COMS電路設(shè)計布局與仿真

譯者序
前言
第一部分 CMOS基礎(chǔ)
  第1章 概述
  第2章 阱
  第3章 金屬層
  第4章 有源區(qū)層和多晶硅層
  第5章 MOSFET
  第6章 BSIM SPICE模型
  第7章 CMOS無源元件
  第8章 用LasiCkt做設(shè)計驗證
  第9章 MOSFET的模擬模型
  第10章 MOSFET的數(shù)字模型
第二部分 CMOS數(shù)字電路
  第11章 反相器
  第12章 靜態(tài)邏輯門
  第13章 傳輸門和觸發(fā)器
  第14章 動態(tài)邏輯電路
  第15章 VLSI版圖設(shè)計
  第16章 BiCMOS邏輯門
  第17章 存儲電路
  第18章 專用數(shù)字電路
  第19章 數(shù)字鎖相環(huán)
第三部分 CMOS模擬電路
  第20章 電流源和電流沉
  第21章 基準(zhǔn)源
  第22章 放大器
  第23章 反饋放大器
  第24章 差分放大器
  第25章 運算放大器
第四部分 混合信號電路
  第26章 非線性模擬電路
  第27章 動態(tài)模擬電路
  第28章 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器基礎(chǔ)
  第29章 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)
附錄
  附錄A Orbit CN20工藝
  附錄B MOSIS按比例設(shè)計規(guī)劃
  附錄C HP CMOS14TB工藝
索引