光纖通信用光電子器件制作工藝基礎(chǔ)

第1章 器件與工藝技術(shù)物理基礎(chǔ)
1. 1 能帶概念
1. 2 本征半導(dǎo)體與態(tài)密度
1. 3 施主與受主
1. 4 雜質(zhì)電離
1. 5 載流子的運動
1. 6 p-n結(jié)
1. 7 p-n結(jié)擊穿
1. 8 異質(zhì)結(jié)
第2章 光電子器件的基本結(jié)構(gòu)及其關(guān)鍵制作工藝
2. 1 激光二級管的基本結(jié)構(gòu)和制作
2. 2 光電探測器的結(jié)構(gòu)和制作
2. 3 半導(dǎo)體放大器的結(jié)構(gòu)和制作
2. 4 光調(diào)制器的結(jié)構(gòu)與制作
2. 5 半導(dǎo)體光開關(guān)的結(jié)構(gòu)和制作
2. 6 集成光電子器件的結(jié)構(gòu)和制作
第3章 光電子器件的材料制備技術(shù)
3. 1 基底片制備
3. 2 光電子器件用Si基材料的制備
3. 3 光電子器件用Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料和外延生長
3. 4 Ⅲ-Ⅴ族化合物的液相外延生長
3. 5 Ⅲ-Ⅴ族化合物的鹵化物輸運汽相外延生長
3. 6 金屬有機化合物汽相淀積
3. 7 分子束外延生長
3. 8 化學(xué)束外延生長
3. 9 原子層. 分子層外延生長
3. 10 Ⅲ-Ⅴ族化合物低維半導(dǎo)體材料的制備技術(shù)
3. 11 光子晶體薄膜及其制備
3. 12 異質(zhì)材料的晶片鍵合技術(shù)
3. 13 光電子器件外延層質(zhì)量檢測
第4章 光電子器件制作中的光刻和腐蝕
4. 1 UV光刻
4. 2 電子束光刻
4. 3 X射線光刻
4. 4 納米印刷光刻
4. 5 飛秒激光脈沖直接光刻
4. 6 光柵制作
4. 7 濕法化學(xué)腐蝕蝕刻圖形
4. 8 干法腐蝕蝕刻圖形
第5章 光電子器件的摻雜技術(shù)
5. 1 擴散摻雜
5. 2 離子注入摻雜
5. 3 外延摻雜
第6章 光電子器件中的介質(zhì)薄膜及其制備
6. 1 光電子器件中的介質(zhì)薄膜
6. 2 介質(zhì)膜的制備
第7章 光電子器件的電極金屬膜及其制備
7. 1 光電子器件對電極金屬膜的要求
7. 2 光電子器件的歐姆接觸材料
7. 3 光電子器件的金屬化淀積技術(shù)
第8章 光電子器件和組件的組裝和封裝
8. 1 光電子器件的組裝
8. 2 光電子組件的組裝
8. 3 光電子器件和組件的封裝
第9章 光電子器件在制作和使用中引入缺陷及其缺陷控制和檢測
9. 1 光電子器件在晶體生長中造成的缺陷及其控制和檢測
9. 2 光電子器件制作過程中引入的缺陷
9. 3 光電子器件工作過程中引入的缺陷反應(yīng)
9. 4 不合格器件的剔除
附錄 英文縮寫詞
參考文獻(xiàn)