半導體物理與器件（第四版 英文版）

第一部分　半導體材料屬性
第?1?章　固體晶格結構 1
1．0　預習 1
1．1　半導體材料 1
1．2　固體類型 2
1．3　空間晶格 3
1．3．1　原胞和晶胞 3
1．3．2　基本的晶體結構 4
1．3．3　晶面和密勒指數(shù) 6
1．3．4　晶向 9
1．4　金剛石結構 10
1．5　原子價鍵 12
*1．6　固體中的缺陷和雜質(zhì) 14
1．6．1　固體中的缺陷 14
1．6．2　固體中的雜質(zhì) 16
*1．7　半導體材料的生長 17
1．7．1　在熔融體中生長 17
1．7．2　外延生長 19
1．8　小結 20
重要術語解釋 20
知識點 21
復習題 21
習題 21
參考文獻 24
第?2?章　量子力學初步 25
2．0　預習 25
2．1　量子力學的基本原理 25
2．1．1　能量量子化 26
2．1．2　波粒二相性 27
2．1．3　不確定原理 30
2．2　薛定諤波動方程 31
2．2．1　波動方程 31
2．2．2　波函數(shù)的物理意義 32
2．2．3　邊界條件 33
2．3　薛定諤波動方程的應用 34
2．3．1　自由空間中的電子 35
2．3．2　無限深勢阱 36
2．3．3　階躍勢函數(shù) 39
2．3．4　勢壘和隧道效應 44
2．4　原子波動理論的延伸 46
2．4．1　單電子原子 46
2．4．2　周期表 50
2．5　小結 51
重要術語解釋 51
知識點 52
復習題 52
習題 52
參考文獻 57
第?3?章　固體量子理論初步 58
3．0　預習 58
3．1　允帶與禁帶 58
3．1．1　能帶的形成 59
3．1．2　克龍尼克-潘納模型 63
3．1．3　k 空間能帶圖 67
3．2　固體中電的傳導 72
3．2．1　能帶和鍵模型 72
3．2．2　漂移電流 74
3．2．3　電子的有效質(zhì)量 75
3．2．4　空穴的概念 78
3．2．5　金屬、絕緣體和半導體 80
3．3　三維擴展 83
3．3．1　硅和砷化鎵的 k 空間能帶圖 83
3．3．2　有效質(zhì)量的補充概念 85
3．4　狀態(tài)密度函數(shù) 85
3．4．1　數(shù)學推導 85
3．4．2　擴展到半導體 88
3．5　統(tǒng)計力學 91
3．5．1　統(tǒng)計規(guī)律 91
3．5．2　費米-狄拉克概率函數(shù) 91
3．5．3　分布函數(shù)和費米能級 93
3．6　小結 98
重要術語解釋 98
知識點 99
復習題 99
習題 100
參考文獻 104
第 4 章　平衡半導體 106
4．0　預習 106
4．1　半導體中的載流子 106
4．1．1　電子和空穴的平衡分布 107
4．1．2　n0方程和p0方程 109
4．1．3　本征載流子濃度 113
4．1．4　本征費米能級位置 116
4．2　摻雜原子與能級 118
4．2．1　定性描述 118
4．2．2　電離能 120
4．2．3　III-V族半導體 122
4．3　非本征半導體 123
4．3．1　電子和空穴的平衡狀態(tài)分布 123
4．3．2　n0和p0的乘積 127
*4．3．3　費米-狄拉克積分 128
4．3．4　簡并與非簡并半導體 130
4．4　施主和受主的統(tǒng)計學分布 131
4．4．1　概率函數(shù) 131
4．4．2　完全電離與束縛態(tài) 132
4．5　電中性狀態(tài) 135
4．5．1　補償半導體 135
4．5．2　平衡電子和空穴濃度 136
4．6　費米能級的位置 141
4．6．1　數(shù)學推導 142
4．6．2　EF隨摻雜濃度和溫度的變化 144
4．6．3　費米能級的應用 145
4．7　小結 147
重要術語解釋 148
知識點 148
復習題 149
習題 149
參考文獻 154
第 5 章　載流子輸運現(xiàn)象 156
5．0　預習 156
5．1　載流子的漂移運動 156
5．1．1　漂移電流密度 156
5．1．2　遷移率 159
5．1．3　電導率 164
5．1．4　飽和速度 169
5．2　載流子擴散 172
5．2．1　擴散電流密度 172
5．2．2　總電流密度 175
5．3　雜質(zhì)梯度分布 176
5．3．1　感生電場 176
5．3．2　愛因斯坦關系 178
*5．4　霍爾效應 180
5．5　小結 183
重要術語解釋 183
知識點 184
復習題 184
習題 184
參考文獻 191
第 6 章　半導體中的非平衡過剩載流子 192
6．0　預習 192
6．1　載流子的產(chǎn)生與復合 193
6．1．1　平衡態(tài)半導體 193
6．1．2　過剩載流子的產(chǎn)生與復合 194
6．2　過剩載流子的性質(zhì) 198
6．2．1　連續(xù)性方程 198
6．2．2　與時間有關的擴散方程 199
6．3　雙極輸運 201
6．3．1　雙極輸運方程的推導 201
6．3．2　摻雜及小注入的約束條件 203
6．3．3　雙極輸運方程的應用 206
6．3．4　介電弛豫時間常數(shù) 214
*6．3．5　海恩斯-肖克萊實驗 216
6．4　準費米能級 219
*6．5　過剩載流子的壽命 221
6．5．1　肖克萊-里德-霍爾復合理論 221
6．5．2　非本征摻雜和小注入的約束
條件 225
*6．6　表面效應 227
6．6．1　表面態(tài) 227
6．6．2　表面復合速度 229
6．7　小結 231
重要術語解釋 231
知識點 232
復習題 233
習題 233
參考文獻 240
第二部分　半導體器件基礎
第 7 章　pn結 241
7．0　預習 241
7．1　pn結的基本結構 241
7．2　零偏 243
7．2．1　內(nèi)建電勢差 243
7．2．2　電場強度 246
7．2．3　空間電荷區(qū)寬度 249
7．3　反偏 251
7．3．1　空間電荷區(qū)寬度與電場 251
7．3．2　勢壘電容（結電容） 254
7．3．3　單邊突變結 256
7．4　結擊穿 258
*7．5　非均勻摻雜pn結 262
7．5．1　線性緩變結 263
7．5．2　超突變結 265
7．6　小結 267
重要術語解釋 268
知識點 268
復習題 269
習題 269
參考文獻 275
第 8 章　pn結二極管 276
8．0　預習 276
8．1　pn結電流 276
8．1．1　pn結內(nèi)電荷流動的定性描述 277
8．1．2　理想的電流-電壓關系 278
8．1．3　邊界條件 279
8．1．4　少數(shù)載流子分布 283
8．1．5　理想pn結電流 286
8．1．6　物理學小結 290
8．1．7　溫度效應 292
8．1．8　短二極管 293
8．2　產(chǎn)生-復合電流和高注入級別 295
8．2．1　產(chǎn)生復合電流 296
8．2．2　高級注入 302
8．3　pn 結的小信號模型 304
8．3．1　擴散電阻 305
8．3．2　小信號導納 306
8．3．3　等效電路 313
*8．4　電荷存儲與二極管瞬態(tài) 314
8．4．1　關瞬態(tài) 315
8．4．2　開瞬態(tài) 317
*8．5　隧道二極管 318
8．6　小結 321
重要術語解釋 322
知識點 322
復習題 323
習題 323
參考文獻 330
第 9 章　金屬半導體和半導體異質(zhì)結 331
9．0　預習 331
9．1　肖特基勢壘二極管 331
9．1．1　性質(zhì)上的特征 332
9．1．2　理想結的特性 334
9．1．3　影響肖特基勢壘高度的
非理想因素 338
9．1．4　電流-電壓關系 342
9．1．5　肖特基勢壘二極管與pn結
二極管的比較 345
9．2　金屬-半導體的歐姆接觸 349
9．2．1　理想非整流接觸勢壘 349
9．2．2　隧道效應 351
9．2．3　比接觸電阻 352
9．3　異質(zhì)結 354
9．3．1　形成異質(zhì)結的材料 354
9．3．2　能帶圖 354
9．3．3　二維電子氣 356
*9．3．4　靜電平衡態(tài) 358
*9．3．5　電流-電壓特性 363
9．4　小結 363
重要術語解釋 364
知識點 364
復習題 365
習題 365
參考文獻 370
第 10 章　金屬-氧化物-半導體
?場效應晶體管基礎 371
10．0?預習 371
10．1?雙端MOS結構 371
10．1．1　能帶圖 372
10．1．2　耗盡層厚度 376
10．1．3　面電荷密度 380
10．1．4　功函數(shù)差 382
10．1．5　平帶電壓 385
10．1．6　閾值電壓 388
10．2?電容-電壓特性 394
10．2．1　理想C-V特性 394
10．2．2　頻率特性 399
10．2．3　固定柵氧化層電荷和
界面電荷效應 400
10．3?MOSFET基本工作原理 403
10．3．1　MOSFET結構 403
10．3．2　電流-電壓關系――概念 404
*10．3．3　電流-電壓關系
――數(shù)學推導 410
*10．3．4　跨導 418
10．3．5　襯底偏置效應 419
10．4?頻率限制特性 422
10．4．1　小信號等效電路 422
10．4．2　頻率限制因素和截止頻率 425
*10．5?CMOS技術 427
10．6?小結 430
重要術語解釋 431
知識點 432
復習題 432
習題 433
參考文獻 441
第 11 章　金屬-氧化物-半導體
?場效應晶體管：概念的深入 443
11．0?預習 443
11．1?非理想效應 443
11．1．1　亞閾值電導 444
11．1．2　溝道長度調(diào)制效應 446
11．1．3　遷移率變化 450
11．1．4　速度飽和 452
11．1．5　彈道輸運 453
11．2?MOSFET按比例縮小理論 455
11．2．1　恒定電場按比例縮小 455
11．2．2　閾值電壓――一級近似 456
11．2．3　全部按比例縮小理論 457
11．3?閾值電壓的修正 457
11．3．1　短溝道效應 457
11．3．2　窄溝道效應 461
11．4?附加電學特性 464
11．4．1　擊穿電壓 464
*11．4．2　輕摻雜漏晶體管 470
11．4．3　通過離子注入進行閾值
調(diào)整 472
*11．5?輻射和熱電子效應 475
11．5．1　輻射引入的氧化層電荷 475
11．5．2　輻射引入的界面態(tài) 478
11．5．3　熱電子充電效應 480
11．6?小結 481
重要術語解釋 481
知識點 482
復習題 482
習題 483
參考文獻 489
第 12 章　雙極晶體管 491
12．0?預習 491
12．1?雙極晶體管的工作原理 491
12．1．1　基本工作原理 493
12．1．2　晶體管電流的簡化表達式 495
12．1．3　工作模式 498
12．1．4　雙極晶體管放大電路 500
12．2?少子的分布 501
12．2．1　正向有源模式 502
12．2．2　其他工作模式 508
12．3?低頻共基極電流增益 509
12．3．1　有用的因素 509
12．3．2　電流增益的數(shù)學表達式 512
12．3．3　小結 517
12．3．4　電流增益的計算 517
12．4?非理想效應 522
12．4．1　基區(qū)寬度調(diào)制效應 522
12．4．2　大注入效應 524
12．4．3　發(fā)射區(qū)禁帶變窄 526
12．4．4　電流集邊效應 528
*12．4．5　基區(qū)非均勻摻雜的影響 530
12．4．6　擊穿電壓 531
12．5?等效電路模型 536
*12．5．1　Ebers-Moll模型 537
12．5．2　Gummel-Poon模型 540
12．5．3　H-P模型 541
12．6?頻率上限 545
12．6．1　延時因子 545
12．6．2　晶體管截止頻率 546
12．7?大信號開關 549
12．7．1　開關特性 549
12．7．2　肖特基鉗位晶體管 551
*12．8?其他的雙極晶體管結構 552
12．8．1　多晶硅發(fā)射區(qū)雙極
結型晶體管 552
12．8．2　SiGe基區(qū)晶體管 554
12．8．3　異質(zhì)結雙極晶體管 556
12．9?小結 558
重要術語解釋 559
知識點 559
復習題 560
習題 560
參考文獻 569
第 13 章　結型場效應晶體管 571
13．0?預習 571
13．1?JFET概念 571
13．1．1　pn JFET的基本工作原理 572
13．1．2　MESFET的基本工作原理 576
13．2?器件的特性 578
13．2．1　內(nèi)建夾斷電壓、夾斷
電壓和漏源飽和電壓 578
13．2．2　耗盡型JFET的
理想直流I-V特性 582
13．2．3　跨導 587
13．2．4　MESFET 588
*13．3?非理想因素 593
13．3．1　溝道長度調(diào)制效應 594
13．3．2　飽和速度影響 596
13．3．3　亞閾值特性和柵電流效應 596
*13．4?等效電路和頻率限制 598
13．4．1　小信號等效電路 598
13．4．2　頻率限制因子和截止頻率 600
*13．5?高電子遷移率晶體管 602
13．5．1　量子阱結構 603
13．5．2　晶體管性能 604
13．6?小結 609
重要術語解釋 609
知識點 610
復習題 610
習題 611
參考文獻 616
第三部分　專用半導體器件
第 14 章　光器件 618
14．0?預習 618
14．1?光學吸收 618
14．1．1　光子吸收系數(shù) 619
14．1．2　電子-空穴對的產(chǎn)生率 622
14．2?太陽能電池 624
14．2．1　pn結太陽能電池 624
14．2．2　轉換效率與太陽光集中 627
14．2．3 　非均勻吸收的影響 628
14．2．4　異質(zhì)結太陽能電池 629
14．2．5　非晶態(tài)（無定形）硅
太陽能電池 630
14．3?光電探測器 633
14．3．1　光電導體 633
14．3．2　光電二極管 635
14．3．3　PIN光電二極管 640
14．3．4　雪崩二極管 641
14．3．5　光電晶體管 642
14．4?光致發(fā)光和電致發(fā)光 643
14．4．1　基本躍遷 644
14．4．2　發(fā)光效率 645
14．4．3　材料 646
14．5?光電二極管 648
14．5．1　光的產(chǎn)生 648
14．5．2　內(nèi)量子效率 649
14．5．3　外量子效率 650
14．5．4　LED器件 652
14．6?激光二極管 654
14．6．1　受激輻射和分布反轉 655
14．6．2　光學空腔諧振器 654
14．6．3　閾值電流 658
14．6．4　器件結構與特性 660
14．7?小結 661
重要術語解釋 662
知識點 663
復習題 663
習題 664
參考文獻 668
第 15 章　半導體功率器件 670
15．0?預習 670
15．1?隧道二極管 670
15．2?耿氏二極管 672
15．3?雪崩二極管 675
15．4?功率雙極晶體管 677
15．4．1　垂直式功率晶體管結構 677
15．4．2 　功率晶體管特性 678
15．4．3　達林頓組態(tài) 682
15．5?功率MOSFET 684
15．5．1　功率晶體管結構 684
15．5．2　功率MOSFET特性 685
15．5．3 　寄生雙極晶體管 689
15．6?半導體閘流管 691
15．6．1　基本特性 691
15．6．2　SCR的觸發(fā)機理 694
15．6．3　SCR的關斷 697
15．6．4　器件結構 697
15．7?小結 701
重要術語解釋 702
知識點 703
復習題 703
習題 703
參考文獻 706
附錄A　部分參數(shù)符號列表 707
附錄B　單位制、單位換算和通用常數(shù) 714
附錄C　元素周期表 717
附錄D　能量單位――電子伏特 718
附錄E　薛定諤波動方程的推導 720
附錄F　有效質(zhì)量概念 721
附件G　誤差函數(shù) 726
附錄Ｈ　部分習題參考答案 727
索引 735