前言
第1章
半導體量子點形貌結構特征
引言
1.1 界面漲落量子點
1.2 自組織量子點
1.3 耦合量子點
1.4 微腔中的量子點
1.5 新型雜化量子點
參考文獻
第2章
半導體量子點基本相干特性和單量子點探測技術
引言
2.1 半導體量子點基本相干特性
2.2 單量子點探測技術
參考文獻
第3章
半導體量子點激子量子比特旋轉及其品質因子
引言
3.1 量子比特旋轉基本概念
3.2 半導體量子點激子量子比特自由旋轉品質因子Q0
3.3 半導體量子點激子量子比特Rabi振蕩品質因子QR
3.4 Rabi振蕩退相干機制的分析
參考文獻
第4章
半導體量子點中的量子邏輯運算
引言
4.1 量子邏輯門和量子算法基本概念
4.2 單個半導體量子點中實現(xiàn)控制旋轉門CROT
4.3 利用量子交換操作實現(xiàn)兩個量子比特態(tài)上的粒子數(shù)交換
4.4 半導體量子點中Deutsch-Jozsa量子邏輯運算
4.5 三量子比特Toffoli門操作
參考文獻
第5章
半導體量子點中激子自旋弛豫和自旋交換
引言
5.1 半導體量子點中能級解簡并與線偏振本征態(tài)及其激子自旋
5.2 半導體量子點中激子自旋弛豫特性
5.3 利用Uf控制門實現(xiàn)激子自旋交換
參考文獻
第6章
半導體量子點單光子發(fā)射
引言
6.1 光發(fā)射統(tǒng)計特性基本概念
6.2 連續(xù)激發(fā)下單光子發(fā)射
6.3 脈沖激發(fā)下單光子發(fā)射
6.4 脈沖激發(fā)下交叉偏振單光子發(fā)射
6.5 由脈沖激發(fā)過渡到連續(xù)激發(fā)
6.6 半導體量子點單光子發(fā)射實驗觀測
6.7 半導體量子點單光子源的研究進展