集成非制冷熱成像探測(cè)陣列

第一章 熱探測(cè)器發(fā)展簡(jiǎn)史
  參考文獻(xiàn)
第二章 熱探測(cè)原理
  2.1 熱輻射及熱探測(cè)器基本概念
   2.1.1 熱輻射概念
   2.1.2 熱探測(cè)器的基本參數(shù)
  2.2 熱探測(cè)器的基本結(jié)構(gòu)
  2.3 測(cè)輻射熱計(jì)原理
   2.3.1 偏置效應(yīng)
   2.3.2 測(cè)輻射熱計(jì)的噪聲
   2.3.3 限制測(cè)輻射熱計(jì)性能的主要因素
  2.4 熱釋電探測(cè)原理
   2.4.1 鐵電材料的熱釋電性質(zhì)
   2.4.2 熱釋電探測(cè)模式
   2.4.3 熱釋電響應(yīng)
   2.4.4 熱釋電探測(cè)器的噪聲
   2.4.5 實(shí)際熱釋電探測(cè)器
  參考文獻(xiàn)
第三章 熱探測(cè)材料
  3.1 測(cè)輻射熱計(jì)材料
   3.1.1 材料選擇依據(jù)
   3.1.2 常用的測(cè)輻射熱計(jì)材料
  3.2 熱釋電材料
   3.2.1 熱釋電材料選擇的依據(jù)
   3.2.2 常用熱釋電簿膜材料
  參考文獻(xiàn)
第四章 熱探測(cè)薄膜制備技術(shù)
  4.1 薄膜制備的基本方法
   4.1.1 常用薄弱沉積方法
   4.1.2 薄膜的生長(zhǎng)過(guò)程
   4.1.3 襯底
   4.1.4 其它薄膜沉積技術(shù)
  4.2 電阻薄膜的沉積
   4.2.1 αSi:H
   4.2.2 VOx薄膜的制備
   4.2.3 非晶YBCO薄膜
  4.3 鐵電薄膜的制備
   4.3.1 化學(xué)溶液法
   4.3.2 濺射
   4.3.3 MOCVD
   4.3.4 脈沖激光沉積技術(shù)（PLD）
  參考文獻(xiàn)
第五章 熱探測(cè)器的基本結(jié)構(gòu)與集成制造
第六章 熱探測(cè)器陣列的信號(hào)處理
第七章 熱探測(cè)器陣我與系統(tǒng)性能測(cè)試
第八章 新型熱探測(cè)技術(shù)與熱成像系統(tǒng)的典型應(yīng)用