新型瞬態(tài)電真空半導體光電子器件與技術

第1章 緒論
1．1 光電子器件的瞬態(tài)
1．2 半導體紫外光發(fā)射器研究現(xiàn)狀與進展
1．3 真空半導體器件瞬態(tài)優(yōu)勢與艾里光束的非線性瞬態(tài)調制技術
第2章 寬禁帶半導體電光器件瞬時激射
2．1 異質結器件電瞬時發(fā)光機理
2．2 異質結薄膜的MIS結紫外光發(fā)射器件
2．2．1 波長調控機理
2．2．2 器件制備流程與工藝
2．2．3 異質結薄膜MIS結制備
2．2．4 MIS結光發(fā)射器件的電泵浦隨機激光
2．3 波長可調的紫外電致發(fā)光和隨機激光
2．3．1 MIS結光發(fā)射器件的制備
2．3．2 波長可調的電致發(fā)光和隨機激光
2．3．3 電致發(fā)光機制與討論
2．4 MIS結激光二極管的瞬態(tài)技術
2．4．1 納米線陣列的水熱合成與物性
2．4．2 納米線性能提升
2．4．3 納米線的光學和電學輸運性質
2．4．4 納米線的電泵浦受激發(fā)射和機制
2．5 本章小結
第3章 電真空光電倍增與復合探測原理
3．1 電真空光電倍增器件復合探測的應用背景與原理
3．1．1 復合探測的應用背景
3．1．2 復合探測原理
3．2 微通道空間波導陽極復合探測器件
3．2．1 復合波導陽極結構與工作原理
3．2．2 復合波導陽極設計原理與特性
3．3 器件級電子光學系統(tǒng)設計、工藝與驗證
3．3．1 器件級工藝與實現(xiàn)
3．3．2 復合探測原理性驗證
3．4 微通道空間復合波導柵型復合探測器件
3．5 本章小結
第4章 EBAPS瞬時光電倍增器件
4．1 EBAPS的基本結構及原理
4．2 入射光電子在電子倍增層中的散射模型
4．2．1 入射光電子的運動軌跡基本模型
4．2．2 散射截面
4．2．3 非彈性散射的能量損失
4．2．4 坐標系變換
4．2．5 計算機模擬電子運動軌跡的物理模型
4．3 EBAPS中電子倍增層內電子散射特性的影響因素
4．3．1 入射光電子能量對電子散射特性的影響研究
4．3．2 死層厚度與能量損失率的關系
4．3．3 摻雜濃度對倍增層內電子散射特性的影響
4．3．4 入射光電子束直徑與電子散射特性的關系研究
4．3．5 倍增電子分布模擬研究
4．4 EBAPS電荷收集效率理論模擬與測試方法
4．4．1 基底均勻下EBAPS電荷收集效率理論模擬研究
4．4．2 基底梯度摻雜下EBAPS電荷收集效率理論模擬研究