金剛石膜制備與物性研究及應(yīng)用

1 緒論
1．1 金剛石的晶體結(jié)構(gòu)
1．2 金剛石的性能及應(yīng)用
1．2．1 力學(xué)性能及應(yīng)用
1．2．2 熱學(xué)性能及應(yīng)用
1．2．3 電學(xué)性能及應(yīng)用
1．2．4 光學(xué)性能及應(yīng)用
1．2．5 化學(xué)性能及應(yīng)用
1．2．6 生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域
1．3 金剛石的分類
1．4 化學(xué)氣相沉積金剛石膜的研究進展及發(fā)展前景
參考文獻
2 CVD金剛石的成膜機理及制備方法
2．1 CVD法生長金剛石膜的機理
2．2 CVD金剛石膜的制備方法簡介
2．2．1 熱絲CVD法
2．2．2 微波等離子體CVD法
2．2．3 等離子體噴射CVD法
2．2．4 電子回旋共振CVD法
2．2．5 燃燒火焰輔助CVD法
參考文獻
3 金剛石膜的制備設(shè)備和表征手段
3．1 直流熱陰極PCVD實驗裝置及實驗準(zhǔn)備
3．1．1 直流熱陰極PCVD實驗裝置
3．1．2 直流輝光放電等離子體原理
3．1．3 實驗準(zhǔn)備及樣品的制備
3．2 金剛石膜的形貌、結(jié)構(gòu)和性能表征
3．2．1 掃描電子顯微鏡（SEM）
3．2．2 X射線衍射分析儀（XRD）
3．2．3 激光拉曼光譜儀（Raman）
3．2．4 霍爾效應(yīng)測試儀（Hall）
3．2．5 原子力顯微鏡
3．2．6 透射電子顯微鏡（TEM）
3．2．7 金相顯微鏡
參考文獻
4 CH4/H2氣氛下金剛石膜生長特性研究
4．1 壓強對金剛石膜生長特性的影響
4．1．1 較高CH4濃度下壓強對金剛石膜生長特性的影響
4．1．2 較低CH4濃度下壓強對金剛石膜生長特性的影響
4．2 襯底溫度對金剛石膜生長特性的影響
4．2．1 SEM分析
4．2．2 Raman分析
4．2．3 XRD分析
4．2．4 綜合分析
4．3 CH4流量對金剛石膜生長特性的影響
4．3．1 SEM分析
4．3．2 Raman分析
4．3．3 XRD分析
4．3．4 綜合分析
4．4 本章小結(jié)
參考文獻
5 低溫低壓下納米金剛石膜的制備及性能分析
5．1 樣品的制備
5．2 結(jié)果與討論
5．2．1 SEM分析
5．2．2 Raman分析
5．2．3 XRD分析
5．3 本章小結(jié)
參考文獻
6 氮摻雜金剛石膜的制備與性能研究
6．1 金剛石膜的摻雜研究概述
6．2 氮源性質(zhì)簡介
6．3 C3H6N6流量對金剛石膜的生長特性影響研究
6．3．1 SEM分析
6．3．2 Raman分析
6．3．3 XRD分析
6．3．4 電學(xué)性能分析
6．4 N2流量對金剛石膜生長特性影響研究
6．4．1 SEM分析
6．4．2 Raman分析
6．4．3 XRD分析
6．4．4 電學(xué)性能分析
6．5 NH3對金剛石膜生長特性影響研究
6．5．1 SEM分析
6．5．2 Raman分析
6．5．3 XRD分析
6．5．4 電學(xué)性能分析
6．6 Ar氣濃度對氮摻雜金剛石膜的生長特性影響
6．6．1 SEM分析
6．6．2 Raman分析
6．6．3 XRD分析
6．6．4 不同Ar/H2流量比對納米晶金剛石膜電學(xué)性能的影響
6．7 本章小結(jié)
參考文獻
7 金剛石膜的高溫氧化
7．1 金剛石氧化現(xiàn)象和機理
7．1．1 CVD金剛石膜的氧化現(xiàn)象
7．1．2 CVD金剛石膜的氧化機理
7．2 高溫氧化對金剛石膜的性能的影響
7．3 影響金剛石膜氧化性能的因素
參考文獻
8 金剛石膜壓力傳感器
8．1 金剛石傳感器的相關(guān)技術(shù)
8．1．1 金剛石膜的圖形化技術(shù)
8．1．2 金屬化（金剛石傳感器的歐姆接觸）
8．2 壓阻式金剛石膜壓力傳感器
8．2．1 壓阻式傳感器基本原理
8．2．2 壓阻式金剛石壓力傳感器的制造
8．2．3 壓阻式金剛石壓力傳感器研究現(xiàn)狀及存在問題
參考文獻
9 金剛石膜電極的電化學(xué)應(yīng)用
9．1 金剛石膜電極優(yōu)勢
9．2 電化學(xué)污水處理
9．3 離子水洗衣機
9．4 電化學(xué)分析檢測
9．4．1 COD的檢測
9．4．2 醫(yī)用藥品的檢測
9．4．3 金屬元素及其他無機物的檢測
9．4．4 生物傳感器領(lǐng)域的應(yīng)用
9．4．5 農(nóng)藥殘留以及食品添加劑的檢測
參考文獻