納米CMOS器件

序
前言
第一章 緒論
第二章 縮小到納米尺寸的CMOS器件面臨的挑戰(zhàn)
2·1器件尺寸縮小對工藝技術(shù)的挑戰(zhàn)
2·2柵氧化層減薄的限制
2·3量子效應(yīng)的影響
2·4遷移率退化和速度飽和
2·5雜質(zhì)隨機(jī)分布的影響
2·6閾值電壓減小的限制
2·7源、漏區(qū)串聯(lián)電阻的影響
參考文獻(xiàn)
第三章 納米CMOS器件的圖形制備技術(shù)
3·1光刻工藝技術(shù)的進(jìn)展
3·2分辨率增強(qiáng)技術(shù)
3·3下一代光刻技術(shù)的研究進(jìn)展
3·4一種實(shí)用的超細(xì)柵線條制備技術(shù)
3·5超細(xì)線條刻蝕技術(shù)
參考文獻(xiàn)
第四章 納米CMOS器件中的柵工程
4·1CMOS器件中的MIS柵結(jié)構(gòu)
4·2氮氧硅柵介質(zhì)
4·3高介電常數(shù)柵介質(zhì)
4·4納米CMOS技術(shù)中的新型柵電極材料
參考文獻(xiàn)
第五章 納米CMOS器件的溝道工程和超淺結(jié)技術(shù)
5·1溝道工程要解決的問題
5·2縱向溝道工程
5·3納米CMOS器件中的橫向溝道工程
5·4納米CMOS中的超淺結(jié)和相關(guān)離子摻雜新技術(shù)的發(fā)展
參考文獻(xiàn)
第六章 新型納米CMOS器件
6·1新型襯底結(jié)構(gòu)器件
6·2新型柵結(jié)構(gòu)器件
6·3新型溝道結(jié)構(gòu)器件
6·4新型源漏結(jié)構(gòu)器件
6·5新型工作機(jī)制器件
參考文獻(xiàn)
主要符號表