電子微組裝可靠性設(shè)計(jì)（應(yīng)用篇）

第1章 概述 （1）
1.1 微組裝可靠性設(shè)計(jì)方法及核心技術(shù)鏈 （1）
1.1.1 失效物理方法及核心技術(shù)鏈 （1）
1.1.2 潛在失效機(jī)理分析 （2）
1.1.3 可靠性設(shè)計(jì)指標(biāo)分解 （3）
1.1.4 潛在失效評(píng)估和優(yōu)化設(shè)計(jì) （4）
1.2 微組裝熱失效及控制方法 （4）
1.2.1 微組裝熱問(wèn)題 （4）
1.2.2 分立器件和元件熱特性 （5）
1.2.3 多熱源組件熱特性 （22）
1.2.4 可靠性熱設(shè)計(jì)方法 （26）
1.3 微組裝力學(xué)損傷及控制方法 （32）
1.3.1 微組裝力學(xué)問(wèn)題 （33）
1.3.2 金屬氣密封裝抗振可靠性要求 （33）
1.3.3 真空電子器件振動(dòng)失效控制 （35）
1.4 微組裝材料和內(nèi)裝元器件的可靠性保證 （35）
1.4.1 微組裝材料的質(zhì)量保證 （36）
1.4.2 裝元器件的可靠性保證 （37）
參考文獻(xiàn) （38）
英文縮略詞及術(shù)語(yǔ) （41）
主要符號(hào)表 （41）
第2章 圖像稀疏表示與壓縮感知概要 （13）
2.1 稀疏表示 （13）
2.1.1 稀疏表示基本原理 （15）
2.1.2 稀疏逼近與優(yōu)化算法 （17）
2.2 字典學(xué)習(xí) （22）
2.2.1 MOD方法 （23）
2.2.2 K-SVD方法 （24）
2.3 由稀疏表示到壓縮感知 （28）
2.3.1 不相干感知與稀疏信號(hào)復(fù)原 （30）
2.3.2 穩(wěn)定壓縮感知 （31）
2.4 代表性應(yīng)用 （35）
2.4.1 稀疏信號(hào)恢復(fù) （35）
2.4.2 模式分析與識(shí)別 （36）
2.5 本章結(jié)語(yǔ) （37）
參考文獻(xiàn) （38）
第3章 金屬氣密封裝HIC抗振可靠性設(shè)計(jì)分析 （104）
3.1 HIC封裝抗振可靠性要求與失效問(wèn)題 （104）
3.1.1 金屬氣密封裝及功能 （104）
3.1.2 氣密封裝抗振可靠性要求 （105）
3.1.3 HIC封裝振動(dòng)損傷和疲勞失效問(wèn)題 （106）
3.2 結(jié)構(gòu)諧振分析方法 （107）
3.2.1 模態(tài)分析和固有頻率 （107）
3.2.2 諧振損傷模式 （108）
3.3 振動(dòng)疲勞分析方法 （109）
3.3.1 金屬疲勞失效及其特點(diǎn) （109）
3.3.2 S-N曲線 （110）
3.3.3 Miner線性疲勞累積損傷理論 （112）
3.3.4 隨機(jī)載荷譜 （113）
3.4 HIC組件振動(dòng)特性模擬與分析 （114）
3.4.1 實(shí)體模型和有限元建模 （114）
3.4.2 HIC組件振動(dòng)模態(tài)模擬 （116）
3.4.3 隨機(jī)振動(dòng)載荷下HIC組件應(yīng)力響應(yīng)模擬 （117）
3.5 HIC組件振動(dòng)模態(tài)及隨機(jī)振動(dòng)試驗(yàn) （121）
3.5.1 振動(dòng)試驗(yàn)夾具設(shè)計(jì) （121）
3.5.2 錘擊法模態(tài)試驗(yàn) （121）
3.5.3 聲頻激勵(lì)法模態(tài)試驗(yàn) （124）
3.5.4 模態(tài)試驗(yàn)與模擬結(jié)果對(duì)比 （127）
3.5.5 隨機(jī)振動(dòng)試驗(yàn) （128）
3.5.6 隨機(jī)振動(dòng)試驗(yàn)與模擬計(jì)算結(jié)果對(duì)比 （128）
3.6 HIC組件隨機(jī)振動(dòng)疲勞壽命預(yù)測(cè) （130）
3.6.1 隨機(jī)振動(dòng)下材料疲勞壽命預(yù)測(cè)方法 （130）
3.6.2 HIC組件隨機(jī)振動(dòng)疲勞壽命預(yù)測(cè)方法 （132）
3.6.3 HIC組件振動(dòng)疲勞壽命預(yù)測(cè) （133）
3.7 HIC封裝振動(dòng)疲勞失效機(jī)理分析 （137）
3.7.1 氣密封裝外殼振動(dòng)疲勞失效模式 （137）
3.7.2 封裝材料振動(dòng)疲勞影響因素分析 （138）
3.7.3 氣密封裝振動(dòng)疲勞失效機(jī)理 （139）
3.8 HIC金屬氣密封裝抗振可靠性設(shè)計(jì)與分析 （140）
3.8.1 平行封焊焊接原理 （140）
3.8.2 平行封焊質(zhì)量與可靠性影響因素 （141）
3.8.3 焊縫寬度與HIC抗振設(shè)計(jì)分析 （143）
3.8.4 蓋板厚度與HIC抗振設(shè)計(jì)分析 （145）
3.8.5 HIC封裝抗振可靠性設(shè)計(jì)解決方案 （147）
參考文獻(xiàn) （149）
英文縮略詞及術(shù)語(yǔ) （151）
主要符號(hào)表 （151）
第4章 行波管抗振可靠性設(shè)計(jì) （152）
4.1 行波管應(yīng)用背景 （152）
4.1.1 真空電子器件 （152）
4.1.2 行波管 （153）
4.1.3 行波管的可靠性問(wèn)題 （155）
4.2 使用環(huán)境分析 （156）
4.3 電子槍組件電參數(shù)和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)指標(biāo) （157）
4.3.1 無(wú)截獲柵控電子槍電參數(shù)和設(shè)計(jì)指標(biāo) （158）
4.3.2 柵控電子槍的結(jié)構(gòu)可靠性設(shè)計(jì) （160）
4.4 抗振可靠性設(shè)計(jì)參考標(biāo)準(zhǔn) （161）
4.4.1 真空電子組件抗振設(shè)計(jì)要求 （161）
4.4.2 相關(guān)標(biāo)準(zhǔn) （161）
4.4.3 真空電子組件振動(dòng)試驗(yàn)內(nèi)容 （162）
4.5 電子槍組件的抗振仿真設(shè)計(jì)方法 （170）
4.5.1 模態(tài)分析 （171）
4.5.2 諧響應(yīng)分析 （174）
4.5.3 譜分析 （174）
4.6 電子槍組件固有振動(dòng)特性分析 （175）
4.6.1 柵控電子槍結(jié)構(gòu)及動(dòng)力學(xué)分析 （175）
4.6.2 結(jié)構(gòu)建模分解及邊界條件處理 （176）
4.6.3 模態(tài)計(jì)算模型 （177）
4.6.4 柵控電子槍的模態(tài)分析及結(jié)果 （178）
4.7 工作狀態(tài)下的電子槍模態(tài)分析 （180）
4.7.1 預(yù)應(yīng)力下模態(tài)分析基本理論 （181）
4.7.2 溫度場(chǎng)仿真分析 （181）
4.7.3 溫度預(yù)應(yīng)力下模態(tài)分析結(jié)果 （184）
4.8 行波管電子槍組件的結(jié)構(gòu)抗振可靠性設(shè)計(jì) （185）
4.8.1 電子槍結(jié)構(gòu)抗振可靠性優(yōu)化設(shè)計(jì) （185）
4.8.2 工藝優(yōu)化設(shè)計(jì)及共振響應(yīng)分析 （191）
4.9 行波管電子槍材料熱物理性能參數(shù) （195）
4.9.1 熱導(dǎo)率、熱膨脹系數(shù)、彈性模量 （195）
參考文獻(xiàn) （198）
英文縮略詞及術(shù)語(yǔ) （200）
主要符號(hào)表 （200）
第5章 微組裝裸芯片篩選與可靠性評(píng)價(jià) （202）
5.1 KGD技術(shù) （202）
5.1.1 KGD生產(chǎn)流程 （203）
5.1.2 KGD老煉方法 （205）
5.2 KGD技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用 （207）
5.2.1 KGD技術(shù)發(fā)展 （207）
5.2.2 KGD測(cè)試方法和條件 （209）
5.2.3 KGD技術(shù)標(biāo)準(zhǔn) （213）
5.3 組裝芯片的KGD流程 （215）
5.4 半導(dǎo)體芯片失效機(jī)理、缺陷與可靠性篩選項(xiàng)目 （217）
5.4.1 主要失效機(jī)理和缺陷 （217）
5.4.2 失效模式與可靠性篩選 （217）
5.4.3 可靠性篩選項(xiàng)目確定原則 （218）
5.5 裸芯片老煉篩選與評(píng)價(jià)技術(shù) （222）
5.5.1 裸芯片篩選流程 （222）
5.5.2 老煉篩選應(yīng)力條件 （222）
5.5.3 質(zhì)量保證要求 （226）
5.6 裸芯片臨時(shí)封裝夾具系統(tǒng) （227）
5.6.1 分立器件裸芯片臨時(shí)封裝KGD夾具系統(tǒng) （229）
5.6.2 微波裸芯片臨時(shí)封裝KGD夾具系統(tǒng) （235）
5.7 分立器件裸芯片老煉篩選與可靠性評(píng)價(jià)案例 （240）
5.7.1 裸芯片抗氧化防護(hù) （241）
5.7.2 脈沖老煉電路設(shè)計(jì) （241）
5.7.3 高溫烘焙與溫度循環(huán)試驗(yàn) （243）
5.7.4 裸芯片裝配和電參數(shù)測(cè)量 （243）
5.7.5 高溫柵偏壓試驗(yàn) （245）
5.7.6 串行脈沖功率老煉試驗(yàn) （246）
5.7.7 評(píng)價(jià)結(jié)果與分析 （247）
參考文獻(xiàn) （249）
英文縮略詞及術(shù)語(yǔ) （250）
第6章 基于失效物理的元器件故障樹(shù)構(gòu)建方法及應(yīng)用 （251）
6.1 元器件故障樹(shù)分析需求和問(wèn)題 （251）
6.1.1 失效分析、根因分析和歸零分析 （252）
6.1.2 可靠性設(shè)計(jì)分析 （253）
6.2 故障樹(shù)分析相關(guān)標(biāo)準(zhǔn) （254）
6.2.1 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和國(guó)家軍用標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn) （254）
6.2.2 IEC標(biāo)準(zhǔn) （255）
6.2.3 NASA應(yīng)用手冊(cè) （256）
6.3 故障樹(shù)、故障事件及其演繹邏輯 （257）
6.3.1 故障樹(shù)模式 （258）
6.3.2 故障事件和分辨極限 （261）
6.3.3 邏輯門 （262）
6.3.4 故障事件的演繹邏輯 （263）
6.4 基于失效物理的元器件故障樹(shù)構(gòu)建方法 （266）
6.4.1 失效物理過(guò)程事件及邏輯關(guān)系 （267）
6.4.2 基于失效物理的故障樹(shù)構(gòu)建方法 （272）
6.4.3 故障樹(shù)簡(jiǎn)化和驗(yàn)證 （276）
6.5 元器件多態(tài)故障樹(shù)及元器件故障信息庫(kù) （279）
6.5.1 混合集成電路多態(tài)故障樹(shù) （279）
6.5.2 系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）組件多態(tài)故障樹(shù) （282）
6.5.3 密封電磁繼電器多態(tài)故障樹(shù) （284）
6.5.4 低頻電連接器多態(tài)故障樹(shù) （289）
6.5.5 以故障樹(shù)為載體的元器件故障信息庫(kù)構(gòu)建 （291）
6.6 元器件FTA及可靠性設(shè)計(jì)應(yīng)用 （293）
6.6.1 故障樹(shù)分析基本方法 （293）
6.6.2 FTA在可靠性設(shè)計(jì)分析中的應(yīng)用 （298）
6.6.3 FTA在質(zhì)量問(wèn)題歸零分析中的應(yīng)用 （299）
6.6.4 元器件故障樹(shù)分析應(yīng)用案例 （300）
參考文獻(xiàn) （304）
英文縮略詞及術(shù)語(yǔ) （305）
附錄A 基于失效物理的可靠性預(yù)測(cè)方法與標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)狀 （307）
A.1 技術(shù)發(fā)展與標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)狀 （307）
A.2 標(biāo)準(zhǔn)采納的失效物理模型及應(yīng)用特點(diǎn) （307）
A.3 標(biāo)準(zhǔn)方法和模型的演變 （309）
參考文獻(xiàn) （321）
附錄B 多熱源組件熱性能指標(biāo)及評(píng)價(jià)方法 （322）
引言 （322）
B.1 范圍 （323）
B.2 規(guī)范性引用文件 （323）
B.3 術(shù)語(yǔ)和定義 （323）
B.4 熱性能指標(biāo) （330）
B.5 熱性能檢測(cè)方法 （335）
B.6 熱性能評(píng)價(jià)方法 （338）
B.7 芯片并列式MCM熱模型與熱評(píng)價(jià)案例 （343）
B.8 芯片疊層式MCM熱模型與熱分析示例 （348）
B.9 半導(dǎo)體器件熱降額應(yīng)用分析示例 （350）
參考文獻(xiàn) （352）
附錄C 電子元器件故障樹(shù)分析方法與程序 （354）
引言 （354）
C.1 范圍 （354）
C.2 規(guī)范性引用文件 （355）
C.3 術(shù)語(yǔ)和定義 （355）
C.4 一般要求 （358）
C.5 詳細(xì)要求 （360）
C.6 元器件故障樹(shù)符號(hào)、事件標(biāo)號(hào)和子樹(shù)代號(hào)說(shuō)明 （369）
C.7 元器件故障樹(shù)分析應(yīng)用案例 （371）
參考文獻(xiàn) （371）