微電子器件（第4版）

第1章半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)及基本方程
11半導(dǎo)體晶格
111基本的晶體結(jié)構(gòu)
112晶向和晶面
113原子價(jià)鍵
12半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)
121原子的能級和晶體的能帶
122半導(dǎo)體中電子的狀態(tài)和能帶
123半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動(dòng)和有效質(zhì)量
124導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體
13平衡狀態(tài)下載流子濃度
131費(fèi)米能級和載流子的統(tǒng)計(jì)分布
132本征載流子濃度
133雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度
134簡并半導(dǎo)體的載流子濃度
14非平衡載流子
141非平衡載流子的注入與復(fù)合過程
142非平衡載流子的壽命
143復(fù)合理論
15載流子的輸運(yùn)現(xiàn)象
151載流子的漂移運(yùn)動(dòng)及遷移率
152載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)
153愛因斯坦關(guān)系
16半導(dǎo)體器件基本方程
161泊松方程
162輸運(yùn)方程
163連續(xù)性方程
164方程的積分形式
165基本方程的簡化與應(yīng)用舉例
本章參考文獻(xiàn)
第2章PN結(jié)
21PN結(jié)的平衡狀態(tài)
211空間電荷區(qū)的形成
212內(nèi)建電場、內(nèi)建電勢與耗盡區(qū)寬度
213能帶圖
214線性緩變結(jié)
215耗盡近似和中性近似的適用性
22PN結(jié)的直流電流電壓方程
221外加電壓時(shí)載流子的運(yùn)動(dòng)情況
222勢壘區(qū)兩旁載流子濃度的玻耳茲曼分布
223擴(kuò)散電流
224勢壘區(qū)產(chǎn)生復(fù)合電流
225正向?qū)妷?br />226薄基區(qū)二極管
23準(zhǔn)費(fèi)米能級與大注入效應(yīng)
231自由能與費(fèi)米能級
232準(zhǔn)費(fèi)米能級
233大注入效應(yīng)
24PN結(jié)的擊穿
241碰撞電離率和雪崩倍增因子
242雪崩擊穿
243齊納擊穿
244熱擊穿
25PN結(jié)的勢壘電容
251勢壘電容的定義
252突變結(jié)的勢壘電容
253線性緩變結(jié)的勢壘電容
254實(shí)際擴(kuò)散結(jié)的勢壘電容
26PN結(jié)的交流小信號特性與擴(kuò)散電容
261交流小信號下的擴(kuò)散電流
262交流導(dǎo)納與擴(kuò)散電容
263二極管的交流小信號等效電路
27PN結(jié)的開關(guān)特性
271PN結(jié)的直流開關(guān)特性
272PN結(jié)的瞬態(tài)開關(guān)特性
273反向恢復(fù)過程
274存儲(chǔ)時(shí)間與下降時(shí)間
28SPICE中的二極管模型
習(xí)題二
本章參考文獻(xiàn)
第3章雙極結(jié)型晶體管
31雙極結(jié)型晶體管基礎(chǔ)
311雙極結(jié)型晶體管的結(jié)構(gòu)
312偏壓與工作狀態(tài)
313少子濃度分布與能帶圖
314晶體管的放大作用
32均勻基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)
321基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)
322基區(qū)渡越時(shí)間
323發(fā)射結(jié)注入效率
324電流放大系數(shù)
33緩變基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)
331基區(qū)內(nèi)建電場的形成
332基區(qū)少子電流密度與基區(qū)少子濃度分布
333基區(qū)渡越時(shí)間與輸運(yùn)系數(shù)
334注入效率與電流放大系數(shù)
335小電流時(shí)放大系數(shù)的下降
336發(fā)射區(qū)重?fù)诫s的影響
337異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管
34雙極結(jié)型晶體管的直流電流電壓方程
341集電結(jié)短路時(shí)的電流
342發(fā)射結(jié)短路時(shí)的電流
343晶體管的直流電流電壓方程
344晶體管的輸出特性
345基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)
35雙極結(jié)型晶體管的反向特性
351反向截止電流
352共基極接法中的雪崩擊穿電壓
353共發(fā)射極接法中的雪崩擊穿電壓
354發(fā)射極與基極間接有外電路時(shí)的反向電流與擊穿電壓
355發(fā)射結(jié)擊穿電壓
356基區(qū)穿通效應(yīng)
36基極電阻
361方塊電阻
362基極接觸電阻和接觸孔邊緣到工作基區(qū)邊緣的電阻
363工作基區(qū)的電阻和基極接觸區(qū)下的電阻
37雙極結(jié)型晶體管的功率特性
371大注入效應(yīng)
372基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)
373發(fā)射結(jié)電流集邊效應(yīng)
374晶體管的熱學(xué)性質(zhì)
375二次擊穿和安全工作區(qū)
38電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系
381高頻小信號電流在晶體管中的變化
382基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)與頻率的關(guān)系
383高頻小信號電流放大系數(shù)
384晶體管的特征頻率
385影響高頻電流放大系數(shù)與特征頻率的其他因素
39高頻小信號電流電壓方程與等效電路
391小信號的電荷控制模型
392小信號的電荷電壓關(guān)系
393高頻小信號電流電壓方程
394小信號等效電路
310功率增益和最高振蕩頻率
3101高頻功率增益與高頻優(yōu)值
3102最高振蕩頻率
3103高頻晶體管的結(jié)構(gòu)
311雙極結(jié)型晶體管的開關(guān)特性
3111晶體管的靜態(tài)大信號特性
3112晶體管的直流開關(guān)特性
3113晶體管的瞬態(tài)開關(guān)特性
312SPICE中的雙極晶體管模型
3121埃伯斯-莫爾(EM)模型
3122葛謀-潘(GP)模型
習(xí)題三
本章參考文獻(xiàn)
第4章絕緣柵型場效應(yīng)晶體管
41MOSFET基礎(chǔ)
42MOSFET的閾電壓
421MOS結(jié)構(gòu)的閾電壓
422MOSFET的閾電壓
43MOSFET的直流電流電壓方程
431非飽和區(qū)直流電流電壓方程
432飽和區(qū)的特性
44MOSFET的亞閾區(qū)導(dǎo)電
45MOSFET的直流參數(shù)與溫度特性
451MOSFET的直流參數(shù)
452MOSFET的溫度特性
453MOSFET的擊穿電壓
46MOSFET的小信號參數(shù)、高頻等效電路及頻率特性
461MOSFET的小信號交流參數(shù)
462MOSFET的小信號高頻等效電路
463最高工作頻率和最高振蕩頻率
464溝道渡越時(shí)間
47短溝道效應(yīng)
471小尺寸效應(yīng)
472遷移率調(diào)制效應(yīng)
473漏誘生勢壘降低效應(yīng)
474強(qiáng)電場效應(yīng)
475表面勢和閾值電壓準(zhǔn)二維分析
48體硅MOSFET的發(fā)展方向
481按比例縮小的MOSFET
482雙擴(kuò)散MOSFET
483深亞微米MOSFET
484應(yīng)變硅MOSFET
485高K柵介質(zhì)及金屬柵電極MOSFET
49功率垂直型雙擴(kuò)散場效應(yīng)晶體管
491VDMOS器件
492超結(jié)VDMOS器件
493常規(guī)VDMOS與超結(jié)VDMOS器件的電流電壓關(guān)系的比較
410SOI MOSFET
4101SOI MOSFET結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
4102SOI MOSFET一維閾值電壓模型
4103SOI MOSFET的電流特性
4104SOI MOSFET的亞閾值斜率
4105短溝道SOI MOSFET的準(zhǔn)二維分析
411多柵結(jié)構(gòu)MOSFET與FINFET
4111多柵MOSFET結(jié)構(gòu)
4112多柵結(jié)構(gòu)MOSFET的特征長度
4113雙柵FINFET的亞閾值斜率
4114雙柵FINFET的按比例縮小
4115多柵FINFET的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
412無結(jié)晶體管
4121無結(jié)晶體管的工作原理
4122無結(jié)晶體管的閾值電壓
4123無結(jié)晶體管的直流電流電壓關(guān)系
4124無結(jié)晶體管的溫度特性
413SPICE中的MOSFET模型
4131MOS1模型
4132MOS2模型
4133MOS3模型
4134電容模型
4135小信號模型
4136串聯(lián)電阻的影響
習(xí)題四
本章參考文獻(xiàn)
第5章半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)器件
51半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)
511半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的能帶突變
512半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)伏安特性
52高電子遷移率晶體管(HEMT)
521高電子遷移率晶體管的基本結(jié)構(gòu)
522HEMT的工作原理
523異質(zhì)結(jié)界面的二維電子氣
524高電子遷移率晶體管(HEMT)的直流特性
525HEMT的高頻模型
526HEMT的高頻小信號等效電路
527高電子遷移率晶體管(HEMT)的頻率特性
53異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)
531HBT的基礎(chǔ)理論
532能帶結(jié)構(gòu)與HBT性能的關(guān)系
533異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的特性
534Si/Si1-xGex異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
習(xí)題五
本章參考文獻(xiàn)