半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)

前言
第1章 摻雜半導(dǎo)體的導(dǎo)電性
1.1 摻雜和載流子
1.2 電導(dǎo)率和電阻率
1.3 遷移率
1.4 測量電阻率的四探針方法
1.5 擴(kuò)散薄層的方塊電阻
第2章 能級和載流子
2.1 量子態(tài)和能級
2.2 多子和少子的熱平衡
2.3 費(fèi)米能級
2.4 電子的平衡統(tǒng)計分布規(guī)律
2.5 非平衡載流子的復(fù)合
2.6 非平衡載流子的擴(kuò)散
第3章 pn結(jié)
3.1 pn結(jié)的電流一電壓關(guān)系
3.2 空間電荷區(qū)中的復(fù)合和產(chǎn)生電流
3.3 晶體管的電流放大作用
3.4 高摻雜的半導(dǎo)體和pn結(jié)
3.5 pn結(jié)的擊穿
3.6 pn結(jié)的電容效應(yīng)
3.7 金屬一半導(dǎo)體接觸
第4章 半導(dǎo)體表面
4.1 表面空間電荷區(qū)及反型層
4.2 MIS電容器——理想C(V)特性
4.3 實(shí)際MIS電容器的C(V)特性及應(yīng)用
4.4 硅-二氧化硅系統(tǒng)的性質(zhì)
4.5 MOS場效應(yīng)晶體管
4.6 電荷耦合器件
第5章 晶格和缺陷
5.1 晶格
5.2 空位和間隙原孑
5.3 位錯
5.4 層錯
5.5 相變和相圖