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內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　《氫化硅薄膜介觀力學(xué)行為研究和耐高溫壓力傳感器研制》主要針對(duì)氫化硅薄膜介觀力學(xué)行為和耐高溫壓力傳感器這兩個(gè)問(wèn)題展開(kāi)了理論與實(shí)驗(yàn)研究。氫化硅薄膜廣泛應(yīng)用于光電子器件，如二極管、薄膜晶體管、太陽(yáng)能電池、液晶顯示器等，人們對(duì)其光電特性作了深入的研究，但關(guān)于其力學(xué)特性涉及很少。已有的研究表明氫化硅薄膜，尤其是納米硅薄膜具有很強(qiáng)的應(yīng)力敏感特性，在高靈敏度壓力傳感器、位移傳感器和量子隧道傳感器等相關(guān)器件應(yīng)用上有極大的應(yīng)用前景，因此通過(guò)對(duì)氫化硅薄膜顯微結(jié)構(gòu)與介觀力學(xué)性能的研究，探明二者之間關(guān)系（內(nèi)稟關(guān)聯(lián)特性）可為器件開(kāi)發(fā)提供基本數(shù)據(jù)。

作者簡(jiǎn)介

暫缺《氫化硅薄膜介觀力學(xué)行為研究和耐高溫壓力傳感器研制》作者簡(jiǎn)介

圖書(shū)目錄

1 緒論
1.1　氫化硅薄膜力學(xué)行為的研究背景和意義
1.2　耐高溫壓力傳感器的研究背景和意義
1.3　本書(shū)的主要內(nèi)容
參考文獻(xiàn)

2 氫化硅薄膜的制備和微觀表征
2.1　引言
2.2　射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法
2.3　拉曼測(cè)試晶態(tài)比和平均晶粒大小
2.4　薄膜厚度研究
2.5　XRD衍射譜
小結(jié)
參考文獻(xiàn)

3 襯底對(duì)納米硅薄膜生長(zhǎng)的影響
3.1　引言
3.2　納米硅薄膜的微觀表征
3.3　薄膜的AFM和HRTEM研究
3.4　結(jié)果和討論
小結(jié)
參考文獻(xiàn)

4 不同單光子激光線(xiàn)的氫化硅薄膜拉曼光譜
4.1　引言
4.2　薄膜制備
4.3　結(jié)果和討論
4.4　薄膜內(nèi)應(yīng)力
小結(jié)
參考文獻(xiàn)

5 氫化硅薄膜介觀力學(xué)行為及其與微結(jié)構(gòu)內(nèi)稟關(guān)聯(lián)特性
5.1　引言
5.2　納米壓痕
5.3　結(jié)果和討論
小結(jié)
參考文獻(xiàn)

6 耐高溫壓阻式壓力傳感器
6.1　耐高溫壓阻式壓力傳感器簡(jiǎn)介
6.1.1　引言
6.1.2　壓阻式壓力傳感器基本原理
6.1.3　硅擴(kuò)散壓阻式壓力傳感器
6.1.4　耐高溫壓阻式壓力傳感器
6.2　基于SIMOX的耐高溫壓力傳感器芯片制作
6.2.1　壓力傳感器芯片設(shè)計(jì)
6.2.2　SIMOX的耐高溫壓力傳感器芯片制作
6.3　耐高溫壓阻式壓力傳感器封裝
6.3.1　引言
6.3.2　硅／玻璃環(huán)靜電鍵合
6.3.3　內(nèi)引線(xiàn)鍵合
6.3.4　外引線(xiàn)轉(zhuǎn)接
6.4　耐高溫壓力傳感器靜態(tài)標(biāo)定及溫度漂移補(bǔ)償
6.4.1　耐高溫壓力傳感器的靜態(tài)標(biāo)定指標(biāo)
6.4.2　熱靈敏度漂移系數(shù)及補(bǔ)償
6.4.3 零位輸出及其補(bǔ)償
6.4.4　熱零點(diǎn)漂移系數(shù)及補(bǔ)償
6.4.5　耐高溫壓力傳感器標(biāo)定結(jié)果
6.4.6　與國(guó)外同類(lèi)產(chǎn)品的比較
6.5　通用型分體式耐高溫壓力傳感器研制
6.5.1　引言
6.5.2　耐高溫分體式壓力傳感器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
6.5.3　傳感器前置電路
6.5.4　耐高溫分體式壓力傳感器高溫標(biāo)定
小結(jié)
參考文獻(xiàn)
7 結(jié) 論