倒裝芯片封裝的下填充流動(dòng)研究

前言
第1章 芯片封裝簡(jiǎn)介
1.1 芯片（集成電路）的封裝
1.2 引線鍵合芯片封裝技術(shù)
1.3 倒裝芯片封裝技術(shù)
1.4 倒裝芯片下填充材料的填充方法
1.4.1 傳統(tǒng)的下填充方法
1.4.2 不流動(dòng)下填充方法
1.4.3 壓力注入下填充方法
1.5 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第2章 封裝材料的流變特性
2.1 流體的類型
2.1.1 非牛頓流體的分類
2.1.2 流動(dòng)斷面尺寸對(duì)牛頓流體的影響
2.2 與時(shí)間無關(guān)的黏性流體的本構(gòu)方程
2.2.1 冪函數(shù)本構(gòu)方程
2.2.2 Cross模型
2.2.3 Carreau-Yasuda模型
2.2.4 Bingham模型
2.2.5 Herschel-Bulkley模型
2.3 表面張力
2.3.1 Laptace方程
2.3.2 Young方程
2.3.3 平行平板間毛細(xì)流動(dòng)的作用力
2.4 封裝材料的實(shí)驗(yàn)研究
2.4.1 錐一板流變儀
2.4.2 流體的黏性系數(shù)
2.4.3 流體的表面張力和濕潤(rùn)角
2.5 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第3章 下填充流動(dòng)的Washburn模型
3.1 流體流動(dòng)基本方程
3.1.1 連續(xù)性方程
3.1.2 動(dòng)量方程
3.1.3 能量方程
3.2 下填充流體流動(dòng)的Washburn模型
3.3 下填充流體流動(dòng)的Han-Wang模型
3.4 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第4章 下填充材料的不穩(wěn)定流動(dòng)特性研究
4.1 下填充材料的不穩(wěn)定流動(dòng)模型
4.2 填充時(shí)間對(duì)流動(dòng)前端的影響
4.3 倒裝芯片下填充流動(dòng)的焊球阻力
4.4 應(yīng)用動(dòng)態(tài)濕潤(rùn)角的倒裝芯片下填充流動(dòng)解析分析模型
4.5 倒裝芯片下填充流動(dòng)解析分析模型與實(shí)驗(yàn)結(jié)果的比較
4.5.1 黏性系數(shù)
4.5.2 平衡狀態(tài)的濕潤(rùn)角和表面張力系數(shù)
4.5.3 剪應(yīng)變
4.5.4 結(jié)果與討論
4.6小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第5章 下填充流動(dòng)的非牛頓流體解析分析模型
5.1 平行平板下填充流動(dòng)的解析分析模型（模型Ⅰ）
5.2 倒裝芯片下填充流動(dòng)的解析分析模型（模型Ⅱ）
5.3 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第6章 下填充流動(dòng)的實(shí)驗(yàn)研究
6.1 平行平板下填充流動(dòng)的實(shí)驗(yàn)裝置
6.2 Washburn模型的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
6.3 解析分析模型Ⅰ的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
6.3.1 下填充流體及特性參數(shù)
6.3.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論
6.4 解析分析模型Ⅱ的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
6.4.1 實(shí)驗(yàn)裝置與方法
6.4.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論
6.5 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第7章 下填充流動(dòng)的數(shù)值模擬分析
7.1 引言
7.2 Hele-Shaw模型
7.2.1 非常緩慢的流動(dòng)
7.2.2 Hele-Shaw流動(dòng)
7.2.3 廣義Hele-Shaw模型
7.3 倒裝芯片的數(shù)值模擬分析
7.3.1 下填充流體流動(dòng)的數(shù)值分析模型
7.3.2 下填充流體流動(dòng)的數(shù)值模擬分析
7.4 下填充流動(dòng)數(shù)值分析模型的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
7.4.1 平行平板下填充流動(dòng)的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
7.4.2 倒裝芯片下填充流動(dòng)的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
7.5 下填充流動(dòng)數(shù)值模型的模擬分析研究
7.6　小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第8章 倒裝芯片焊球排列方式的優(yōu)化設(shè)計(jì)
8.1 臨界間距
8.2 下填充流動(dòng)時(shí)間的影響因素
8.2.1 焊球中心距對(duì)下填充流動(dòng)時(shí)間的影響（不同間隙高度）
8.2.2 焊球中心距對(duì)下填充流動(dòng)時(shí)間的影響（不同焊球直徑）
8.2.3 焊球直徑對(duì)下填充流動(dòng)時(shí)間的影響（不同焊球中心距）
8.2.4 焊球直徑對(duì)下填充流動(dòng)時(shí)間的影響（不同間隙高度）
8.2.5 焊球外表面間距對(duì)下填充流動(dòng)時(shí)間的影響（不同焊球直徑）
8.3 焊球間距對(duì)下填充時(shí)間影響的數(shù)值模擬分析
8.3.1 焊球間距對(duì)流動(dòng)前端分布和填充時(shí)間的影響
8.3.2 數(shù)值模擬分析與實(shí)驗(yàn)觀測(cè)結(jié)果的比較
8.4 倒裝芯片焊球排列方式的優(yōu)化設(shè)計(jì)
8.4.1 下填充流動(dòng)時(shí)間的無因次分析
8.4.2 無因次臨界間距的確定
8.4.3 倒裝芯片焊球排列方式的優(yōu)化設(shè)計(jì)
8.5 溫度對(duì)下填充流動(dòng)的影響
8.6　小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第9章　　實(shí)驗(yàn)結(jié)果的不確定度分析
9.1 引言
9.2 基本概念和定義
9.3 高斯分布
9.3.1 高斯分布的計(jì)算公式
9.3.2 高斯分布的置信區(qū)間
9.4 實(shí)驗(yàn)結(jié)果的不確定度分析
9.4.1 實(shí)驗(yàn)樣本空間的統(tǒng)計(jì)參數(shù)
9.4.2 實(shí)驗(yàn)樣本空間的置信區(qū)間
9.4.3 非正常實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的剔除
9.4.4 實(shí)驗(yàn)結(jié)果的不確定度
9.5 下填充流動(dòng)實(shí)驗(yàn)結(jié)果的不確定度分析
9.5.1 平行平板下填充流動(dòng)前端實(shí)驗(yàn)結(jié)果的不確定度（模型Ⅰ）
9.5.2 倒裝芯片下填充流動(dòng)前端實(shí)驗(yàn)結(jié)果的不確定度（模型Ⅱ）
9.6小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第10章 數(shù)值模擬分析的有限元法簡(jiǎn)介
10.1 引言
10.2 加權(quán)余量法和Galerkin近似方法
10.3 單元的劃分
10.4 插值函數(shù)
IO.4.1 雙線性矩形單元的插值函數(shù)
10.4.2 二次矩形單元的插值函數(shù)
10.5 自然坐標(biāo)系
10.5.1 等參數(shù)單元變換
10.5.2　　自然坐標(biāo)系
10.6數(shù)值積分
10.7用Galerkin方法求解微分方程近似解
10.7.1 微分方程的離散化
10.7.2 有限單元法求解微分方程近似解應(yīng)用舉例
10.8小結(jié)
參考文獻(xiàn)
附錄A 基本方程
附錄B 統(tǒng)計(jì)計(jì)算表
附錄c 倒裝芯片下填充流動(dòng)數(shù)值模擬分析的ANsYs軟件輸入程序