng)

9.1嚴(yán)格電磁場仿真的方法_256

9.1.1時域有限差分法_257

9.1.2波導(dǎo)法_260

9.2掩模形貌效應(yīng)_262

9.2.1掩模衍射分析_263

9.2.2斜入射效應(yīng)_266

9.2.3掩模引起的成像效應(yīng)_268

9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效應(yīng)及緩解策略_272

9.2.5各種三維掩模模型_277

9.3晶圓形貌效應(yīng)_279

9.3.1底部抗反射涂層的沉積策略_279

9.3.2靠近柵極的光刻膠底部殘余_281

9.3.3雙重成形技術(shù)中的線寬變化_282

9.4小結(jié)_283

參考文獻_283

第10章先進光刻中的隨機效應(yīng)

10.1隨機變量和過程_288

10.2現(xiàn)象_291

10.3建模方法_294

10.4依存性及其影響_297

10.5小結(jié)_299

參考文獻_299

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