太陽光譜選擇性吸收膜系設(shè)計(jì)、制備及測(cè)評(píng)

序
前言
第1章 熱輻射特性及其定律
1.1 熱輻射基本概念
1.2 黑體輻射的基本定律
1.2.1 普朗克定律及維恩位移定律
1.2.2 斯特藩-玻爾茲曼定律
1.2.3 蘭貝特定律
1.3 實(shí)際物體的輻射特性
1.3.1 發(fā)射率與實(shí)際物體輻射
1.3.2 基爾霍夫定律
1.4 太陽輻射及其度量
1.4.1 太陽輻射能量
1.4.2 地球大氣層上界的太陽輻射
1.4.3 地球表面的太陽輻射
1.4.4 大氣質(zhì)量AM1.5 和AM0的輻照度
第2章 太陽光譜選擇性吸收膜系光學(xué)基礎(chǔ)
2.1 薄膜的光學(xué)參數(shù)及光學(xué)定律
2.1.1 薄膜的光學(xué)常數(shù)
2.1.2 光的反射、折射及菲涅耳公式
2.2 薄膜的干涉效應(yīng)
2.3 介質(zhì)膜的反射特性
2.3.1 單層介質(zhì)膜的反射
2.3.2 多層介質(zhì)膜系的反射
第3章 太陽光譜選擇性吸收表面原理
3.1 太陽光譜選擇性吸收表面工作原理
3.2 太陽光譜選擇性吸收表面材料能帶理論基礎(chǔ)
3.3 典型太陽光譜選擇性吸收表面機(jī)理
3.3.1 本征吸收選擇性吸收表面
3.3.2 半導(dǎo)體吸收-金屬反射串列組合
3.3.3 微不平表面
3.3.4 半透明電介質(zhì)-金屬干涉疊層表面
3.3.5 電介質(zhì)-金屬復(fù)合材料選擇性吸收表面
第4章 多層漸變選擇性吸收膜系設(shè)計(jì)
4.1 多層漸變選擇性吸收膜系模型的建立
4.2 電介質(zhì)-金屬的復(fù)合理論——等效媒質(zhì)理論
4.3 單層薄膜光學(xué)常數(shù)的確定
4.3.1 Hadley方程
4.3.2 用Hadley方程反演計(jì)算確定n（λ）和k（λ）
4.4 減反射膜的設(shè)計(jì)
4.4.1 減反射膜的設(shè)計(jì)原理
4.4.2 減反射膜層的設(shè)計(jì)
4.4.3 電介質(zhì)-金屬選擇性吸收膜系的減反層
4.5 多層漸變選擇性吸收膜系的理論設(shè)計(jì)
4.5.1 多層漸變選擇性吸收膜系層數(shù)的優(yōu)化設(shè)計(jì)
4.5.2 選擇性吸收膜系填充因子優(yōu)化
4.5.3 選擇性吸收膜系中各層厚度的設(shè)計(jì)
第5章 選擇性吸收膜系的制備
5.1 選擇性吸收膜系的制備技術(shù)
5.1.1 概述
5.1.2 濺射沉積技術(shù)的基本原理
5.1.3 濺射沉積技術(shù)
5.1.4 特殊濺射沉積技術(shù)
5.2 選擇性吸收膜系的制備
5.2.1 概述
5.2.2 選擇性吸收膜系的制備及調(diào)整
第6章 選擇性吸收膜系的熱穩(wěn)定性
6.1 真空烘烤對(duì)膜系性能的影響
6.1.1 不同膜系的熱處理
6.1.2 膜系性能與烘烤條件的關(guān)系
6.2 (Ti，A1)N-TiAl復(fù)合膜系大氣下的熱穩(wěn)定性
第7章 太陽光譜選擇性吸收表面(膜系)及制品的熱性能測(cè)評(píng)
7.1 選擇性吸收膜系發(fā)射率測(cè)量技術(shù)
7.1.1 穩(wěn)態(tài)量熱計(jì)法半球發(fā)射率測(cè)量
7.1.2 選擇性吸收膜系高溫發(fā)射率測(cè)量
7.1.3 法向發(fā)射率的測(cè)量
7.1.4 集熱管發(fā)射率測(cè)量
7.2 太陽吸收比測(cè)評(píng)技術(shù)
7.2.1 概述
7.2.2 積分球工作原理
7.2.3 反射比測(cè)量用積分球
7.2.4 太陽光譜反射比測(cè)量
7.2.5 太陽光譜分段反射比測(cè)量
7.2.6 積分太陽反射比測(cè)量
7.3 全玻璃真空集熱管熱性能測(cè)評(píng)
7.3.1 空曬性能參數(shù)測(cè)評(píng)
7.3.2 悶曬太陽輻照量
7.3.3 平均熱損系數(shù)
參考文獻(xiàn)