納米半導(dǎo)體場(chǎng)發(fā)射冷陰極理論與實(shí)驗(yàn)

　　從金屬場(chǎng)發(fā)射基本理論與思想著手，引入半導(dǎo)體場(chǎng)發(fā)射理論模型及其在納米體系下的場(chǎng)發(fā)射理論模型的適用性問題。提出了半導(dǎo)體量子結(jié)構(gòu)增強(qiáng)場(chǎng)發(fā)射基本原理與思想，在此基礎(chǔ)上，介紹了以納米多層（量子結(jié)構(gòu)）鋁鎵氮（AlGaN）取向薄膜（極化誘導(dǎo)）作為薄膜冷陰極結(jié)構(gòu)場(chǎng)電子發(fā)射增強(qiáng)功能層基本設(shè)計(jì)方法與物理模型。進(jìn)一步地，介紹了單層、多層納米半導(dǎo)體薄膜場(chǎng)發(fā)射設(shè)計(jì)與制備方法。接著從實(shí)驗(yàn)與理論兩方面，系統(tǒng)介紹不同的量子結(jié)構(gòu)（晶軸取向、膜厚膜層、組分搭配、摻雜濃度及表面處理等）半導(dǎo)體薄膜的場(chǎng)電子發(fā)射特性、場(chǎng)發(fā)射耦合增強(qiáng)物理機(jī)制及其能譜特性。*后，對(duì)納米半導(dǎo)體場(chǎng)發(fā)射冷陰極器件的發(fā)展與應(yīng)用進(jìn)行了展望。

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