碳化硅及其復(fù)合材料的制造與應(yīng)用

第1章 SiC材料概論
1．1 SiC的性質(zhì)
1．2 SiC微粉
1．2．1 SiC粉體制造技術(shù)
1．2．2 SiC粉體的應(yīng)用
1．3 SiC晶須
1．3．1 SiC晶須簡(jiǎn)介
1．3．2 SiC晶須制備技術(shù)
1．4 SiC一維納米材料
1．4．1 一維SiC納米材料性質(zhì)
1．4．2 一維SiC納米材料制造技術(shù)
1．4．3 一維納米線(xiàn)的生長(zhǎng)機(jī)理
1．5 SiC陶瓷
1．5．1 SiC陶瓷燒結(jié)技術(shù)
1．5．2 SiC陶瓷的工程應(yīng)用
1．6 Cf／SiC基復(fù)合材料
1．6．1 Cf／SiC基復(fù)合材料簡(jiǎn)介
1．6．2 Cf／SiC基復(fù)合材料的制備
1．6．3 SiC基復(fù)合材料的應(yīng)用
第2章 SiC粉體改性與應(yīng)用
2．1 SiC粉體改性技術(shù)
2．1．1 SiC粉體改性簡(jiǎn)介
2．1．2 SiC粉體的表面改性技術(shù)
2．1．3 SiC顆?；瘜W(xué)鍍銅研究實(shí)例
2．2 水基SiC陶瓷料漿的穩(wěn)定行為
2．2．1 料漿的穩(wěn)定機(jī)理
2．2．2 料漿穩(wěn)定影響因素
2．2．3 SiC水基料漿實(shí)例研究
2．3 SiC顆粒摻雜銅基復(fù)合材料
2．3．1 SiCp／Cu基封裝材料的研究現(xiàn)狀
2．3．2 SiCp／Cu基復(fù)合材料制造技術(shù)
2．3．3 SiCp／Cu基復(fù)合材料實(shí)例研究
第3章 SiCw增強(qiáng)復(fù)合材料
3．1 晶須增韌復(fù)合材料界面與性能
3．2 SiCw增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料
3．2．1 SiCw／玻璃陶瓷基復(fù)合材料
3．2．2 SiCw／Al2O3基復(fù)合材料
3．2．3 SiCw／ZrB2基復(fù)合材料
3．2．4 SiCw／MoSi2基復(fù)合材料
3．2．5 SiCw／Si3N4基復(fù)合材料
3．2．6 SiCw／SiC基復(fù)合材料
3．3 SiCw增強(qiáng)高聚物基復(fù)合材料
3．3．1 改善晶須／聚合物界面的方法
3．3．2 SiCw改性聚合物研究
3．4 SiCw增強(qiáng)金屬基復(fù)合材料
3．4．1 金屬基復(fù)合材料制造技術(shù)
3．4．2 SiCw增強(qiáng)鎂基復(fù)合材料
3．4．3 SiCw增強(qiáng)銅基復(fù)合材料
3．4．4 SiCw增強(qiáng)Ti（C，N）基復(fù)合材料
3．4．5 SiCw增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料
3．5 SiCw增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料研究實(shí)例
3．5．1 金屬基復(fù)合材料的熱殘余應(yīng)力分析
3．5．2 金屬基復(fù)合材料的熱膨脹行為研究
3．5．3 金屬基復(fù)合材料的微蠕變和回復(fù)探討
3．5．4 SiCw／Al復(fù)合材料的制備與表征
3．5．5 SiCw／Al復(fù)舍材料熱殘余應(yīng)力與變形
3．5．6 SiCw／Al復(fù)合材料的熱應(yīng)變
3．5．7 加熱過(guò)程中SiCw／Al復(fù)合材料熱膨脹系數(shù)與熱錯(cuò)配應(yīng)力
3．5．8 冷卻過(guò)程中SiCw／Al復(fù)合材料熱膨脹系數(shù)與熱錯(cuò)配應(yīng)力
第4章 短碳纖維增韌SiC基復(fù)合材料
4．1 Csf／SiC基復(fù)合材料簡(jiǎn)介
4．2 熱壓燒結(jié)Al2O3／Y2O3系列Cf／SiC陶瓷
4．2．1 燒結(jié)溫度對(duì)Cf／SiC陶瓷性能的影響
4．2．2 助劑比例對(duì)Cf／SiC陶瓷性能的影響
4．2．3 碳纖維含量對(duì)Cf／SiC陶瓷性能的影響
4．3 短碳纖維增韌SiC復(fù)合材料
4．3．1 助劑體系參數(shù)的設(shè)計(jì)
4．3．2 物相組成與微觀結(jié)構(gòu)分析
4．3．3 力學(xué)性能與斷裂機(jī)制分析
第5章 一維SiC納米材料與復(fù)合材料
5．1 一維SiC納米材料基本構(gòu)型
5．1．1 SiC納米棒、納米帶與納米線(xiàn)
5．1．2 SiC納米管與中空納米纖維
5．1．3 SiC納米光纜
5．1．4 SiC納米陣列
5．2 Csf／SiC納米線(xiàn)協(xié)同增韌SiC復(fù)合材料
5．2．1 Csf／SiCnw增韌SiC基復(fù)合材料設(shè)計(jì)
5．2．2 熱處理溫度的影響
5．2．3 熱處理時(shí)間的影響
5．2．4 SiC納米線(xiàn)生長(zhǎng)機(jī)制
5．2．5 SiC納米線(xiàn)增韌機(jī)制
第6章 SiC基陶瓷的燒結(jié)
6．1 SiC陶瓷燒結(jié)助劑概論
6．1．1 SiC陶瓷的固相燒結(jié)
6．1．2 SiC陶瓷的液相燒結(jié)
6．2 無(wú)壓燒結(jié)Al2O3-La2O3-SiC陶瓷
6．2．1 助劑含量對(duì)SiC陶瓷性能的影響
6．2．2 燒結(jié)溫度對(duì)SiC陶瓷性能的影響
6．2．3 助劑比例對(duì)SiC陶瓷性能的影響
6．3 無(wú)壓燒結(jié)Al2O3-Er2O3-SiC／B4C復(fù)相陶瓷
6．3．1 燒結(jié)溫度對(duì)SiC／B4C復(fù)相陶瓷的影響
6．3．2 B4C含量對(duì)SiC／B4C復(fù)相陶瓷的影響
6．4 無(wú)壓燒結(jié)Al2O3-Yb2O3-SiC／B4C復(fù)相陶瓷
6．4．1 SiC／B4C陶瓷燒結(jié)致密化
6．4．2 SiC／B4C陶瓷相分析與組織觀察
6．5 熱壓Cp／SiC復(fù)合材料
6．5．1 Cp／SiC復(fù)合材料設(shè)計(jì)
6．5．2 Cp／SiC復(fù)合粉體分析
6．5．3 熱壓Cp／SiC材料微觀結(jié)構(gòu)
6．5．4 熱壓Cp／SiC材料性能表征
6．5．5 熱壓Cp／SiC材料氧化行為
參考文獻(xiàn)