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極紫外光刻

極紫外光刻

定　價(jià)：￥128.00

作　者： [美]哈利-杰-萊文森（Harry J.Levinson)
出版社： 上?？茖W(xué)技術(shù)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽： 暫缺
ISBN： 9787547857212 出版時(shí)間： 2022-09-01 包裝： 平裝-膠訂
開本： 16開 頁(yè)數(shù)： 字?jǐn)?shù)：  

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　《極紫外光刻》是一本論述極紫外光刻技術(shù)的最新專著。本書全面而又精煉地介紹了極紫外光刻技術(shù)的各個(gè)方面及其發(fā)展歷程，內(nèi)容不僅涵蓋極紫外光源、極紫外光刻曝光系統(tǒng)、極紫外掩模版、極紫外光刻膠、極紫外計(jì)算光刻等方面，而且還介紹了極紫外光刻生態(tài)系統(tǒng)的其他方面，如極紫外光刻工藝特點(diǎn)和工藝控制、極紫外光刻量測(cè)的特殊要求，以及對(duì)技術(shù)發(fā)展路徑有著重要影響的極紫外光刻的成本分析等內(nèi)容。最后本書還討論了滿足未來(lái)的芯片工藝節(jié)點(diǎn)要求的極紫外光刻技術(shù)發(fā)展方向。

作者簡(jiǎn)介

　　哈利•杰•萊文森（Harry J.Levinson），國(guó)際光學(xué)工程學(xué)會(huì)（SPIE）會(huì)士，HJL Lithography 的獨(dú)立光刻顧問(wèn)和首席光刻師，專注于光刻領(lǐng)域多年。曾在Sierra Semiconductor和IBM擔(dān)任過(guò)職位。曾將光刻應(yīng)用于許多不同的技術(shù)，包括雙極存儲(chǔ)器、64MB和256MB DRAM開發(fā)、專用集成電路芯片制造、磁記錄薄膜磁頭、閃存和先進(jìn)邏輯芯片等。曾數(shù)年擔(dān)任美國(guó)光刻技術(shù)工作組主席，參與制定了《國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖》中有關(guān)光刻技術(shù)的章節(jié)。他是硅谷首批SVG-5倍步進(jìn)式光刻機(jī)的用戶之一，也是248nm、193nm和極紫外光刻的早期參與者；撰寫的著作還有：《光刻工藝控制》《光刻原理》，擁有70多項(xiàng)美國(guó)專利。高偉民，阿斯麥公司（ASML）中國(guó)區(qū)技術(shù)總監(jiān)，資深的光刻技術(shù)專家。獲浙江大學(xué)光學(xué)工程學(xué)士學(xué)位和比利時(shí)魯汶大學(xué)物理學(xué)碩士、博士學(xué)位，先后就職于比利時(shí)微電子研發(fā)中心（IMEC）和美國(guó)新思科技（Synopsys）。專注光刻技術(shù)研發(fā)，浸潤(rùn)先進(jìn)光刻技術(shù)研發(fā)20年，參與了從0.13μm到5nm節(jié)點(diǎn)的多世代芯片光刻技術(shù)開發(fā)，擁有15年極紫外光刻技術(shù)研發(fā)的豐富經(jīng)驗(yàn)。還在各種國(guó)際期刊和會(huì)議上發(fā)表了100多篇論文，擔(dān)任多個(gè)國(guó)際會(huì)議組委并多次作邀請(qǐng)演講。

圖書目錄

第1章 緒論
1.1  光刻技術(shù)的歷史背景/1 
1.2  光刻技術(shù)的組成部分 /3 
1.3  材料考量和多層膜反射鏡/4 
1.4  一般性問(wèn)題 /11 
習(xí)題/12 
參考文獻(xiàn)/12
第2章  EUV光源
2.1  激光等離子體光源/15 
2.2  放電等離子體光源/28 
2.3  自由電子激光器/32 
習(xí)題/36 
參考文獻(xiàn)/36
第3章  EUV光刻曝光系統(tǒng)
3.1  真空中的EUV光刻/40 
3.2  照明系統(tǒng) /45 
3.3  投影系統(tǒng)/47 
3.4  對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)/52 
3.5  工件臺(tái)系統(tǒng)/53 
3.6  聚焦系統(tǒng) /54 
習(xí)題/55 
參考文獻(xiàn)/56
第4章  EUV掩模
4.1  EUV掩模結(jié)構(gòu)/60 
4.2  多層膜和掩?；迦毕?66 
4.3  掩模平整度和粗糙度/71 
4.4  EUV掩模制作/74 
4.5  EUV掩模保護(hù)膜/75 
4.6  EUV掩模放置盒/83
4.7  其他EUV掩模吸收層與掩模架構(gòu)/85 
習(xí)題/88 
參考文獻(xiàn)/88
第5章  EUV光刻膠
5.1  EUV化學(xué)放大光刻膠的曝光機(jī)制/95 
5.2  EUV光刻中的隨機(jī)效應(yīng)/98 
5.3  化學(xué)放大光刻膠的新概念/108 
5.4  金屬氧化物EUV光刻膠/110 
5.5  斷裂式光刻膠/111 
5.6  真空沉積光刻膠/111 
5.7  光刻膠襯底材料/113 
習(xí)題/114 
參考文獻(xiàn)/115
第6章  EUV計(jì)算光刻
6.1  傳統(tǒng)光學(xué)鄰近校正的考量因素/121 
6.2  EUV掩模的三維效應(yīng)/125 
6.3  光刻膠的物理機(jī)理/133 
6.4  EUV光刻的成像優(yōu)化/135 
習(xí)題/138 
參考文獻(xiàn)/139
第7章  EUV光刻工藝控制
7.1  套刻/144
7.2  關(guān)鍵尺寸控制/149 
7.3  良率 / 151 
習(xí)題/155 
參考文獻(xiàn)/156
第8章  EUV光刻的量測(cè)
8.1  掩模基板缺陷檢測(cè)/160 
8.2  EUV掩模測(cè)評(píng)工具/163 
8.3  量產(chǎn)掩模驗(yàn)收工具/165 
8.4  材料測(cè)試工具/168 
習(xí)題/169 
參考文獻(xiàn)/170
第9章  EUV光刻成本
9.1  晶圓成本 /173 
9.2  掩模成本/181 
習(xí)題/182 
參考文獻(xiàn)/182
第10章 未來(lái)的EUV光刻
10.1  k【能走多低/184 
10.2  更高的數(shù)值孔徑/186 
10.3  更短的波長(zhǎng)/193 
10.4  EUV多重成形技術(shù)/194 
10.5  EUV光刻的未來(lái)/195 
習(xí)題/195 
參考文獻(xiàn)/196
索 引

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