半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)

第1章　引言　
　1.1　半導(dǎo)體材料　
　1.2　半導(dǎo)體器件　
　1.3　半導(dǎo)體工藝技術(shù)　
　1.4　基本工藝步驟　
　1.5　總結(jié)　
　參考文獻(xiàn)
第2章　晶體生長(zhǎng)　
　2.1　從熔融硅中生長(zhǎng)單晶硅
　2.2　硅的區(qū)熔（float－zone）法單晶生長(zhǎng)工藝
　2.3　砷化鎵晶體的生長(zhǎng)技術(shù)　
　2.4　材料特性
　2.5　總結(jié)
　習(xí)題
　參考文獻(xiàn)
第3章　硅的氧化　
　3.1　熱氧化過(guò)程
　3.2　氧化過(guò)程中的雜質(zhì)再分布
　3.3　二氧化硅的掩模特性
　3.4　氧化質(zhì)量
　3.5　氧化層厚度特性
　3.6　氧化模擬
　3.7　總結(jié)　
　參考文獻(xiàn)
　習(xí)題
第4章　光刻
　4.1　光學(xué)光刻（Optical lithography）
　4.2　新一代的曝光法
　4.3　光刻模擬
　4.4　總結(jié)　
　參考文獻(xiàn)
　習(xí)題
第5章　刻蝕
　5.1　濕法化學(xué)刻蝕（wet chemical etching）
　5.2　干法刻蝕
　5.3　刻蝕仿真
　5.4　總結(jié)
　參考文獻(xiàn)
　習(xí)題
第6章　擴(kuò)散　
　6.1　基本擴(kuò)散工藝
　6.2　非本征擴(kuò)散　
　6.3　橫向擴(kuò)散　
　6.4　擴(kuò)散模擬
　參考文獻(xiàn)
　習(xí)題
第7章　離子注入
　7.1　注入離子的范圍　
　7.2　注入損傷和退火
　7.3　注入相關(guān)工藝
　7.4　離子注入模擬
　7.5　習(xí)題
第8章　薄膜淀積
　8.1　外延生長(zhǎng)技術(shù)
　8.2　外延層結(jié)構(gòu)及缺陷　
　8.3　電介質(zhì)淀積
　8.4　多晶硅淀積
　8.5　金屬化
　8.6　淀積模擬
　8.7　總結(jié)
　參考文獻(xiàn)
　習(xí)題
第9章　工藝集成
　9.1　無(wú)源單元　
　9.2　雙極型工藝
　9.3　MOSFET技術(shù)
　9.4　MESFET技術(shù)
　9.5　MEMS技術(shù)
　9.6　工藝模擬
　9.7　總結(jié)　
　參考文獻(xiàn)
　習(xí)題
第10章　集成電路制造
　10.1　電測(cè)試　
　10.2　封裝
　10.3　統(tǒng)計(jì)工藝控制
　10.4　統(tǒng)計(jì)實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)　
　10.5　成品率
　10.6　計(jì)算機(jī)集成制造
　10.7　總結(jié)　
　參考文獻(xiàn)
　習(xí)題
第11章　未來(lái)趨勢(shì)和挑戰(zhàn)
　11.1　未來(lái)的挑戰(zhàn)
　11.2　片上系統(tǒng)　
　11.3　總結(jié)
　參考文獻(xiàn)
　習(xí)題
附錄
索引