半導體的檢測與分析（第二版）

前言
第1章 引論
　1.1 科學內(nèi)容
　1.2 實驗技術
　1.3 展望
　參考文獻
第2章 半導體晶體的高分辨X射線衍射
　2.1 引言
　2.2 半導體晶體結構與結構缺陷
　2.3 X射線平面波的衍射
　2.4 高分辨X射線衍射的限束
　2.5 異質(zhì)外延多層膜的X射線雙晶衍射
　2.6 三軸衍射
　2.7 晶格參數(shù)的精確測量
　2.8 鑲嵌結構的測量
　2.9 鏡面反射與面內(nèi)掠入射
　參考文獻
　附錄
第3章 光學性質(zhì)檢測分析
　3.1 引言
　3.2 半導體光致發(fā)光
　3.3 半導體的陰極熒光
　3.4 吸引光譜及其相關的薄膜光譜測量方法
　3.5 拉曼散射
　參考文獻
第4章 表面和薄膜成分分析
　4.1 引言
　4.2 俄歇電子能譜
　4.3 X射線光電子譜
　4.4 二次離子質(zhì)譜
4.5 盧瑟福背散射
參考文獻
附錄
第5章 掃描探針顯微學在半導體中的運用
　5.1 引言
　5.2 掃描隧道顯微鏡的基本原理
　5.3 用STM分析表面結構
　5.4 掃描隧道譜
　5.5 彈道電子發(fā)射顯微鏡
　5.6 原子力顯微鏡
　5.7 原子力顯微鏡用于表面分析
　5.8 掃描電容顯微鏡
　5.9 靜電力顯微鏡
　5.10 磁力顯微鏡
　5.11 掃描近場光學顯微鏡
　5.12 原子操縱與納米加工
　參考文獻
第6章 透射電子顯微學及其在半導體研究
　6.1 引言
　6.2 透射電子顯微鏡的基本構造及工作原理
　6.3 顯微像襯度
　6.4 其他技術
　6.5 應用實例
　6.6 結語
　參考文獻
　附錄
第7章 半導體深中心的表征
7.1 深能級瞬態(tài)譜技術
參考文獻
7.2 熱激電流
參考文獻