半導(dǎo)體概論

半導(dǎo)體科技發(fā)展史概要（代序）
參考文獻(xiàn)
第1章 半導(dǎo)體物理概論
1.1 半導(dǎo)體中電子的能量狀態(tài)
1.1.1 能帶理論
1.1.2 半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)
1.1.3 半導(dǎo)體中的載流子
1.1.4 載流子的有效質(zhì)量
1.2 半導(dǎo)體的導(dǎo)電性
1.2.1 載流子的漂移運(yùn)動(dòng)和半導(dǎo)體的電導(dǎo)率
1.2.2 半導(dǎo)體中的載流子統(tǒng)計(jì)
1.2.3 散射與載流予的遷移率
1.2.4 半導(dǎo)體電阻率的溫度特性
1.3 半導(dǎo)體中的額外載流予
1.3.1 額外載流子的產(chǎn)生與復(fù)合
1.3.2 額外載流子的運(yùn)動(dòng)
1.4 半導(dǎo)體應(yīng)用基礎(chǔ)
1.4.1 半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)
1.4.2 半導(dǎo)體pn結(jié)原理
1.4.3 金屬一半導(dǎo)體接觸原理
1.4.4 MOS柵原理
1.4.5 半導(dǎo)體光電子學(xué)原理
參考文獻(xiàn)
第2章 半導(dǎo)體材料概述
2.1 半導(dǎo)體材料的晶體結(jié)構(gòu)與分類
2.1.1 元素的電負(fù)性與原子的結(jié)合
2.1.2 共價(jià)結(jié)合與正四面體結(jié)構(gòu)
2.1.3 半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)
2.1.4 化合物半導(dǎo)體的極性
2.2 元素半導(dǎo)體
2.2.1 硒（Se）
2.2.2 三種具有半導(dǎo)體特征的結(jié)晶碳
2.2.3 灰錫（a-Sn）
2.2.4 鍺（Ge）
2.2.5 硅（Si）
2.2.6 其他元素半導(dǎo)體
2.3 化合物半導(dǎo)體
2.3.1 Ⅲ—Ⅴ族化合物
2.3.2 Ⅱ—Ⅵ族化合物
2.3.3 氧化物半導(dǎo)體
2.3.4 Ⅳ—Ⅵ族化合物
2.3.5 Ⅳ—Ⅳ族化合物
2.3.6 其他化合物半導(dǎo)體
2.3.7 半導(dǎo)體固溶體
2.4 有機(jī)半導(dǎo)體
2.5 非晶半導(dǎo)體
2.5.1 非晶體結(jié)構(gòu)與制備原理
2.5.2 非晶半導(dǎo)體的電子態(tài)
2.5.3 非晶半導(dǎo)體的輸運(yùn)性質(zhì)
2.5.4 非晶半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)
2.5.5 非晶半導(dǎo)體種類及其應(yīng)用
2.6 精細(xì)結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體
2.6.1 微晶和納米晶
2.6.2 半導(dǎo)體超品格
2.7 磁性及超導(dǎo)半導(dǎo)體
參考文獻(xiàn)
第3章 半導(dǎo)體材料制備概述
3.1 半導(dǎo)體材料制備的理論基礎(chǔ)
3.1.1 相圖
3.1.2 區(qū)熔提純原理
3.1.3 晶體生長原理
3.2 晶體生長技術(shù)
3.2.1 布里奇曼法（BIidgman）
3.2.2 直拉法（czochralski，簡稱cz）
3.2.3 區(qū)熔法（Floating Zone，簡稱FZ）
3.2.4 升華法
3.3半導(dǎo)體薄膜的生長與淀積
3.3.1 外延生長
3.3.2 半導(dǎo)體薄膜的其他制備方法
參考文獻(xiàn)
第4章 雜質(zhì)工程和能帶工程
4.1 常規(guī)摻雜
……
第5章 寬禁帶半導(dǎo)體
第6章 半導(dǎo)體照明