微電子工藝技術(shù)與仿真

第1章 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)
1．1 晶體學(xué)基礎(chǔ)
1．2 硅晶體結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)
1．3 半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)
1．4 半導(dǎo)體的基本器件
第2章 晶體生長(zhǎng)
2．1 晶體生長(zhǎng)理論
2．2 硅材料
2．3 晶體的提拉制程
2．4 材料特征
2．5 仿真基礎(chǔ)
第3章 氧化/擴(kuò)散工藝
3．1 擴(kuò)散原理
3．2 熱氧化
3．3 擴(kuò)散
3．4 仿真
第4章 光刻工藝
4．1 涂膠工藝
4．2 曝光工藝
4．3 顯影工藝
4．4 濕法刻蝕
4．5 濕法刻蝕仿真
第5章 薄膜淀積
5．1 化學(xué)氣相淀積
5．2 物理氣相淀積
5．3 外延生長(zhǎng)
5．4 仿真基礎(chǔ)
第6章 等離子體工藝
6．1 等離子體
6．2 離子注入系統(tǒng)
6．3 離子分布與阻滯
6．4 離子注入損傷與退火
6．5 離子注入工藝
6．6 離子刻蝕
6．7 等離子體刻蝕工藝
6．8 仿真基礎(chǔ)
第7章 工藝整合
7．1 凈化室
7．2 微電子工藝流程簡(jiǎn)介
7．3 晶體管制造技術(shù)
7．4 金屬化工藝
7．5 鈍化工藝
7．6 PN結(jié)
7．7 雙極型晶體管
7．8 CMOS電路
第8章 太陽(yáng)能電池
8．1 工作原理
8．2 影響太陽(yáng)能電池效率的因素
8．3 多晶體硅太陽(yáng)能電池工藝
8．4 黑硅太陽(yáng)能電池制備
8．5 太陽(yáng)能電池仿真
參考文獻(xiàn)