中國材料工程大典（第11卷信息功能材料工程上）

第1篇 概論
第1章 信息功能材料在信息技術中的戰(zhàn)略地位
第2章 信息功能材料的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢
參考文獻
第2篇 半導體硅材料
第1章 概述
第2章 硅單晶的制備
第3章 硅晶體的機械性質(zhì)
第4章 硅晶體表面性質(zhì)
第5章 硅晶體的腐蝕
第6章 硅晶片加工工藝
第7章 硅單晶的缺陷
第8章 硅單晶中輕元素雜質(zhì)
第9章 硅單晶中的過渡族金屬雜質(zhì)和吸雜
第10章 其它硅材料
第11章 硅材料的發(fā)光
參考文獻
第3篇 集成電路制造技術
第1章 集成電路設計技術
第2章 微細加工技術
第3章 集成電路工藝技術
第4章 CMOS器件及電路制造技術
第5章 雙極型器件及電路制造技術
第6章 半導體功率器件及電路
第7章 化合物半導體器件和電路
第8章 集成電路封裝技術
參考文獻
第4篇 硅基異質(zhì)結構材料和器件
第1章 概論
第2章 SiGe的晶體結構
第3章 SiGe的能帶結構
第4章 SiGe的力學性質(zhì)、熱學性質(zhì)和Raman光譜
第5章 SiGe的電學性質(zhì)和磁學性質(zhì)
第6章 SiGe的光學性質(zhì)
第7章 SiGe（001）的原子再構和表面性質(zhì)
第8章 SiGeC/Si異質(zhì)結
第9章 硅基Ⅲ—Ⅴ族半導體異質(zhì)結構
第10章 SOI材料和器件
第11章 硅基二氧化硅材料
第12章 Si基異質(zhì)結構的外延生長
第13章 Si基異質(zhì)結構電子器件
第14章 硅基光電子器件
參考文獻
第5篇 化合物半導體材料
第1章 CaAs和InP的結構和性質(zhì)
第2章 GaAs和InP的制備
第3章 GaAs和InP中的雜質(zhì)和缺陷
第4章 GaAs和InP測試表征
第5章 GaAs和InP的應用
第6章 其他常見化合物半導體材料
參考文獻
第6篇 寬帶隙半導體及其應用
第1章 導論
第2章 Ⅲ族氮化物半導體材料
第3章 Ⅲ族氮化物半導體基本物理性質(zhì)
第4章 Ⅲ族氮化物半導體器件應用
第5章 氧化鋅（ZnO）半導體
第6章 碳化硅半導體
第7章 金剛石半導體
第8章 Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體
第9章 寬禁帶稀釋磁性半導體材料
參考文獻