半導(dǎo)體光物理過程

第1章 半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)和電子能量狀態(tài)
1.1 能帶結(jié)構(gòu)
1.2 能量在動(dòng)量空間的分布
1.3 晶體波函數(shù)與能帶分析
1.4 費(fèi)米能級(jí)與能量色散
1.5 導(dǎo)體、半導(dǎo)體、絕緣體
1.6 半導(dǎo)體載流子濃度
1.7 半導(dǎo)體中的雜質(zhì)能態(tài)
1.8 帶尾態(tài)
1.9 激子
1.10 半導(dǎo)體合金中的能態(tài)
第2章 半導(dǎo)體的光吸收
2.1 本征吸收
2.2 非本征吸收
2.3 光吸收中的躍遷
第3章 半導(dǎo)體的光學(xué)常數(shù)
3.1 麥克斯韋方程組與波動(dòng)方程
3.2 反射系數(shù)、透射系數(shù)與折射系數(shù)
3.3 吸收系數(shù)與折射率、消光系數(shù)
3.4 Kramers-Kronig relations簡(jiǎn)介
3.5 干涉效應(yīng)
第4章 半導(dǎo)體的外場(chǎng)效應(yīng)
4.1 壓力效應(yīng)
4.2 溫度效應(yīng)
4.3 電場(chǎng)效應(yīng)
4.4 磁場(chǎng)效應(yīng)
4.5 霍爾效應(yīng)
4.6 磁阻效應(yīng)
4.7 熱磁效應(yīng)
第5章 半導(dǎo)體中的光發(fā)射
5.1 光發(fā)射的速率
5.2 Van Roosbroeck-Shockley關(guān)系
5.3 輻射復(fù)合幾率與壽命
5.4 輻射效率
5.5 光發(fā)射形式
第6章 半導(dǎo)體的輻射與非輻射復(fù)合
6.1 輻射復(fù)合
6.2 非輻射復(fù)合過程
第7章 氧化物薄膜半導(dǎo)體特性
7.1 氧化鋅（ZnO）薄膜的特性
7.2 氧化鎵（Ga2O2）薄膜的特性
7.3 氧化物摻雜合金薄膜的特性
第8章 PN結(jié)中的光電過程
8.1 PN結(jié)的性質(zhì)
8.2 PN結(jié)正向偏壓與效應(yīng)
8.3 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)
8.4 PN結(jié)的反向偏壓與擊穿
第9章 半導(dǎo)體光生伏特效應(yīng)
9.1 PN結(jié)的光生伏特效應(yīng)
9.2 肖特基勢(shì)壘的光生伏特效應(yīng)
9.3 體光生伏特效應(yīng)
9.4 反常光生伏特效應(yīng)
9.5 其他光生伏特效應(yīng)
9.6 太陽(yáng)能電池的發(fā)展趨勢(shì)
第10章 半導(dǎo)體的自發(fā)輻射和受激輻射
10.1 半導(dǎo)體的自發(fā)輻射
10.2 半導(dǎo)體的受激輻射
10.3 半導(dǎo)體受激光輻射的條件
第11章 半導(dǎo)體激光器
11.1 半導(dǎo)體激光器的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
11.2 半導(dǎo)體激光器的光電特性
11.3 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)激光器的分類及特性
11.4 半導(dǎo)體激光器的制備工藝
第12章 半導(dǎo)體太赫茲技術(shù)與應(yīng)用
12.1 太赫茲概述
12.2 太赫茲發(fā)射器
12.3 太赫茲的探測(cè)方法
12.4 太赫茲應(yīng)用
參考文獻(xiàn)