高校教材現(xiàn)代電力電子器材及其應(yīng)用

第1章 半導(dǎo)體器件的理論基礎(chǔ)
　1.1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)
　　1.1.1 半超導(dǎo)體與金屬中的載流子
　　1.1.2 電子在金屬和半導(dǎo)體的能量分布
　　1.1.3 半導(dǎo)體導(dǎo)電的熱敏性
　1.2 PN結(jié)原理
　　1.2.1 平衡條件下的PN結(jié)
　　1.2.2 偏置條件下的PN結(jié)
　　1.2.3 PN結(jié)的穿通與擊穿
　　1.2.4 PN結(jié)的電容
　　1.2.5 PN結(jié)的動(dòng)態(tài)特性
　參考文獻(xiàn)
　思考題
第2章 半導(dǎo)體二極管與晶體管
　2.1 半導(dǎo)體二極管
　　2.1.1 分段線模型
　　2.1.2 PN結(jié)功率二極管
　　2.1.3 FRED（Fast Recovery Epitomical Diode）
　　2.1.4 穩(wěn)壓二極管
　　2.1.5 肖特基勢壘二極管
　　2.1.6 碳化硅肖特基勢壘二極管
　2.2 雙極晶體管（BJT）
　　2.2.1 雙極晶體管的基本結(jié)構(gòu)
　　2.2.2 雙極晶體管的基本工作原理
　　2.2.3 雙極晶體管的放大作用
　　2.2.4 雙極晶體管的靜態(tài)工作特性
　　2.2.5 雙極晶體管的特性參數(shù)
　2.3 場效應(yīng)晶體管（FET）
　　2.3.1 結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）
　　2.3.2 絕緣柵場效應(yīng)晶體管（MOSFET）
　參考文獻(xiàn)
　思考題
第3章 晶閘管
　3.1 晶閘管的工作原理與特性
　　3.1.1 晶閘管的基本結(jié)構(gòu)和基本特性
　　3.1.2 晶閘管的基本工作原理
　　3.1.3 晶閘管的靜態(tài)特性與參數(shù)
　　3.1.4 晶閘管的動(dòng)態(tài)特性與參數(shù)
　　3.1.5 晶閘管特性參數(shù)表
　3.2 特種用途晶閘管
　　3.2.1 快速晶閘管（FST）
　　3.2.2 逆導(dǎo)晶閘管（RCT）
　　3.2.3 雙向晶閘管（TRLAC）
　　3.2.4 光控晶閘管（LTT）
　3.3 晶閘管應(yīng)用基礎(chǔ)
　　3.3.1 晶閘管的串并聯(lián)應(yīng)用
　　3.3.2 晶閘管的保護(hù)方式
　參考文獻(xiàn)
　思考題
第4章 自關(guān)斷雙極器件
　4.1 巨型雙極晶體管（GTR）
　　4.1.1 GTR的結(jié)構(gòu)
　　4.1.2 GTR的工作特性
　　4.1.3 GTR的擊穿特性與安全工作區(qū)
　4.2 門極可關(guān)斷晶閘管（GTO）
　　4.2.1 GTO的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
　　4.2.2 GTO的基本結(jié)構(gòu)性及特性參數(shù)
　　4.2.3 GTO的失效與保護(hù)
　參考文獻(xiàn)
　思考題
第5章 功率場控器件
　5.1 功率MOSFET
　　5.1.1 功率MOSFET的結(jié)構(gòu)
　　5.1.2 功率MOSFET的工作特性
　　5.1.3 功率MOSFET的可靠性問題
　　5.1.4 功率MOSFET的應(yīng)用基礎(chǔ)
　5.2 IGBT、MCT和IPM
　　5.2.1 IGBT的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
　　5.2.2 IGBT的工作特性
　　5.2.3 MCT
　　5.2.4 智能功率模塊IPM（Intelligent Power Module）
　5.3 SIT和SITH
……
第6章 電力電子器件的散熱
附錄1 1956年諾貝爾物理獎(jiǎng)——晶體管的發(fā)明經(jīng)過及電力電子器件的發(fā)展
附錄2 引人注目的新型IGBT：NPT-IGBT