III族氮化物半導(dǎo)體材料及其在光電和電子器件中的應(yīng)用

目錄
第1章Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料的基本性質(zhì)1
11Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)和能帶1
12Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體的基本性質(zhì)3
1.3Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體的極化特性3
1.4Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)中的特殊效應(yīng)5
1.4.1極化電荷誘導(dǎo)界面二維電子氣（2DEG）5
1.4.2量子限制斯塔克效應(yīng)6
1.5Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體及其異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的外延生長方法6
1.5.1MOCVD外延法6
1.5.2MBE外延法8
1.5.3HVPE外延法9
1.6外延襯底的選擇11
1.6.1GaN襯底11
1.6.2藍(lán)寶石襯底11
1.6.3SiC襯底12
1.6.4Si襯底12
本章參考文獻(xiàn)12
第2章Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料物理性質(zhì)的表征方法14
2.1高分辨X射線衍射14
2.1.1X射線衍射基本原理14
2.1.2高分辨X射線衍射技術(shù)15
2.1.3高分辨X射線衍射儀簡介16
2.2透射電子顯微鏡17
2.2.1透射電子顯微技術(shù)的基本原理17
2.2.2透射電子顯微鏡的基本構(gòu)造18
2.2.3透射電子顯微鏡的工作原理19
2.3掃描電子顯微鏡21
2.3.1掃描電子顯微鏡的基本原理22
2.3.2掃描電子顯微鏡的基本構(gòu)造23
2.3.3掃描電子顯微鏡的工作原理24
2.4原子力顯微鏡25
2.4.1原子力顯微鏡的基本原理25
2.4.2原子力顯微鏡的基本構(gòu)造26
2.4.3原子力顯微鏡的工作原理27
2.5光學(xué)檢測(cè)技術(shù)28
2.5.1光致發(fā)光譜28
2.5.2電致發(fā)光譜29
2.5.3拉曼光譜30
2.6基本電學(xué)表征技術(shù)32
2.6.1霍爾測(cè)試技術(shù)32
2.6.2電容電壓測(cè)試技術(shù)37
2.7缺陷能級(jí)表征技術(shù)43
2.7.1深能級(jí)瞬態(tài)譜43
2.7.2熱激電流譜49
2.7.3電流瞬態(tài)譜51
本章參考文獻(xiàn)52
第3章Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體在光電器件中的應(yīng)用舉例55
3.1GaN基發(fā)光二極管55
3.1.1發(fā)光二極管55
3.1.2GaN基藍(lán)光LED59
3.1.3GaN基黃、綠光LED67
3.1.4GaN基紫外和深紫外LED69
3.2GaN基激光器74
3.2.1半導(dǎo)體激光器74
3.2.2GaN基邊緣發(fā)射激光器（EEL）79
3.2.3GaN基垂直腔面發(fā)射激光器81
3.3GaN基光電探測(cè)器83
3.3.1半導(dǎo)體光電探測(cè)器83
3.3.2GaN基光電探測(cè)器85
本章參考文獻(xiàn)99
第4章Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體在電子器件中的應(yīng)用舉例103
4.1GaN基高電子遷移率晶體管及其可靠性研究104
4.1.1HEMT器件的工作原理105
4.1.2增強(qiáng)型HEMT器件的實(shí)現(xiàn)方法109
4.1.3GaN HEMT的應(yīng)用現(xiàn)狀111
4.1.4GaN基HEMT的可靠性問題112
4.2GaN基垂直結(jié)構(gòu)器件138
4.2.1垂直GaN基功率二極管139
4.2.2垂直GaN基功率晶體管142
本章參考文獻(xiàn)144