現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理

1  雙極晶體管                  
 1. 1  引言                  
 1. 2  雙極晶體管的工作原理                  
 1. 3  硅雙極晶體管                  
 1. 4  異質(zhì)結(jié)雙極晶體管                  
 1. 5  雙極晶體管模型                  
 1. 6  總結(jié)與展望                  
 習(xí)題                  
 參考文獻(xiàn)                  
 2  化合物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管                  
 2. 1  引言                  
 2. 2  肖特基勢(shì)壘和歐姆接觸                  
 2. 3  GaAs MKSFET                  
 2. 4  異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(HFET)                  
 2. 5  柵極漏電流                  
 2. 6  新型化合物半導(dǎo)體FET                  
 2. 7  總結(jié)與展望                  
 習(xí)題                  
 參考文獻(xiàn)                  
 3  MOSFET及其相關(guān)器件                  
 3. 1  引言                  
 3. 2  MOSFET的按比例縮小                  
 3. 3  CMOS/BiCMOS                  
 3. 4  可靠性                  
 3. 5  SOI和三維結(jié)構(gòu)                  
 3, 6  存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)                  
 3. 7  低壓／低功耗器件                  
 3. 8  總結(jié)與展望                  
 習(xí)題                  
 參考文獻(xiàn)                  
 4  功率器件                  
 4. 1  引言                  
 4. 2  功率整流管                  
 4. 3  功率MOSFET                  
 4. 4  絕緣柵雙極晶體管                  
 4. 5  MOS柵控晶閘管                  
 4. 6  碳化硅功率器件                  
 4. 7  總結(jié)與展望                  
 習(xí)題                  
 參考文獻(xiàn)                  
 5  量子效應(yīng)和熱電子器件                  
 5. 1  引言                  
 5. 2  共振隧穿(RT)結(jié)構(gòu)                  
 5. 3  熱電子結(jié)構(gòu)                  
 5. 4  器件應(yīng)用                  
 5. 5  總結(jié)與展望                  
 附錄5. A  態(tài)密度和費(fèi)米積分                  
 附錄5. B  在具有散射的超晶格中的漂移速度                  
 附錄5. C  接觸和超品格                  
 附錄5. D  相干晶體管基區(qū)輸運(yùn)                  
 習(xí)題                  
 參考文獻(xiàn)                  
 6  有源微波二極管                  
 6. 1  引言                  
 6. 2  渡越時(shí)間二極管                  
 6. 3  共振隧穿二極管                  
 6. 4  轉(zhuǎn)移電子器件                  
 6. 5  總結(jié)與展望                  
 習(xí)題                  
 參考文獻(xiàn)                  
 7  高速光子器件                  
 7. 1  引言                  
 7. 2  激光器的設(shè)計(jì)及其基本工作原理                  
 7. 3  量子吩和應(yīng)變層量子阱激光器                  
 7. 4  高級(jí)激光器結(jié)構(gòu)和光子集成電路(PIC)                  
 7. 5  光接收器和光電集成電路                  
 7. 6  總結(jié)與展望                  
 附錄7. A  線寬公式的推導(dǎo)                  
 附錄7. B  應(yīng)變層單量子阱激光器的透光載流子面密度和微分增益的                  
 近似表達(dá)式                  
 習(xí)題                  
 參考文獻(xiàn)                  
 8  太陽(yáng)電池                  
 8. 1  引言                  
 8. 2  太陽(yáng)光輻射和理想的能量轉(zhuǎn)換效率                  
 8. 3  硅太陽(yáng)電池：?jiǎn)尉? 多品和非晶                  
 8. 4  化合物半導(dǎo)體電池                  
 8. 5  組件                  
 8. 6  總結(jié)與展望                  
 習(xí)題                  
 參考文獻(xiàn)                  
 附錄A  符號(hào)表                  
 附錄B  國(guó)際單位制(SI單位)                  
 附錄C  單位詞頭                  
 附錄D  希臘字母                  
 附錄E  物理常數(shù)                  
 附錄F  300K的晶格常數(shù)                  
 附錄G  重要的元素和二元半導(dǎo)體性質(zhì)                  
 附錄H  Si和GaAs在300K的性質(zhì)                  
 附錄I  III-V族三元化合物半導(dǎo)體的性質(zhì)                  
 附錄J  SiO2和Si3N4在300K的性質(zhì)                  
 索引