太陽(yáng)電池材料

第1章 太陽(yáng)能和光電轉(zhuǎn)換
1.1 太陽(yáng)能
1.2 太陽(yáng)能輻射和吸收
1.3 太陽(yáng)能光電的研究和應(yīng)用歷史
1.4 太陽(yáng)電池的研究和開(kāi)發(fā)
參考文獻(xiàn)
第2章 太陽(yáng)能光電材料及物理基礎(chǔ)
2.1 半導(dǎo)體材料和太陽(yáng)能光電材料
2.2 載流子和能帶
2.3 雜質(zhì)和缺陷能級(jí)
2.4 熱平衡下的載流子
2.5 非平衡少數(shù)載流子
2.6 p-n結(jié)
2.7 金屬-半導(dǎo)體接觸和MIS結(jié)構(gòu)
2.8 太陽(yáng)能光電轉(zhuǎn)換原理??光生伏特效應(yīng)
參考文獻(xiàn)
第3章 太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)和制備
3.1 太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)和光電轉(zhuǎn)換效率
3.2 晶體硅太陽(yáng)電池的基本工藝
3.3 薄膜太陽(yáng)電池
參考文獻(xiàn)
第4章 單晶硅材料
4.1 硅的基本性質(zhì)
4.2 太陽(yáng)電池用硅材料
4.3 高純多晶硅的制備
4.4 太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的制備
4.5 區(qū)熔單晶硅
4.6 直拉單晶硅
4.7 硅晶片加工
參考文獻(xiàn)
第5章 直拉單晶硅中的雜質(zhì)和位錯(cuò)
5.1 直拉單晶硅中的氧
5.2 直拉單晶硅中的碳
5.3 直拉單晶硅中的金屬雜質(zhì)
5.4 直拉單晶硅中的位錯(cuò)
參考文獻(xiàn)
第6章 鑄造多晶硅
6.1 概述
6.2 鑄造多晶硅的制備工藝
6.3 鑄造多晶硅的晶體生長(zhǎng)
參考文獻(xiàn)
第7章 鑄造多晶硅中的雜質(zhì)和缺陷
7.1 鑄造多晶硅中的氧
7.2 鑄造多晶硅中的碳
7.3 鑄造多晶硅中的氮
7.4 鑄造多晶硅中的氫
7.5 鑄造多晶硅中的金屬雜質(zhì)和吸雜
7.6 鑄造多晶硅中的晶界
7.7 鑄造多晶硅中的位錯(cuò)
參考文獻(xiàn)
第8章 帶硅材料
8.1 帶硅材料的制備
8.2 帶硅生長(zhǎng)的基本問(wèn)題
8.3 帶硅材料的缺陷和雜質(zhì)
8.4 帶硅材料的氫鈍化和吸雜
參考文獻(xiàn)
第9章 非晶硅薄膜
第10章 多晶硅薄膜
第11章 GaAs半導(dǎo)體材料
第12章 CdTe和CdS薄膜材料
第13章 CuInSe2（CuInS2）薄膜材料