納米電子材料與器件

第一章　緒論
1.1 納米科學(xué)技術(shù)的誕生及其潛在影響
1.1.1 納米科學(xué)技術(shù)的起源和發(fā)展
1.1.2 納米科學(xué)技術(shù)對(duì)人類(lèi)的潛在影響
1.2 從微電子學(xué)到納米電子學(xué)
1.2.1 微電子器件發(fā)展的摩爾定律
1.2.2 納米電子學(xué)的誕生
1.2.3 納米電子學(xué)的研究基礎(chǔ)
1.3　納米電子材料和器件
1.3.1 納米電子材料及其應(yīng)用
1.3.2 電子器件的發(fā)展
1.3.3 納米電子器件及其研究?jī)?nèi)容
1.4 納米尺度材料和器件的制備、測(cè)量及其表征
1.4.1 電子材料和器件發(fā)展過(guò)程中的相互作用
1.4.2 電子薄膜材料及其多層化薄膜器件是目前研究的主流
1.4.3 納米測(cè)量和表征及其基本特點(diǎn)
小結(jié)
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第二章　納米材料及其電子學(xué)性質(zhì)
2.1 納米電子材料
2.1.1 分類(lèi)和特征
2.1.2 制備方法簡(jiǎn)介
2.2 納米結(jié)構(gòu)及其組裝技術(shù)
2.2.1 納米結(jié)構(gòu)及其特征
2.2.2 納米結(jié)構(gòu)的組裝技術(shù)
2.3 固體電子學(xué)基礎(chǔ)
2.3.1 晶體的電子能帶結(jié)構(gòu)
2.3.2 費(fèi)米分布函數(shù)
2.3.3 金屬和半導(dǎo)體中的電子分布
2.4　維納米材料的電子結(jié)構(gòu)
2.4.1 低維半導(dǎo)體的電子結(jié)構(gòu)
2.4.2 碳納米管及其電子學(xué)性質(zhì)
2.5 有限高勢(shì)壘的量子隧穿理論
2.5.1 一維對(duì)稱(chēng)方勢(shì)壘的隧穿理論
2.5.2 半導(dǎo)體超晶格及其微帶輸運(yùn)
小結(jié)
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第三章　納米硅基CMOS器件
3.1　硅基MOS集成電路技術(shù)步入納米尺度
3.1.1 國(guó)際MOS集成電路技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展史
3.1.2 國(guó)際納米尺度CMOS器件的研究現(xiàn)狀
3.2 納米CMOS器件面臨的挑戰(zhàn)
3.2.1 CMOS技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)
3.2.2 納米CMOS器件新物理效應(yīng)
3.3 納米體硅CMOS器件結(jié)構(gòu)
3.3.1 按比例縮小限制
3.3.2 納米CMOS器件中的柵結(jié)構(gòu)
3.3.3 納米CMOS器件中溝道結(jié)構(gòu)
3.3.4 納米CMOS器件中源漏淺結(jié)結(jié)構(gòu)——超淺結(jié)和相關(guān)離子摻雜新技術(shù)
3.4 納米體硅CMOS器件工藝
3.4.1 納米體硅器件的圖形制備技術(shù)
3.4.2 超細(xì)柵線條和超淺pn結(jié)的制作
3.5 納米體硅CMOS器件的量子效應(yīng)
3.5.1 薄柵氧化層的量子隧穿效應(yīng)
3.5.2 溝道反型層量子化效應(yīng)
3.5.3 溝道雜質(zhì)隨機(jī)分布
3.6 新型CMOS器件及其集成技術(shù)
3.6.1 SOI MOSFET
3.6.2 雙柵MOSFET
小結(jié)
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第四章　納米電子學(xué)基礎(chǔ)
4.1 固體電子學(xué)在納米尺度的發(fā)展空間
4.2 小尺度晶體中電子的輸運(yùn)性質(zhì)
4.2.1 電子運(yùn)動(dòng)的幾個(gè)基本物理特征長(zhǎng)度
4.2.2 晶體中電子輸運(yùn)性質(zhì)
4.3 納米結(jié)構(gòu)的基本物理現(xiàn)象及其規(guī)律
4.3.1 納米結(jié)構(gòu)中載流子輸運(yùn)的幾個(gè)基本物理現(xiàn)象
4.3.2 量子導(dǎo)線的理想彈道輸運(yùn)和電導(dǎo)量子
4.3.3 庫(kù)侖阻塞和單電子隧穿
4.4 納米結(jié)構(gòu)的Landauer一Buttiker輸運(yùn)理論
4.4.1 納米結(jié)構(gòu)的二端單通道模式的Landauer電導(dǎo)公式
4.4.2 納米結(jié)構(gòu)的二端多通道模式的Buttiker電導(dǎo)公式
小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第五章　固態(tài)納米電子器件
5.1 量子電子器件的基本類(lèi)型及其特征
5.2共振隧穿器件
5.2.1 雙勢(shì)壘結(jié)構(gòu)及其共振隧穿效應(yīng).
5.2.2 共振隧穿器件的工作機(jī)理
5.2.3 RTD應(yīng)用
5.3 單電子器件
5.3.1 單電子盒——最簡(jiǎn)單的單電子器件
5.3.2 單電子晶體管
5.4　碳納米管互連及其場(chǎng)效應(yīng)晶體管
5.4.1 碳納米管輸運(yùn)性質(zhì)及其互連
5.4.2 碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管
5.4.3 碳納米管在未來(lái)納米電子學(xué)中的發(fā)展前景
小結(jié)
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第六章　納米光電子材料和器件
6.1 固體光電子學(xué)的發(fā)展歷史
6.1.1 固體光電子學(xué)的發(fā)展
6.1.2 納米光電子器件的起源和研究現(xiàn)狀
6.2　低維半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)
6.2.1 半導(dǎo)體中的激子理論
6.2.2 低維半導(dǎo)體中的帶間躍遷及其激子效應(yīng)
6.2.3 半導(dǎo)體量子阱中同一帶內(nèi)子帶間光躍遷
6.3　仁導(dǎo)體發(fā)光二極管
6.3.1 發(fā)光二極管簡(jiǎn)介
6.3.2 白光二極管和未來(lái)照明工程
6.3.3 InGaN/（3aN量子阱高亮度發(fā)光二極管
6.4　異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體激光器
6.4.1 雙異質(zhì)結(jié)激光器
6.4.2 量子阱/超晶格異質(zhì)結(jié)激光器
6.4.3 量子點(diǎn)半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)激光器
6.4.4 單量子線半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)激光器
6.5 導(dǎo)體光電/光熱探測(cè)器
6.5.1 量子光電探測(cè)原理和應(yīng)用
6.5.2 光熱探測(cè)機(jī)理及應(yīng)用
6.5.3 納米傳感器、執(zhí)行器及其智能微系統(tǒng)MEMS和NEMS
6.6 光子晶體及其應(yīng)用
6.6.1 光子晶體基本理論和基本特性
6.6.2 光子晶體的制備和應(yīng)用研究
小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第七章　納米表征和納米制造技術(shù)
7.1 納米表征技術(shù)
7.1.1 X射線衍射方法
7.1.2 電子束分析方法
7.1.3 表面分析技術(shù)
7.1.4 掃描探針技術(shù)
7.2 納米制造技術(shù)
7.2.1 納米制造技術(shù)的兩個(gè)基本途徑及其綜合
7.2.2 薄膜沉積技術(shù)及其應(yīng)用
7.2.3 納米結(jié)構(gòu)的圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)
7.2.4 納米結(jié)構(gòu)的自組裝技術(shù)
小結(jié)
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第八章　碳納米管場(chǎng)致發(fā)射顯示器
8.1 場(chǎng)致發(fā)射現(xiàn)象及其基本規(guī)律
8.1.1 真空微/納電子學(xué)和場(chǎng)致電子發(fā)射現(xiàn)象
8.1.2 場(chǎng)致電子發(fā)射的Fowle—Nordhaeim理論
8.1.3 場(chǎng)致發(fā)射冷陰極的應(yīng)用研究
8.2 碳納米管陰極的場(chǎng)致發(fā)射性質(zhì)
8.2.1 單根碳納米管及其陣列的場(chǎng)致發(fā)射性質(zhì)
8.2.2 直接生長(zhǎng)碳納米管膜陰極的場(chǎng)致發(fā)射性質(zhì)
8.2.3 印制型碳納米管膜陰極的場(chǎng)致發(fā)射性質(zhì)研究
8.3 碳納米管平板顯示器
8.3.1 場(chǎng)致發(fā)射平板顯示器的顯示原理和研究現(xiàn)狀
8.3.2 CNTFEA制備技術(shù)
8.3.3 三極結(jié)構(gòu)CNT-FED陰極的制備技術(shù)
8.3.4 CNT-FED的發(fā)展前景
小結(jié)
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