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內(nèi)容簡介

　　《現(xiàn)代集成電路制造工藝原理》圍繞當代集成電路制造的基礎(chǔ)工藝，重點介紹所涉及的基本原理，并就當前集成電路芯片制造技術(shù)的最新發(fā)展作了較為詳盡的闡述。本書可作為普通高?；蚵殬I(yè)技術(shù)院校理、工科本（專）科電子科學技術(shù)（一級學科）下微電子學與固體電子學及微電子技術(shù)方向、集成電路設(shè)計及集成系統(tǒng)或微電子技術(shù)專業(yè)的專業(yè)課教材、微電子相關(guān)專業(yè)的研究生選修課教材，亦可作為集成電路芯片制造企業(yè)工程技術(shù)人員參考書。本書共分為十一章，第一章至第八章以敘述基本工藝原理為主，主要包括：硅材料及襯底制備；外延生長工藝原理；氧化介質(zhì)薄膜生長；半導體的高溫摻雜；離子注入低溫摻雜；薄膜氣相淀積工藝；圖形光刻工藝原理；掩模制備工藝原理。第九章收入了當代諸多超大規(guī)模集成制造工藝的相關(guān)內(nèi)容，并以當代超大規(guī)模集成電路所具有的小尺寸特征為切入點，圍繞抑制小尺寸效應的現(xiàn)代工藝技術(shù)，介紹了諸多較為成熟的現(xiàn)代工藝技術(shù)模塊（或稱之為工藝組合）。系統(tǒng)地將這些知識點納入超大規(guī)模集成電路制造技術(shù)的范疇，對提高現(xiàn)代集成電路制造技術(shù)的教學質(zhì)量有著積極的意義。第十章介紹了集成電路芯片產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)管理、技術(shù)管理和質(zhì)量管理等方面的相關(guān)知識，力圖讓讀者對集成電路芯片產(chǎn)業(yè)的特征有一個整體的概念。第十一章對現(xiàn)代集成電路制造技術(shù)術(shù)語進行了詳解，以此為知識點，加強學生對這門課程的理解?！冬F(xiàn)代集成電路制造工藝原理》內(nèi)容豐富，在編寫中力求做到文字簡練、圖文并茂、注重實際，以較好地反映當代集成電路制造技術(shù)的現(xiàn)狀。書中還包含有作者多年來從事該技術(shù)領(lǐng)域的教學和研究所取得的諸多成果。例如：對半導體硅材料和硅外延生長缺陷的研究；硅（111>外延生長原理及結(jié)晶體的擴展行為及顯微形貌等相關(guān)研究成果，在國內(nèi)均為首次發(fā)表。

作者簡介

　　李惠軍，山東日照人。1952年生于濟南。1975年畢業(yè)于南京郵電學院一系半導體器件專業(yè)。現(xiàn)為山東大學信息科學與工程學院教授、碩士研究生導師，兼任山東大學孟完微電子研發(fā)中心主任。中國電子學會《CIE）高級會員，信息產(chǎn)業(yè)部《微納電子技術(shù)》特邀編委。主要教學與科研方向超大規(guī)模集成電路制造工藝技術(shù)的研究；超大規(guī)模專用集成電路（ASIC）的一體化設(shè)計研究：超大規(guī)模集成電路SOC（片上系統(tǒng)）芯片的下CAD一體化設(shè)計、仿真與優(yōu)化研究深亞微米，超深亞微米及納米集成化器件ICCAD工藝級與器件物理級可制造性設(shè)計領(lǐng)域的碩究。近年來，承擔并完成了三項省、部級科研與教學立項。曾獲山東省科學技術(shù)進步二等獎一項，由東省省教委科技進步一等獎一項，由東省省級教學成果一等獎一項。山東省省級教學成果二等獎一項{均為首位）。近五年來，獨立編著、主編著作四部：1《計算機輔助設(shè)計在微電子技術(shù)領(lǐng)域中的應用》ISBN7—5636—1365—x（獨立編著），石油大學出版社；2《集成電路制造技術(shù)》ISBN7—90033—29—x（主編），山東省出版總社；3《集成電路工藝設(shè)計仿真與教學平臺》ISBN7—900313—99—O（主編），山東電子音像出版社；4《現(xiàn)代集成電路制造技術(shù)一原理與實踐》多媒體．交互式、立體化教程ISBN47—89496—924—9（主編），電子工業(yè)出版社。近十年，發(fā)表學術(shù)論文七十余篇。

圖書目錄

緒論
第1章硅材料及襯底制備
1.1 半導體材料的特征與屬性
1.2 半導體材料硅的結(jié)構(gòu)特征
1.3 半導體單晶制備過程中的晶體缺陷
1.4 集成電路技術(shù)的發(fā)展和硅材料的關(guān)系
1.5 關(guān)于半導體硅材料及硅襯底晶片的制備
1.6 半導體硅材料的提純技術(shù)
1.6.1 精餾提純四氯化硅技術(shù)及其提純裝置
1.6.2 精餾提純四氯化硅的基本原理
1.7 直拉法生長硅單晶
1.8 硅單晶的各向異性特征在管芯制造中的應用
小結(jié)
習題與解答
參考文獻
第2章外延生長工藝原理
2.1 關(guān)于外延生長技術(shù)
2.2 外延生長工藝方法概論
2.2.1 典型的水平反應器硅氣相外延生長系統(tǒng)簡介
2.2.2 硅化學氣相淀積外延生長反應過程的一般描述
2.3 常規(guī)硅氣相外延生長過程的動力學原理
2.4 常規(guī)硅氣相外延生長過程的結(jié)晶學原理
2.5 關(guān)于氣相外延生長的工藝環(huán)境和工藝條件
2.5.1 外延生長過程中的摻雜
2.5.2 外延生長速率與反應溫度的關(guān)系
2.5.3 外延生長層內(nèi)的雜質(zhì)分布
2.5.4 外延生長缺陷
2.5.5 外延生長之前的氯化氫氣相拋光
2.5.6 典型的外延生長工藝流程
2.5.7 工業(yè)化外延工序的質(zhì)量控制
2.6 發(fā)生在硅氣相外延生長過程中的二級效應
2.6.1 外延生長過程中基片襯底雜質(zhì)的再分布效應
2.6.2 外延生長過程中摻入雜質(zhì)的再分布
小結(jié)
習題與解答
參考文獻
第3章氧化介質(zhì)薄膜生長
3.1 氧化硅介質(zhì)膜的基本結(jié)構(gòu)
3.2 二氧化硅介質(zhì)膜的主要性質(zhì)
3.3 氧化硅介質(zhì)膜影響雜質(zhì)遷移行為的內(nèi)在機理
3.4 氧化硅介質(zhì)膜的熱生長動力學原理
3.5 典型熱生長氧化介質(zhì)膜的常規(guī)生長模式
小結(jié)
習題與解答
參考文獻
第4章半導體的高溫摻雜
4.1 固體中的熱擴散現(xiàn)象及擴散方程
4.2 常規(guī)高溫熱擴散的數(shù)學描述
4.3 常規(guī)熱擴散工藝簡介
4.4 實際擴散行為與理論分布的差異
4.5 擴散行為的仿真及影響擴散行為的效應
4.6 深亞微米工藝仿真系統(tǒng)所設(shè)置的小尺寸效應模型
小結(jié)
習題與解答
參考文獻
第5章離子注入低溫摻雜
5.1 離子注入摻雜技術(shù)的特點
5.2 關(guān)于離子注人技術(shù)的理論描述
……
第6章薄膜氣相淀積工藝
第7章圖形光刻工藝原理
第8章掩模制備工藝原理
第9章超大規(guī)模集成工藝
第10章芯片產(chǎn)業(yè)質(zhì)量管理
第11章現(xiàn)代集成電路制造技術(shù)術(shù)語詳解
附錄1 現(xiàn)代集成電路制造技術(shù)縮略語
附錄2 常用數(shù)表