集成電路測(cè)試基礎(chǔ)

目 錄
第1章 關(guān)于集成電路測(cè)試\t1
1．1 集成電路測(cè)試相關(guān)書(shū)籍和標(biāo)準(zhǔn)推薦\t1
1．2 準(zhǔn)備工作\t2
1．3 一些小約定\t3
1．4 英文縮寫(xiě)\t3
第2章 從理想電路到實(shí)際電路\t7
2．1 實(shí)際的導(dǎo)線\t7
2．1．1 開(kāi)爾文連接\t7
2．1．2 屏蔽與驅(qū)動(dòng)保護(hù)\t11
2．1．3 磁環(huán)與磁珠\t13
2．2 實(shí)際的電阻\t13
2．2．1 電阻的作用\t13
2．2．2 實(shí)際電阻的分壓電路\t14
2．3 實(shí)際的電容\t15
2．3．1 電容的參數(shù)以及影響\t15
2．3．2 實(shí)際電路中的電容\t15
2．3．3 電壓驅(qū)動(dòng)電阻電容（RC）電路的一階系統(tǒng)響應(yīng)\t18
2．4 實(shí)際的電感\(zhòng)t19
2．4．1 電感的作用\t19
2．4．2 實(shí)際電路中的電感\(zhòng)t20
2．5 驅(qū)動(dòng)與負(fù)載\t20
2．5．1 驅(qū)動(dòng)能力的限制\t20
2．5．2 負(fù)載效應(yīng)的影響\t22
2．6 繼電器和電子開(kāi)關(guān)\t23
第3章 電源與測(cè)量的基本電路\t26
3．1 V/I源的基本結(jié)構(gòu)\t26
3．1．1 整體結(jié)構(gòu)\t26
3．1．2 電壓輸出模式\t27
3．1．3 電流輸出模式\t30
3．1．4 波形發(fā)生器模式\t32
3．1．5 V/I源的測(cè)量\t35
3．2 V/I源的限制\t35
3．2．1 輸出穩(wěn)定時(shí)間\t35
3．2．2 反饋?lái)憫?yīng)時(shí)間\t35
3．2．3 高度模型化的V/I源\t36
3．3 ATE的測(cè)量電路\t39
3．3．1 電壓測(cè)量\t39
3．3．2 時(shí)間測(cè)量\t40
3．3．3 掃描測(cè)量\t40
3．4 數(shù)字測(cè)試源\t40
3．4．1 電源供電電路\t40
3．4．2 直流參數(shù)測(cè)量電路\t41
3．4．3 驅(qū)動(dòng)輸出電路\t41
3．4．4 比較輸入電路\t42
3．4．5 有源負(fù)載電路\t43
第4章 測(cè)試程序設(shè)計(jì)要求\t45
4．1 測(cè)試程序的特殊要求\t45
4．2 程序設(shè)計(jì)的風(fēng)格\t46
4．3 程序設(shè)計(jì)的防誤方法\t46
第5章 誤差與校準(zhǔn)\t48
5．1 基于誤差的計(jì)算\t48
5．1．1 基于已有的元件參數(shù)計(jì)算電路誤差\t48
5．1．2 基于規(guī)格允許的誤差選擇元件參數(shù)\t49
5．2 線性校準(zhǔn)的原理與方法\t49
5．3 非線性校準(zhǔn)與數(shù)據(jù)擬合\t53
第6章 模擬信號(hào)調(diào)理基礎(chǔ)\t57
6．1 電壓放大與衰減電路\t57
6．1．1 電壓放大電路\t57
6．1．2 電壓衰減電路\t58
6．2 電壓與電流轉(zhuǎn)換電路\t58
6．2．1 電流電壓轉(zhuǎn)換\t58
6．2．2 電壓電流轉(zhuǎn)換\t59
6．2．3 測(cè)試三極管的VBE\t60
6．3 比較電路\t63
6．3．1 單限比較器\t63
6．3．2 窗口比較器\t63
6．3．3 滯回比較器\t63
6．4 特性提取電路\t65
6．4．1 峰值提取\t65
6．4．2 濾波電路\t66
6．4．3 采樣保持\t67
6．4．4 邊沿檢測(cè)\t67
6．4．5 脈寬檢測(cè)\t68
6．5 信號(hào)修調(diào)電路\t70
6．5．1 鉗位限幅\t70
6．5．2 電平調(diào)整\t70
6．5．3 隔離轉(zhuǎn)換\t72
6．5．4 分頻電路\t73
6．6 相位補(bǔ)償基礎(chǔ)\t73
6．6．1 極點(diǎn)和零點(diǎn)\t73
6．6．2 相位補(bǔ)償理論基礎(chǔ)\t79
6．6．3 運(yùn)放環(huán)路增益精確測(cè)量的兩種方法\t86
6．6．4 相位補(bǔ)償?shù)撵`活運(yùn)用\t93
第7章 數(shù)字信號(hào)處理基礎(chǔ)\t97
7．1 移動(dòng)平均濾波\t97
7．2 卷積與FIR濾波器\t100
7．2．1 卷積\t100
7．2．2 FIR濾波器\t103
7．3 傅里葉變換\t115
7．3．1 離散傅里葉變換和窗函數(shù)濾波器的頻譜\t115
7．3．2 窗函數(shù)解決頻譜泄漏的應(yīng)用\t120
7．3．3 快速傅里葉變換\t120
7．3．4 THD和SNR等頻域參數(shù)的計(jì)算\t126
7．3．5 FFT計(jì)算的注意事項(xiàng)\t130
第8章 測(cè)試方法基礎(chǔ)\t133
8．1 開(kāi)短路（Open-Short）測(cè)試\t133
8．2 接觸（Contact）測(cè)試/開(kāi)爾文（Kelvin）測(cè)試\t134
8．3 LDO的測(cè)試\t135
8．3．1 參考電壓\t136
8．3．2 線性調(diào)整率\t137
8．3．3 負(fù)載調(diào)整率\t138
8．3．4 輸出電流（Iadj）測(cè)試\t138
8．3．5 最小負(fù)載電流\t139
8．3．6 紋波抑制比\t140
8．3．7 輸出短路電流\t141
8．4 運(yùn)算放大器測(cè)試\t142
8．4．1 運(yùn)放的測(cè)試電路\t142
8．4．2 運(yùn)放VIO參數(shù)的測(cè)試\t143
8．4．3 運(yùn)放的CMRR參數(shù)測(cè)試\t145
8．4．4 運(yùn)放的輸入偏置電流測(cè)試\t148
8．4．5 運(yùn)放的其他參數(shù)\t151
8．5 數(shù)字通信測(cè)試\t151
8．5．1 數(shù)字芯片的文檔\t151
8．5．2 數(shù)字IO口的DC參數(shù)\t152
8．5．3 數(shù)字IO口的AC參數(shù)\t152
8．5．4 I2C通信的存儲(chǔ)器\t153
8．5．5 SPI通信的存儲(chǔ)器\t158
第9章 測(cè)試數(shù)據(jù)分析\t164
9．1 基本概念\t164
9．1．1 測(cè)試結(jié)果（Test Result）\t164
9．1．2 接受參照值（Accepted Reference Value）\t164
9．1．3 準(zhǔn)確度（Accuracy）\t164
9．1．4 正確度（Trueness）\t165
9．1．5 偏倚（Bias）\t165
9．1．6 精密度（Precision）\t165
9．1．7 重復(fù)性（Repeatability）\t165
9．1．8 再現(xiàn)性（Reproducibility）\t165
9．1．9 常用數(shù)據(jù)分析方法\t165
9．2 相關(guān)性驗(yàn)證（CORR）\t166
9．3 重復(fù)性與再現(xiàn)性（GRR）\t166
9．3．1 不同配置之間的GRR計(jì)算\t167
9．3．2 儀器驗(yàn)收的GRR計(jì)算\t170
9．4 測(cè)試能力研究（TCS）\t174
9．5 多Sites并行測(cè)試的數(shù)據(jù)驗(yàn)證\t176
9．6 測(cè)試數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)分析圖\t177
9．7 多Sites并行測(cè)試的效率以及UPH計(jì)算\t177
第10章 信號(hào)和電源完整性的簡(jiǎn)介\t179
10．1 方波的傅里葉級(jí)數(shù)\t179
10．2 使用一階RC電路仿真上升沿時(shí)間與帶寬的關(guān)系\t184
10．3 時(shí)域反射計(jì)（TDR）與線長(zhǎng)校準(zhǔn)\t185
10．4 測(cè)試電路的地\t188
第11章 實(shí)訓(xùn)平臺(tái)介紹\t192
11．1 QT-8100測(cè)試系統(tǒng)功能概述\t192
11．1．1 QT-8100測(cè)試系統(tǒng)可測(cè)試的器件類(lèi)型\t192
11．1．2 QT-8100測(cè)試系統(tǒng)適用的測(cè)試過(guò)程\t193
11．1．3 QT-8100測(cè)試系統(tǒng)的基礎(chǔ)配置\t193
11．2 QT-8100測(cè)試系統(tǒng)硬件系統(tǒng)組成\t194
11．2．1 QT-8100測(cè)試系統(tǒng)的整體結(jié)構(gòu)\t194
11．2．2 QT-8100測(cè)試系統(tǒng)的硬件系統(tǒng)框圖\t194
11．2．3 QT-8100測(cè)試系統(tǒng)的主要模塊和板卡\t195
11．2．4 QT-8100測(cè)試系統(tǒng)的機(jī)架結(jié)構(gòu)組成\t204
11．2．5 QT-8100測(cè)試系統(tǒng)的通道資源簡(jiǎn)介\t205
11．2．6 QT-8100測(cè)試系統(tǒng)的背板簡(jiǎn)介\t207
11．2．7 QT-8100測(cè)試系統(tǒng)的培訓(xùn)板簡(jiǎn)介\t208
11．3 QT-8100測(cè)試系統(tǒng)軟件系統(tǒng)組成\t209
第12章 測(cè)試方案開(kāi)發(fā)簡(jiǎn)介\t211
12．1 測(cè)試程序開(kāi)發(fā)流程\t211
12．2 測(cè)試程序的執(zhí)行過(guò)程\t211
12．3 測(cè)試函數(shù)的完整結(jié)構(gòu)\t213
12．4 測(cè)試方案開(kāi)發(fā)流程\t214
第13章 LDO的測(cè)試\t216
13．1 Datasheet與Testplan的分析\t216
13．1．1 Datasheet里的總體性能描述\t216
13．1．2 Datasheet里的電氣特性\t217
13．1．3 Testplan里的測(cè)試規(guī)格\t218
13．1．4 Testplan里的測(cè)試方法\t218
13．2 測(cè)試方案的設(shè)計(jì)與調(diào)試\t222
13．2．1 Open-Short測(cè)試\t222
13．2．2 線性調(diào)整率\t225
13．2．3 負(fù)載調(diào)整率\t227
13．2．4 參考電壓\t230
13．2．5 調(diào)整腳電流\t234
13．2．6 最小負(fù)載電流\t236
13．2．7 最大負(fù)載電流\t239
13．2．8 電源紋波抑制比\t241
第14章 集成運(yùn)算放大器的測(cè)試\t246
14．1 集成運(yùn)算放大器的基本特性\t246
14．1．1 特征\t246
14．1．2 工作模式\t246
14．2 Datasheet的分析\t247
14．2．1 重要特性\t247
14．2．2 引腳定義與封裝\t247
14．2．3 功能原理框圖\t248
14．2．4 電氣特性\t249
14．3 集成運(yùn)算放大器的測(cè)試方法\t250
14．3．1 運(yùn)放的VIO（VOS）參數(shù)測(cè)試\t250
14．3．2 運(yùn)放的CMRR參數(shù)測(cè)試\t250
14．3．3 運(yùn)放的IB（IIB）參數(shù)測(cè)試\t250
14．3．4 運(yùn)放的VOH＆VOL參數(shù)測(cè)試\t251
14．3．5 運(yùn)放的IQ（ICC）參數(shù)測(cè)試\t251
14．3．6 運(yùn)放的PSRR參數(shù)測(cè)試\t251
14．3．7 運(yùn)放的開(kāi)環(huán)電壓增益AVO（AVOL）參數(shù)測(cè)試\t252
14．3．8 運(yùn)放的壓擺率（Slew Rate，SR）參數(shù)測(cè)試\t253
14．4 Test plan的分析\t254
14．5 測(cè)試方案的設(shè)計(jì)\t255
14．5．1 連續(xù)性（Continuity）\t255
14．5．2 靜態(tài)電流IQ\t256
14．5．3 輸出高電平VOH，輸出低電平VOL\t257
14．5．4 輸入失調(diào)電壓（VOS）\t257
14．5．5 輸入偏置電流（IB），輸入失調(diào)電流（IOS）\t258
14．5．6 電源抑制比（PSRR）\t259
14．5．7 共模抑制比（CMRR）\t259
14．5．8 開(kāi)環(huán)放大倍數(shù)AVOL\t259
14．5．9 壓擺率（SR）\t260
14．5．10 ATE的資源分配\t261
14．6 測(cè)試函數(shù)的編寫(xiě)\t261
14．6．1 測(cè)試工程的新建\t261
14．6．2 測(cè)試程序的PIN MAP設(shè)置\t262
14．6．3 測(cè)試程序的Datasheet與Bin設(shè)置\t262
14．6．4 測(cè)試函數(shù)的編寫(xiě)\t263
14．7 測(cè)試程序的調(diào)試\t275
14．7．1 測(cè)試項(xiàng)目的啟動(dòng)\t275
14．7．2 測(cè)試項(xiàng)目的調(diào)試\t275
14．7．3 測(cè)試結(jié)果\t276
第15章 I2C接口的EEPROM存儲(chǔ)器測(cè)試\t277
15．1 Datasheet與Testplan的分析\t277
15．1．1 Datasheet里的總體性能描述\t277
15．1．2 Datasheet里的存儲(chǔ)空間介紹\t278
15．1．3 Datasheet里的物理連接介紹\t280
15．1．4 Datasheet里的I2C總線介紹\t282
15．1．5 Datasheet里的直流參數(shù)含義\t285
15．1．6 Testplan的分析\t286
15．2 測(cè)試方案的設(shè)計(jì)與調(diào)試\t287
15．2．1 測(cè)試電路的設(shè)計(jì)\t287
15．2．2 測(cè)試工程的新建\t287
15．2．3 測(cè)試程序的PIN MAP設(shè)置\t288
15．2．4 測(cè)試程序的Datasheet與Bin設(shè)置\t289
15．2．5 連續(xù)性測(cè)試\t289
15．2．6 IIL/IIH/ISB的測(cè)試\t292
15．2．7 Func_AA的測(cè)試\t295
附錄 采樣定理以及ADC的量化噪聲\t305
參考文獻(xiàn)\t319