模擬大規(guī)模集成電路設計基礎

第1章　模擬LSI電路設計的變遷　
　1.1　半導體技術和模擬電路　
　1.2　模擬電路的分類　
　1.3　專用LSI和ASIC　
　1.4　系統(tǒng)LSI和模擬電路設計　
　1.5　運算放大器和模擬電路設計　
　1.6　LSI的大規(guī)?；碗娐吩O計方法　
　1.7　CMOS模擬電路設計　
第2章　半導體和晶體管電路的基礎知識
　2.1　半導體的特征　
　　2.1.1　半導體的材料和種類　
　　2.1.2　用硅作半導體材料的理由
　　2.1.3　硅原子和半導體　
　　2.1.4　N型半導體和P型半導體
　　2.1.5　能帶理論　
　　2.1.6　本征半導體和雜質(zhì)半導體
　　2.1.7　化合物半導體　
　2.2　半導體的分類　
　　2.2.1　按用途分類　
　　2.2.2　按結構分類　
　　2.2.3　邏輯LSI的分類　　
　　2.2.4　邏輯LSI的種類　　
　　2.2.5　存儲LSI的種類　　
　2.3　模擬電路設計的分類　
　　2.3.1　使用分立元器件的模擬電路設計
　　2.3.2　使用通用模擬LSI的電路設計　　
　　2.3.3　定制LSI和模擬電路設計　　
　　2.3.4　模擬LSI電路設計　
　　2.3.5　絕對精度和相對精度　
　2.4　晶體管的工作原理和基本放大電路
　　2.4.1　晶體管的工作原理　　
　　2.4.2　雙極型和單極型　
　　2.4.3　正向電壓和發(fā)射極電流的關系
　　2.4.4　基區(qū)寬度調(diào)制（厄利效應）　　
　　2.4.5　晶體管的基本放大電路　　
　　2.4.6　基極接地放大電路　
　　2.4.7　集電極接地放大電路（發(fā)射極跟隨器、緩沖器）
　　2.4.8　發(fā)射極接地放大電路　
第3章　FET及其電路　
　3.1　FET的工作原理與基本放大電路
　　3.1.1　FET的工作原理　
　　3.1.2　借助于耗盡層的電流控制（溝道長度調(diào)制）
　　3.1.3　結型FET的主要參數(shù)　
　　3.1.4　按特性對FET分類（增強型和耗盡型）　
　　3.1.5　按柵極結構對FET進行分類（結型、肖特基型及MOS型）　
　　3.1.6　FET與晶體管的比較　　
　　3.1.7　結型FET和絕緣柵（MOS）型FET的不同
　3.2　CMOS型FET　
　　3.2.1　CMOS型FET的概要　
　　3.2.2　CMOs的結構　
　　3.2.3　CMOS和邏輯電路　
　　3.2.4　CMOS反相器和自鎖效應　　
　3.3　Bi-CMOS電路　
　　3.3.1　Bi-CMOS的概要　
　　3.3.2　Bi-CMOS邏輯電路　
　　3.3.3　混合信號（Mixed Signal）　
　3.4　FET的基本放大電路　
　　3.4.1　FET的三種接地放大電路　
　　3.4.2　源極接地電路
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第4章　雙極型集成電路及其構成要素
第5章　模擬基本LSI電路
第6章　模擬應用LSI電路
第7章　CMOS FFT模擬LSI電路
第8章　噪聲和熱
第9章　基于仿真的電路設計
參考文獻