納米電子材料與器件

第1章  納米技術(shù)概論    1.1  引言    1.2  基本概念和內(nèi)涵    1.3  納米技術(shù)發(fā)展簡史    1.4  納米技術(shù)的應用    1.5  納米技術(shù)發(fā)展的主要難點    主要參考文獻    第2章  納米電子技術(shù)基礎(chǔ)〖ST〗    2.1  納米效應    2.2  納米薄膜技術(shù)        2.2.1  基片的選擇        2.2.2  制膜方法        2.2.3  成膜方法比較    2.3  超晶格與低維材料        2.3.1  超晶格材料及其電子狀態(tài)        2.3.2  低維材料        2.3.3  多孔硅        2.3.4  納米微晶硅薄膜    2.4  納米器件工藝概論    主要參考文獻    第3章  納米導電材料    3.1  納米金屬的性質(zhì)與制備        3.1.1  納米金屬材料的主要物理性質(zhì)        3.1.2  納米金屬固體的制備方法        3.1.3  納米金屬膜的制備方法        3.1.4  納米金屬的結(jié)構(gòu)與形態(tài)        3.1.5  納米金屬中的晶界和非平衡結(jié)構(gòu)合金    3.2  納米金屬在電子工業(yè)中的應用        3.2.1  納米銅        3.2.2  納米導電漿料        3.2.3  低溫焊料        3.2.4  用于傳感器的納米金屬顆粒        3.2.5  納米金屬——介孔異質(zhì)復合體    3.3  納米電磁屏蔽與吸波材料        3.3.1  電磁屏蔽在信息社會中的重要性        3.3.2  電磁屏蔽與吸波材料的工作機理        3.3.3  納米材料的吸波主要機制        3.3.4  納米屏蔽與吸波材料動態(tài)    3.4  納米電極材料        3.4.1  納米鎳電極        3.4.2  納米超級電容器電極        3.4.3  納米鋰離子蓄電池電極        3.4.4  納米電極材料開發(fā)中需解決的問題    3.5  納米金屬線與納米同軸電纜        3.5.1  納米金屬線及其合成方法        3.5.2  納米金屬線的應用        3.5.3  同軸納米電纜    主要參考文獻    第4章  納米電子陶瓷    4.1  電子陶瓷與納米電子陶瓷        4.1.1  電子陶瓷的發(fā)展        4.1.2  納米電子陶瓷的內(nèi)涵及其分類        4.1.3  納米電子陶瓷的性能        4.1.4  納米電子陶瓷的發(fā)展    4.2  納米電子陶瓷的制備技術(shù)        4.2.1  納米電子陶瓷粉體制備技術(shù)        4.2.2  納米陶瓷粉體的團聚        4.2.3  納米電子陶瓷的成型技術(shù)        4.2.4  納米電子陶瓷的燒結(jié)技術(shù)    4.3  納米介電陶瓷        4.3.1  納米絕緣電子陶瓷        4.3.2  納米壓電與鐵電陶瓷        4.3.3  納米敏感陶瓷    4.4  納米電子陶瓷薄膜        4.4.1  納米電子陶瓷薄膜概述        4.4.2  納米壓電鐵電薄膜        4.4.3  用于VLSI低介電常數(shù)材料納米多孔二氧化硅        4.4.4  納米金剛石膜        4.4.5  納米氣敏陶瓷薄膜    主要參考文獻    第5章  納米磁性材料    5.1  納米磁性材料的介觀磁性與分類        5.1.1  納米磁性材料的介觀磁性        5.1.2  納米磁性材料的分類    5.2  巨磁電阻效應及材料        5.2.1  基本概念        5.2.2  巨磁電阻材料        5.2.3  隧道磁電阻材料        5.2.4  龐磁電阻材料        5.2.5  三類磁電阻材料的比較    5.3  GMR磁電子器件        5.3.1  硬盤讀出磁頭        5.3.2  磁性隨機存儲器        5.3.3  GMR傳感器        5.3.4  磁電子器件的新發(fā)展    5.4  納米晶軟磁材料        5.4.1  納米晶軟磁材料的特性        5.4.2  主要的納米晶軟磁材料        5.4.3  納米晶軟磁材料的制備及應用    5.5  納米晶復合永磁材料        5.5.1  納米晶復合永磁材料的特征        5.5.2  常見的納米晶復合永磁材料        5.5.3  納米晶復合永磁材料制備與應用領(lǐng)域        5.5.4  研究熱點    5.6  磁致冷工質(zhì)        5.6.1  磁致冷的基本原理        5.6.2  磁致冷工質(zhì)    5.7  磁性液體和納米磁記錄介質(zhì)材料        5.7.1  磁性液體        5.7.2  磁性液體的應用        5.7.3  納米磁記錄材料    主要參考文獻    第6章  低維半導體材料    6.1  低維半導體材料概述        6.1.1  低維半導體材料        6.1.2  納米半導體中能譜與量子效應    6.2  納米半導體材料的制備與評價        6.2.1  半導體微結(jié)構(gòu)材料生長和精細加工相結(jié)合的制備技術(shù)        6.2.2  應變自組裝納米量子點（線）結(jié)構(gòu)生長技術(shù)        6.2.3  半導體納米結(jié)構(gòu)材料的其他制備技術(shù)        6.2.4  納米半導體的評價技術(shù)    6.3  超晶格與量子阱材料        6.3.1  超晶格與量子阱的特性        6.3.2  ⅢⅤ族超晶格、量子阱材料        6.3.3  硅基應變異質(zhì)結(jié)構(gòu)超晶格與量子阱材料        6.3.4  ⅡⅥ族超晶格、量子阱材料        6.3.5  超晶格與量子阱的主要應用    6.4  半導體量子線        6.4.1  半導體量子線的制備        6.4.2  納米線的主要性能        6.4.3  半導體量子線材料與應用    6.5  量子點        6.5.1  量子點的制備        6.5.2  量子點的主要性質(zhì)        6.5.3  半導體量子點的主要應用    6.6  準一維納米材料        6.6.1  碳納米管        6.6.2  碳納米管的性能        6.6.3  碳納米管的應用        6.6.4  非碳納米管準一維材料        6.6.5  準一維納米氧化鋅    主要參考文獻    第7章  納米光電材料    7.1  納米發(fā)光材料        7.1.1  納米發(fā)光材料的光學性質(zhì)        7.1.2  納米半導體發(fā)光材料        7.1.3  納米復合發(fā)光材料        7.1.4  納米稀土發(fā)光材料    7.2  納米透明導電氧化物薄膜材料        7.2.1  透明導電氧化物（TCO）薄膜        7.2.2  氧化銦錫透明導電薄膜        7.2.3  SnO2透明導電薄膜        7.2.4  摻鋁氧化鋅透明導電薄膜        7.2.5  納米透明導電薄膜的進展    7.3  納米光—電轉(zhuǎn)換材料        7.3.1  太陽能電池        7.3.2  薄膜太陽能電池        7.3.3  納米結(jié)構(gòu)電化學太陽能光電池        7.3.4  納米太陽能電池的進展    7.4  納米非線性光學材料        7.4.1  非線性光學材料概述        7.4.2  納米半導體材料的三階光學非線性成因        7.4.3  一些納米顆粒的非線性光學性質(zhì)        7.4.4  半導體/介質(zhì)納米鑲嵌材料的非線性光學性質(zhì)        7.4.5  納米二階非線性光學材料    主要參考文獻    第8章  納米體系中的電子波和電子波器件    8.1  電子波和介觀體系        8.1.1  電子波和電子波函數(shù)的相位相關(guān)性        8.1.2  介觀體系的特殊性質(zhì)        8.1.3  二維電子氣的量子Hall效應簡介        8.1.4  介觀體系的電導漲落效應、非局域性效應和持續(xù)電流效應        8.1.5  彈道區(qū)的量子化電導效應    8.2  量子干涉        8.2.1  電子波干涉程度的表示        8.2.2  實現(xiàn)量子干涉的條件        8.2.3  相位破損的機理