表面分析引論（XPS和AES）

1　電子能譜：一些基本概念
　1.1　表面分析
　1.2　能譜標(biāo)識(shí)方法
　1.2.1　譜學(xué)家標(biāo)識(shí)方法
　 1.2.2　X射線標(biāo)識(shí)方法
　1.3　x射線光電子能譜（XPS）
　1.4　俄歇電子能譜（AES）
　1.5　掃描俄歇電子顯微鏡（SAM）
　1.6　電子能譜中的分析深度
　1.7　比較ⅪPS和AES／SAM
　1.8　表面分析設(shè)備
2　電子能譜儀構(gòu)造
　2.1　真空系統(tǒng)
　2.2　樣品
　2.3　X射線源
　2.3.1　雙陽極×射線源
　 2.3.2　X射線單色器
　2.3.3　荷電補(bǔ)償
　2.4　AES的電子槍
　2.4.1 電子源
　 2.4.2　俄歇電子能譜中電子發(fā)射體的比較
　2.5　電子能譜分析器
　2.5.1　筒鏡形分析器
　 2.5.2　半球形分析器
　2.6　探測器
　2.6 1　通道電子倍增器
　 2.6 2　通道板
　2.7　小面積XPS
　2.7.1　透鏡限定小面積XPS
　 2.7.2　源限定小面積XPS
　2.8　XPS成像和面分布成像
　2.8.1　串行采集
　 2.8.2　平行采集
　2.9　小面積XPS的橫向分辨率
　2.10　角分辨XPS
3　電子能譜：定性和定量詮釋
　3.1　定性分析
　 3.1.1　電子能譜中的干擾特征峰
　3.1.2　數(shù)據(jù)采集
　3.2　化學(xué)態(tài)信息
　3.2.1　X射線光電子能譜
　 3.2.2　電子誘導(dǎo)激發(fā)俄歇電子能譜
　3.2.3　俄歇參數(shù)
　 3.2.4　化學(xué)態(tài)圖
　3.2.5　震激伴峰
　 3.2.6　多重劈裂
　3.2.7　等離激元
　3.3　定量分析
　 3.3.1　影響電子能譜定量分析的因素
　3 3.2　XPS定量分析
　 3.3 3　AES定量分析
4　組分深度剖析
　4.1　非破壞性深度剖析方法
　 4.1.1　角分辨電子能譜
　4.1.2　分析深度隨電子動(dòng)能的變化
　4.2　惰性氣體離子刻蝕深度剖析
　4.2.1　濺射過程
　 4.2.2　實(shí)驗(yàn)方法
　　……
5　電子能譜在材料科學(xué)中的應(yīng)用
6　XPS，AES與其他分析技術(shù)的比較
名詞術(shù)語
附錄
索引