材料制備原理與技術(shù)

第1章 晶體化學基礎(chǔ)
1.1 化學鍵
1.2 離子晶體的晶格能
1.3 離子晶體結(jié)構(gòu)的影響因素
1.4 鮑林離子晶體規(guī)則
思考題
第2章 晶體的點缺陷
2.1 點缺陷的類型
2.2 點缺陷的符號表示法
2.3 缺陷化學反應(yīng)表示法
2.4 點缺陷的熱力學平衡
2.5 固熔體
2.6 非化學計量化合物
2.7 點缺陷與電子一空穴對
思考題
第3章 熔融態(tài)和玻璃態(tài)
3.1 熔體結(jié)構(gòu)
3.2 熔體性質(zhì)
3.3 玻璃的通性
3.4 玻璃的形成
3.5 玻璃的結(jié)構(gòu)
3.6 硅酸鹽玻璃
3.7 玻璃中的分相現(xiàn)象
思考題
第4章 相平衡與相圖
4.1 相與相平衡
4.2 單元系統(tǒng)相圖
4.3 二元系統(tǒng)相圖
4.4 三元系統(tǒng)相圖
思考題
第5章 擴散過程
5.1 固體中的擴散機構(gòu)
5.2 擴散動力學方程
5.3 擴散系數(shù)
5.4 擴散系數(shù)與溫度、雜質(zhì)的關(guān)系
5.5 氧化物中的擴散
5.6 影響擴散系數(shù)的其他因素
思考題
第6章 固相反應(yīng)
6.1 固相反應(yīng)的特點及分類
6.2 固相反應(yīng)動力學方程
6.3 影響固相反應(yīng)的因素
思考題
第7章 燒結(jié)過程
7.1 燒結(jié)的推動力和傳質(zhì)機理
7.2 固相燒結(jié)動力學
7.3 液相燒結(jié)動力學
7.4 晶粒生長與二次再結(jié)晶
7.5 影響燒結(jié)的因素
思考題
第8章 晶體生長的物理基礎(chǔ)
8.1 成核理論
8.2 界面的平衡結(jié)構(gòu)
8.3 晶體生長動力學
思考題
第9章 晶體生長的方法與技術(shù)
9.1 氣相生長法
9.2 水溶液生長法
9.3 水熱生長法
9.4 熔鹽生長法
9.5 熔體生長法
思考題
第10章 薄膜沉積的方法與技術(shù)
10.1 物理氣相沉積蒸發(fā)法
10.2 物理氣相沉積濺射法
10.3 物理氣相沉積的其他方法
思考題
參考文獻