極紫外光刻

第1章 緒論
1.1  光刻技術(shù)的歷史背景/1 
1.2  光刻技術(shù)的組成部分 /3 
1.3  材料考量和多層膜反射鏡/4 
1.4  一般性問(wèn)題 /11 
習(xí)題/12 
參考文獻(xiàn)/12
第2章  EUV光源
2.1  激光等離子體光源/15 
2.2  放電等離子體光源/28 
2.3  自由電子激光器/32 
習(xí)題/36 
參考文獻(xiàn)/36
第3章  EUV光刻曝光系統(tǒng)
3.1  真空中的EUV光刻/40 
3.2  照明系統(tǒng) /45 
3.3  投影系統(tǒng)/47 
3.4  對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)/52 
3.5  工件臺(tái)系統(tǒng)/53 
3.6  聚焦系統(tǒng) /54 
習(xí)題/55 
參考文獻(xiàn)/56
第4章  EUV掩模
4.1  EUV掩模結(jié)構(gòu)/60 
4.2  多層膜和掩?；迦毕?66 
4.3  掩模平整度和粗糙度/71 
4.4  EUV掩模制作/74 
4.5  EUV掩模保護(hù)膜/75 
4.6  EUV掩模放置盒/83
4.7  其他EUV掩模吸收層與掩模架構(gòu)/85 
習(xí)題/88 
參考文獻(xiàn)/88
第5章  EUV光刻膠
5.1  EUV化學(xué)放大光刻膠的曝光機(jī)制/95 
5.2  EUV光刻中的隨機(jī)效應(yīng)/98 
5.3  化學(xué)放大光刻膠的新概念/108 
5.4  金屬氧化物EUV光刻膠/110 
5.5  斷裂式光刻膠/111 
5.6  真空沉積光刻膠/111 
5.7  光刻膠襯底材料/113 
習(xí)題/114 
參考文獻(xiàn)/115
第6章  EUV計(jì)算光刻
6.1  傳統(tǒng)光學(xué)鄰近校正的考量因素/121 
6.2  EUV掩模的三維效應(yīng)/125 
6.3  光刻膠的物理機(jī)理/133 
6.4  EUV光刻的成像優(yōu)化/135 
習(xí)題/138 
參考文獻(xiàn)/139
第7章  EUV光刻工藝控制
7.1  套刻/144
7.2  關(guān)鍵尺寸控制/149 
7.3  良率 / 151 
習(xí)題/155 
參考文獻(xiàn)/156
第8章  EUV光刻的量測(cè)
8.1  掩模基板缺陷檢測(cè)/160 
8.2  EUV掩模測(cè)評(píng)工具/163 
8.3  量產(chǎn)掩模驗(yàn)收工具/165 
8.4  材料測(cè)試工具/168 
習(xí)題/169 
參考文獻(xiàn)/170
第9章  EUV光刻成本
9.1  晶圓成本 /173 
9.2  掩模成本/181 
習(xí)題/182 
參考文獻(xiàn)/182
第10章 未來(lái)的EUV光刻
10.1  k【能走多低/184 
10.2  更高的數(shù)值孔徑/186 
10.3  更短的波長(zhǎng)/193 
10.4  EUV多重成形技術(shù)/194 
10.5  EUV光刻的未來(lái)/195 
習(xí)題/195 
參考文獻(xiàn)/196
索 引