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內容簡介

　　軍用電子元器件在新軍事變革與武器裝備信息化、智能化發(fā)展中發(fā)揮著極為重要的作用，發(fā)達國家已將電子元器件視為重要戰(zhàn)略資源，積極推動電子元器件技術特別是前沿技術的發(fā)展，以維持或加大武器裝備技術的“代差”優(yōu)勢，掌握未來戰(zhàn)爭主動權。為幫助廣大讀者全面、深入地了解軍用電子元器件技術發(fā)展的新動向，我們組織中國電子科技集團公司第十一研究所、第十二研究所、第十三研究所、第四十九研究所等專業(yè)研究所，以及中國科學院半導體研究所、中國工程物理研究院應用電子學研究所、中國兵器工業(yè)集團第二一一研究所、中國久遠高新技術裝備公司、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院、北京郵電大學等有關單位研究人員，共同編撰了《軍用電子元器件領域科技發(fā)展報告》?！盾娪秒娮釉骷I域科技發(fā)展報告》由綜合動向分析、重要專題分析、附錄三部分構成。綜合動向分析部分對2017年軍用微電子、光電子、真空電子、傳感器、電能源、抗輻照等重點領域器件與技術發(fā)展情況進行了分析和歸納；重要專題分析部分從元器件領域選取16個重點和熱點問題進行了比較深入的分析和研究；附錄對2017年軍用電子元器件重點領域的重大或重要事件進行了簡述。

作者簡介

暫缺《軍用電子元器件領域科技發(fā)展報告》作者簡介

圖書目錄

綜合動向分析
2017年軍用電子元器件領域科技發(fā)展綜述
2017年微電子器件發(fā)展綜述
2017年光電子器件發(fā)展綜述
2017年電能源發(fā)展綜述
2017年抗輻射加固器件發(fā)展綜述
2017年微電子器件技術發(fā)展綜述
2017年光電子器件技術發(fā)展綜述
2017年電能源技術發(fā)展綜述
2017年抗輻射加固器件技術發(fā)展綜述
2017年真空電子器件與技術發(fā)展綜述
2017年傳感器器件與技術發(fā)展綜述
重要專題分析
半導體金剛石材料和器件研究現(xiàn)狀
石墨烯一硅光電子器件發(fā)展現(xiàn)狀和前景
軍用非制冷紅外成像機芯組件發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢
兆瓦級激光器研究進展與技術挑戰(zhàn)
發(fā)展新一代真空電子器件
美國在功能芯片上實現(xiàn)計算與存儲集成
美國定向自組裝芯片圖形化工藝突破10納米
美國電子束光刻工藝達1納米量級
世界首個集成硅光子學神經網(wǎng)絡硬件誕生
單片量子點一石墨烯CMOS圖像傳感器實現(xiàn)寬波段成像
超表面結構開辟光波導模式轉換新途徑
MEMS紅外光源有望實現(xiàn)更新?lián)Q代
微納光機電傳感技術
DARPA啟動“電子復興”計劃
DARPA“近零功率射頻和傳感器”項目研究進展
附錄
2017年軍用電子元器件領域科技發(fā)展大事記