納米薄膜技術與應用

第1章導論1
11納米學的基本概念和內(nèi)涵1
111納米學的基本概念1
112納米材料研究范圍和內(nèi)容2
113納米材料的電子結構3
114納米材料研究中的物理問題4
115納米材料的化學性能7
12納米微粒10
13納米薄膜11
14納米材料和技術發(fā)展現(xiàn)狀18
141納米材料和技術發(fā)展簡史18
142納米技術在飛速發(fā)展19
15納米薄膜材料和器件在高科技中的地位24
151納電子器件基本概念24
152納電子器件特性26
參考文獻27
第2章納米薄膜材料的制備方法和性能29
21納米薄膜的制備方法30
211蒸發(fā)冷凝法30
212濺射法32
213微波法36
214分子束外延37
215金屬有機化學氣相沉積40
216溶膠凝膠法43
217化學氣相沉積法46
218電化學法（電沉積）49
219分子自組裝技術51
2110模板合成法54
22納米薄膜的性能55
221力學性能55
222光學性能58
223電磁學特性59
224氣敏特性60
23性能檢測61
參考文獻62
第3章半導體納米量子點63
31半導體量子點的研究概況63
32cds膠體量子點的制備和量子尺寸效應67
321cds量子點的制備和結構67
322量子尺寸效應69
323cds量子點的光致發(fā)光特性71
33cds/cus/cds量子點及量子阱73
331cds/cus/cds量子點量子阱結構的制備74
332cds/cus/cds三層結構的驗證75
333cds/cus/cds體系的光學特性78
34inas/gaas和ingaas/gaas量子點制備、特性和
應用79
341inas/gaas量子點79
342ingaas/gaas量子點83
35zno量子點——半導體激光器新材料88
351znse基激光器存在的問題88
352zno材料的基本特性89
353zno的外延生長90
354zno量子點的光學特性91
36電沉積量子點［cdse/au，cd（se，te）/au，
（cd，zn）se/au］93
361cdse/au系統(tǒng)94
362cd（se，te）/au系統(tǒng)95
363（cd，zn）se/au系統(tǒng)95
參考文獻97
第4章si基納米薄膜材料與器件98
41si發(fā)光面臨的問題100
411si和ge是間接型能帶結構100
412si納米晶激光器初現(xiàn)端倪101
413納米si薄膜的制備方法103
42ge納米晶發(fā)光膜（ge/sio2）106
421ge納米發(fā)光膜的制備106
422ge納米晶的發(fā)光特性107
423ge納米晶發(fā)光機理110
43納米sic發(fā)光薄膜111
431hfcvd法制備納米sic薄膜112
432mwecr法制備納米sic薄膜113
44納米多孔si膜發(fā)光117
441多孔si的結構118
442多孔si的光學性質(zhì)120
443多孔si的形成122
444多孔si的制作及其鈍化123
45納米si薄膜器件125
451納米si薄膜摻雜的可控性125
452摻雜納米si薄膜的熱穩(wěn)定性126
453納米si異質(zhì)結二極管的獨特性能127
參考文獻129
第5章納米材料的模板合成法130
51厚膜模板法合成納米陣列131
511模板的制備和分類132
512納米結構的厚膜模板合成方法和技術要點134
52模板法制備納米線137
521碳納米管模板法137
522氧化鋁模板法140
523聚合物膜模板法142
53模板法合成高度取向碳納米管有序陣列膜146
531碳納米管有序陣列膜的制備過程146
532碳納米管陣列膜場發(fā)射特性149
54模板法制備tio2納米管151
541多孔陽極氧化鋁（paa）模板的制備151
542tio2納米管的制備152
543tio2納米管的形貌和結構分析153
參考文獻154
第6章納米半導體薄膜的電子轉(zhuǎn)移和納米粒子的單電子
電導156
61納米半導體薄膜的光學性質(zhì)157
611電子存儲和光致變色效應157
612光電流的產(chǎn)生160
613寬帶隙半導體敏化162
614光催化164
62納米半導體膜的電子轉(zhuǎn)移原理166
621電荷從激活的染料注入到半導體納米團簇166
622電荷注入過程動力學167
623半導體染料界面處電子轉(zhuǎn)移調(diào)制171
624反向電子轉(zhuǎn)移174
625半導體薄膜中的電子遷移176
63納米粒子的單電子電導177
631單電子電導的發(fā)展歷史179
632單電子電導的定義及靜電特性184
633納米粒子的單電子電導191
參考文獻197
第7章納米晶金屬氧化物半導體與溶液界面處的電荷
轉(zhuǎn)移200
71電致變色203
711v2o5203
712moo3204
713wo3205
72光生伏特207
721tio2208
722sno2212
723zno212
73能量考慮213
731電勢213
732其他問題215
74染料敏化納米tio2薄膜太陽能電池215
741染料敏化納米tio2薄膜太陽能電池的結構和
基本原理216
742用于染料敏化太陽能電池的納米tio2膜研究
進展219
參考文獻223
第8章其他納米薄膜材料制備、特性及應用225
81納米aln薄膜的導電性225
811納米aln薄膜的制備226
812納米aln薄膜的導電特性227
82納米金剛石膜制備及場發(fā)射228
821熱絲cvd法制備228
822微波法制備納米金剛石膜及其場發(fā)射232
823納米金剛石顆粒涂層法和場電子發(fā)射232
83納米磁性薄膜材料及巨磁電阻效應234
831概述234
832納米磁性材料的基本特性235
833納米顆粒型磁性材料236
834納米微晶磁性材料237
835納米薄膜結構型磁性材料及巨磁電阻效應240
836fe基、co基軟磁納米薄膜的制備工藝和
特性242
84in2o3納米晶及氣敏特性246
841納米in2o3材料和氣敏元件的制備246
842氣敏元件特性248
85v2o5納米膜的制備及電致變色250
851peo/v2o5納米復合膜的制備251
852peo/v2o5干凝膠薄膜的性能測試及電致
變色251
86wo3(v)納米膜的制備、電致變色和氣敏
特性254
861wo3薄膜的激光沉積255
862薄膜的結構分析255
863wo3（v）薄膜的電學性能257
864wo3（v）薄膜的氣敏特性258
87納米tio2薄膜的導電性和光吸收量子尺寸效應259
871磁控法制備的納米tio2薄膜的導電性與帶隙
寬度260
872納米tio2的光吸收量子尺寸效應262
88納米晶pzt/pt鐵電薄膜的尺寸效應266
881納米薄膜樣品制備266
882x射線衍射分析267
883電滯回線測試268
89ag/ni納米多層膜的點陣應變現(xiàn)象269
891納米多層膜270
892ag/ni納米多層膜間界面處晶格應變及弛豫
現(xiàn)象270
810tisin納米薄膜的超硬性272
8101超硬tin膜存在的問題272
8102tisin納米薄膜的制備272
8103tisin納米膜的性能分析274
811zns/ag/zns納米多層薄膜及平面顯示器透明
電極276
8111zns/ag/zns納米多層膜替代ito膜276
8112真空蒸鍍法制備納米多層膜277
8113納米多層膜的光學性能277
8114納米多層膜導電性能281
8115透明導電多層膜的性能評價282
812納米al膜介電函數(shù)的尺寸、頻率效應283
813納米氮化硼薄膜的場發(fā)射284
8131納米氮化硼薄膜的制備285
8132納米氮化硼薄膜的場發(fā)射性能285
參考文獻288
第9章納米材料及納米器件研究和發(fā)展的前景290
91國際方面的最新研究進展290
911關于碳納米管的研究進展290
912納米線及相關的納米器件292
913特種結構、異質(zhì)納米復合結構293
914有關異質(zhì)結構的新的制備方法294
92國內(nèi)近期在準一維納米材料方面的最新研究情況294
921技術創(chuàng)新的幾個方面294
922已取得的重要成果296
93納米相復合材料和納米結構微米結構復合材料297
94納米材料的應用前景298
參考文獻298